中文名 | 刻蝕機(jī) | 產(chǎn)????地 | 英國(guó) |
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學(xué)科領(lǐng)域 | 電子與通信技術(shù) | 啟用日期 | 2012年5月14日 |
所屬類別 | 工藝試驗(yàn)儀器 > 電子工藝實(shí)驗(yàn)設(shè)備 > 半導(dǎo)體集成電路工藝實(shí)驗(yàn)設(shè)備 |
三五簇材料的臺(tái)面及溝槽刻蝕。
均勻性±5%。
應(yīng)該是用的吧,能和玻璃的主要成分二氧化硅反應(yīng)。要能腐蝕玻璃的才行,B能與玻璃中的SiO2反應(yīng)。燒堿堿反應(yīng)很慢,而且光滑的表面還不能腐蝕。其他的不能反應(yīng)。希望我的回答對(duì)你有幫助
一般按張來(lái)算,一張多少錢加工費(fèi)。
書畫印章當(dāng)然要人工刻
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1 不銹鋼刻蝕 【摘要】 本文依據(jù)工業(yè)生產(chǎn)原理 ,設(shè)計(jì)了新的能處理較大面積工件的化學(xué)刻蝕裝置,研究 了實(shí)驗(yàn)室條件下對(duì)不銹鋼進(jìn)行圖紋裝飾的方法和工藝。 通過(guò)上感光材料、感光、刻蝕、 上色等工藝實(shí)現(xiàn)了不銹鋼的圖案刻蝕,成功地制作出一批作品。 【關(guān)鍵詞】 圖紋裝飾,不銹鋼板,感光材料,刻蝕。 Etching on Stainless Steel Sheet Zhao Libing Chen Peixian Li Jiahang Long Jieming Wang Junxia Liu Chang Zhang Zhijun Liu Xiaofang Lu Yujing Xie Guangbin L ü Xueyi (Class 99, School of Chemistry and Chemical Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzh
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干法刻蝕工藝總結(jié) 離子束刻蝕機(jī)( IBE-150A) 背景 : 利用輝光放電原理將氬氣分解為氬離子, 氬離子經(jīng)過(guò)陽(yáng)極電場(chǎng)的加速對(duì)樣品表面 進(jìn)行物理轟擊, 以達(dá)到刻蝕的作用。 把 Ar、Kr 或 Xe之類惰性氣體充入離子源放 電室并使其電離形成等離子體, 然后由柵極將離子呈束狀引出并加速, 具有一定 能量的離子束進(jìn)入工作室, 射向固體表面撞擊固體表面原子, 使材料原子發(fā)生濺 射,達(dá)到刻蝕目的,屬純物理過(guò)程。 技術(shù)指標(biāo): 裝片:一片六英寸襯底、或 1片四英寸,向下兼容。 抽氣速度: 30min由 ATM 到 1.0×10-3Pa 極限真空度: 2×10-4Pa 離子能量: 300eV-400eV ICP 刻蝕機(jī)( OXFORD ICP 180) 背景 : 通入反應(yīng)氣體使用電感耦合等離子體輝光放電將其分解, 產(chǎn)生的具有強(qiáng)化學(xué)活性 的等離子體在電場(chǎng)的加速作用下移動(dòng)到樣品表面, 對(duì)樣品表面既進(jìn)行化學(xué)
等離子刻蝕機(jī)濕法刻蝕相對(duì)于等離子刻蝕的缺點(diǎn)
1. 硅片水平運(yùn)行,機(jī)片高(等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩干,硅片受沖擊小);
2. 下料吸筆易污染硅片(等離子刻蝕去PSG后甩干);
3. 傳動(dòng)滾抽易變形(PVDF,PP材質(zhì)且水平放置易變形);
4. 成本高(化學(xué)品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加)。
此外,有些等離子刻蝕機(jī),如SCE等離子刻蝕機(jī)還具備"綠色"優(yōu)勢(shì):無(wú)氟氯化碳和污水、操作和環(huán)境安全、排除有毒和腐蝕性的液體。SCE等離子刻蝕機(jī)支持以下四種平面等離子體處理模式:
直接模式--基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上,以獲得最大的平面刻蝕效果。
定向模式--需要非等向性刻蝕(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式--基片可以放置在不帶電托架上,以便取得微小的等離子體效果。
定制模式--當(dāng)平面刻蝕配置不過(guò)理想時(shí),特制的電極配置可以提供。
TCP刻蝕機(jī)的刻蝕分辨率:100nm;基片尺寸:2英寸、4英寸。
本設(shè)備能精確控制刻蝕速率、適用于對(duì)均勻性要求高的刻蝕和不易濕法刻蝕的薄膜: 1. 選擇比(刻蝕速率比): SiOx/Mo5,SiOx/Al20,SiOx/ITO>20,SiOx/SiNx>1,SiNx/SiOx>5,a-Si/光刻膠1, SiOx/光刻膠1, SiNx/光刻膠1; 2. ★ 刻蝕速率:SiO2 >80 nm/min,SiNx>150 nm/min,a-Si>150 nm/min,p-Si>100 nm/min,ITO>30 nm/min,光刻膠灰化速率>300 nm/min; 3。