可變電阻式存儲(chǔ)器

可變電阻式內(nèi)存（英語： Resistive random-access memory，縮寫為 RRAM 或 ReRAM），是一種新型的非易失性內(nèi)存。類似的技術(shù)還有CBRAM與相變化內(nèi)存，許多公司都正在發(fā)展這種技術(shù)。
ReRAM的優(yōu)點(diǎn)在于消耗電力較低，且寫入信息速度比NAND閃存快1萬倍。蔡少棠認(rèn)為，可變電阻式內(nèi)存將會(huì)是一種憶阻器的形式。

可變電阻式存儲(chǔ)器基本信息

中文名 可變電阻式內(nèi)存 外文名 Resistive random-access memory
別????名 可變電阻式存儲(chǔ)器 簡????稱 RRAM

憶阻器（英語：memristor/?m?mr?st?r/），又名記憶電阻（英語：memory resistors），是一種被動(dòng)電子元件。如同電阻器，憶阻器能產(chǎn)生并維持一股安全的電流通過某個(gè)裝置。但是與電阻器不同的地方在于，憶阻器可以在關(guān)掉電源后，仍能“記憶”先前通過的電荷量。兩組的憶阻器更能產(chǎn)生與晶體管相同的功能，但更為細(xì)小。最初于1971年，加州大學(xué)伯克利分校的蔡少棠教授根據(jù)電子學(xué)理論，預(yù)測到在電阻器、電容器及電感元件之外，還存在電路的第四種基本元件，即是憶阻器。 正在開發(fā)憶阻器的團(tuán)隊(duì)包括惠普、SK海力士、HRL實(shí)驗(yàn)室。

之后從2000年始，研究人員在多種二元金屬氧化物和鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的薄膜中發(fā)現(xiàn)了電場作用下的電阻變化，并應(yīng)用到了下一代非揮發(fā)性內(nèi)存-阻抗存儲(chǔ)器（RRAM 或 ReRAM）中。2008年4月，惠普公司公布了基于TiO2的RRAM器件，并首先將RRAM和憶阻器聯(lián)系起來。但仍然有專家認(rèn)為，這些實(shí)作出的電路，并不是真正的憶阻器。

可變電阻式存儲(chǔ)器造價(jià)信息

市場價(jià) 信息價(jià) 詢價(jià)
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價(jià)
（除稅）		 工程建議價(jià)
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)日期
分布式存儲(chǔ)設(shè)備 192 TB 查看價(jià)格 查看價(jià)格

分布式存儲(chǔ)設(shè)備

 套 13% 江蘇海通交通集團(tuán)有限公司南寧分公司
圖像存儲(chǔ)器 3TB(硬盤) 查看價(jià)格 查看價(jià)格

慧利創(chuàng)達(dá)

 個(gè) 13% 北京慧利創(chuàng)達(dá)科技有限責(zé)任公司
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麥多存儲(chǔ)器 256M 查看價(jià)格 查看價(jià)格

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愛國者存儲(chǔ)器 智慧棒45X 256M 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái) 13% 江門市君信辦公設(shè)備有限公司
麥多存儲(chǔ)器 1G 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái) 13% 江門市君信辦公設(shè)備有限公司
愛國者存儲(chǔ)器 加速度感應(yīng)III代(P758)40G 查看價(jià)格 查看價(jià)格

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編程組態(tài)存儲(chǔ)器 SD FLASH 512MB 查看價(jià)格 查看價(jià)格

菲尼克斯

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材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價(jià)		 含稅
信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
500kV變電站直流系統(tǒng) 800Ah14面饋線屏,2面充電屏,1面聯(lián)絡(luò)屏,采用單母線分段接線 查看價(jià)格 查看價(jià)格

套 廣東2022年3季度信息價(jià)
110kV變電站直流系統(tǒng) 300Ah2 面饋線屏，2 面充電屏 無聯(lián)絡(luò)屏 查看價(jià)格 查看價(jià)格

套 廣東2022年2季度信息價(jià)
500kV變電站直流系統(tǒng) 800Ah14 面饋線屏，2 面充電屏，1 面聯(lián)絡(luò)屏，采用單母線分段接線 查看價(jià)格 查看價(jià)格

套 廣東2022年2季度信息價(jià)
220kV變電站直流系統(tǒng) 500Ah6 面直流饋線屏 2面充電屏 無聯(lián)絡(luò)屏 查看價(jià)格 查看價(jià)格

套 廣東2022年2季度信息價(jià)
220kV變電站直流系統(tǒng) 500Ah6面直流饋線屏2面充電屏無聯(lián)絡(luò)屏 查看價(jià)格 查看價(jià)格

套 廣東2022年3季度信息價(jià)
110kV變電站直流系統(tǒng) 300Ah2面饋線屏,2面充電屏無聯(lián)絡(luò)屏 查看價(jià)格 查看價(jià)格

套 廣東2022年3季度信息價(jià)
變電站自動(dòng)化系統(tǒng)(包括五防系統(tǒng)) 110kV2臺(tái)主變 查看價(jià)格 查看價(jià)格

套 廣東2022年3季度信息價(jià)
變電站自動(dòng)化系統(tǒng)(包括五防系統(tǒng)) 35kV 查看價(jià)格 查看價(jià)格

套 廣東2022年3季度信息價(jià)
材料名稱 規(guī)格/需求量 報(bào)價(jià)數(shù) 最新報(bào)價(jià)
（元）		 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)地區(qū) 最新報(bào)價(jià)時(shí)間
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 DS3018XS 6盤位nas存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器|1臺(tái) 3 查看價(jià)格 廣州龍洲電子科技有限公司 全國   2020-12-22
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安防信息存儲(chǔ)器AF 安防信息存儲(chǔ)器 AF|1個(gè) 1 查看價(jià)格 廣西攝力科技有限公司 廣西  南寧市 2017-03-09
后臺(tái)存儲(chǔ)器 8U機(jī)架式48盤位;64位多核處理器;16GB緩存;冗余電源;支持SATA硬盤;2個(gè)千兆網(wǎng)口;1個(gè)系統(tǒng)SSD盤. 支持視音頻、圖片、直接寫入,支持視頻高速預(yù)覽、回放、下載,支持云內(nèi)容災(zāi)備份,支持|1套 1 查看價(jià)格 杭州?？低晹?shù)字技術(shù)股份有限公司 云南  昆明市 2022-06-06
終端存儲(chǔ)器 【16T硬盤】 硬件規(guī)格 網(wǎng)絡(luò)接口:2個(gè)10/100/100|6套 1 查看價(jià)格 杭州?？低晹?shù)字技術(shù)股份有限公司 云南  昆明市 2022-05-30
內(nèi)置存儲(chǔ)器 (4TB容量)|15塊 1 查看價(jià)格 廣州市熹尚科技設(shè)備有限公司 廣西  南寧市 2019-05-16
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相變化內(nèi)存（英語：Phase-change memory，英語：Ovonic Unified Memory，英語：Chalcogenide RAM，簡稱PCM,PRAM,PCRAM,CRAM），又譯為相變位內(nèi)存，是一種非易失性存儲(chǔ)器裝置。PRAM 使用含一種或多種硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成。硫?qū)俨ＡУ奶匦允牵?jīng)加熱可以改變它的狀態(tài)，成為晶體（Crystalline）或非晶體（Amorphous）。這些不同狀態(tài)具有相應(yīng)的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲(chǔ)不同的數(shù)值。 它是可能取代快閃存儲(chǔ)器的技術(shù)之一。 2100433B

非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。

類型

非易失性存儲(chǔ)器主要有以下類型：

  • ROM（Read-only memory，只讀內(nèi)存）

    • PROM（Programmable read-only memory，可編程只讀內(nèi)存）

    • EAROM（Electrically alterable read only memory，電可改寫只讀內(nèi)存）

    • EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可編程只讀內(nèi)存）

    • EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，電可擦可編程只讀內(nèi)存）

  • Flash memory（閃存）

可變電阻式存儲(chǔ)器常見問題

  • 電阻器與可變電阻器有什么不同？

    電阻器阻值固定不變，可變電阻隨意調(diào)整電阻值。它的區(qū)別是： 區(qū)別一、功率較大場合下的可變電阻器(線繞式結(jié)構(gòu))，體積很大，動(dòng)片可以左右滑動(dòng)，進(jìn)行阻值調(diào)節(jié)。 區(qū)別二、可變電阻器的體積比一般電阻器的體積大些，...

  • 可變電阻器原理是什么

    阻值可以調(diào)整的電阻器，用于需要調(diào)節(jié)電路電流或需要改變電路阻值的場合?？勺冸娮杵骺梢愿淖冃盘柊l(fā)生器的特性，使燈光變暗，啟動(dòng)電動(dòng)機(jī)或控制它的轉(zhuǎn)速。根據(jù)用途的不同，可變電阻器的電阻材料可以是金屬絲、金屬片、...

  • 可變電阻與變阻器的區(qū)別是什么

可編程金屬化單元（英語：programmable metallization cell，縮寫為PMC），一種新的非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)，由亞利桑那州立大學(xué)開發(fā)，這項(xiàng)專利已授權(quán)并轉(zhuǎn)移給Axon Technologies公司。它有可能取代快閃存儲(chǔ)器。

英飛凌在2004年取得PMC技術(shù)的授權(quán)，并用來開發(fā)導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取內(nèi)存(conductive-bridging RAM，CBRAM)，NEC稱為Nanobridge，Sony稱其為electrolytic memory。但這些公司都沒有做出實(shí)際應(yīng)用成果。

最主要推動(dòng) CBRAM 裝置的公司是Adesto Technologies，最快有可能在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品。

可變電阻式存儲(chǔ)器文獻(xiàn)

電力型線繞可變電阻器(FVR)規(guī)格書 電力型線繞可變電阻器(FVR)規(guī)格書

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電力型線繞可變電阻器(FVR)規(guī)格書

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包含可變電阻以及內(nèi)置旋鈕開關(guān)的面板式電位計(jì) 包含可變電阻以及內(nèi)置旋鈕開關(guān)的面板式電位計(jì)

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大?。?span id="cvwses7" class="single-tag-height">1.2MB

頁數(shù)： 1頁

評分： 4.5

該電位計(jì)采用小尺寸、全密封和密封面板的結(jié)構(gòu)，是面板安裝電位計(jì)領(lǐng)域的革新。其設(shè)計(jì)上的獨(dú)到之處在于采用了旋鈕操縱方式，包括一個(gè)金屬陶瓷和導(dǎo)電塑料的電位計(jì)。僅有五金安裝件和接頭被安置在面板的背面，該設(shè)計(jì)使得安裝間隙盡可能小，成為小尺寸、低外形、重量輕設(shè)備的理想之選。

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可變電阻與普通電阻在外形上有很大的區(qū)別，它具有下列一些特征，根據(jù)這些特征可以在線路板中識別可變電阻: (1)可變電阻的體積比一般電阻的體積大些，同時(shí)電路中可變電阻較少，在線路板中能方便地找到它。 (2)可變電阻共有三根引腳，這三根引腳有區(qū)別，一根為動(dòng)片引腳，另兩根是定片引腳，一般兩個(gè)定片引腳之間可以互換使用，而定片與動(dòng)片引腳之間不能互換使用。 (3)可變電阻上有一個(gè)調(diào)整口，用一字螺絲刀伸入此調(diào)整口中，轉(zhuǎn)動(dòng)螺絲刀可以改變動(dòng)片的位置，進(jìn)行阻值的調(diào)整。 (4)在可變電阻上可以看出它的標(biāo)稱阻值，這一標(biāo)稱阻值是指兩個(gè)定片引腳之間的阻值，也是某一個(gè)定片引腳與動(dòng)片引腳之間的最大阻值。 (5)立式可變電阻主要使用于小信號電路中，它的三根引腳垂直向下，垂直安裝在線路板上，阻值調(diào)節(jié)口在水平方向。 (6)臥式可變電阻也使用于小信號電路中，它的三根引腳與電阻平面成90°，垂直向下，平臥地安裝在線路板上，阻值調(diào)節(jié)口朝上。 (7)小型塑料外殼的可變電阻體積更小，呈圓形結(jié)構(gòu)，它的三根引腳向下，阻值調(diào)節(jié)口朝上。 (8)用于功率較大場合下的可變電阻(線繞式結(jié)構(gòu))，體積很大，動(dòng)片可以左右滑動(dòng)，進(jìn)行阻值調(diào)節(jié)。

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固態(tài)存儲(chǔ)器是相對于磁盤、光盤一類的，不需要讀寫頭、不需要存儲(chǔ)介質(zhì)移動(dòng)(轉(zhuǎn)動(dòng))讀寫數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。

固態(tài)存儲(chǔ)器是通過存儲(chǔ)芯片內(nèi)部晶體管的開關(guān)狀態(tài)來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的，由于固態(tài)存儲(chǔ)器沒有讀寫頭、不需要轉(zhuǎn)動(dòng)，所以固態(tài)存儲(chǔ)器擁有耗電少、抗震性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。由于成本較高，多以目前大容量存儲(chǔ)中仍然使用機(jī)械式硬盤;但在小容量、超高速、小體積的電子設(shè)備中，固態(tài)存儲(chǔ)器擁有非常大的優(yōu)勢。

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在可變電阻區(qū)內(nèi)，當(dāng)U(GS)不變時(shí)，I(D)隨U(DS)的增加近似直線上升，且U(GS)越小，該段輸出特性曲線斜率越小。此時(shí)，場效應(yīng)管可視作一個(gè)受U(GS)控制的壓控電阻，且U(GS)越小，等效電阻值越大。也正因此，該區(qū)域叫做“可變電阻區(qū)”。

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