可關(guān)斷晶閘管圖片
中文名 | 可關(guān)斷晶閘管 | 外文名 | gate turn-off thyristor |
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別????名 | 門極可關(guān)斷晶閘管或門控晶閘管 | 簡(jiǎn)????稱 | GTO |
特????點(diǎn) | 具備了自關(guān)斷能力,關(guān)斷時(shí)間短等 | 學(xué)????科 | 電子工程術(shù)語(yǔ) |
可關(guān)斷晶閘管(GTO)又稱門極可關(guān)斷晶閘管或門控晶閘管,是晶閘管的一種派生器件。它的主要特點(diǎn)是門極加正脈沖信號(hào)觸發(fā)管子導(dǎo)通,門極加負(fù)脈沖信號(hào)觸發(fā)管子關(guān)斷,因而屬于全控型器件。
可關(guān)斷晶閘管既保留了普通單向晶閘管耐壓高、電流大的特性,又具備了自關(guān)斷能力,且關(guān)斷時(shí)間短,不需要復(fù)雜的換向電路,工作頻率高,使用方便,但對(duì)關(guān)斷脈沖信號(hào)的脈沖功率和門極負(fù)向電流的上升率要求較高??申P(guān)斷晶閘管是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件,廣泛用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域。
可關(guān)斷晶閘管成分結(jié)構(gòu)
可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1僅繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。
盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,βoff,它等于陽(yáng)極最大可關(guān)斷電流IATM與門極最大負(fù)向電流IGM之比,有公式
βoff =IATM/IGM
βoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說(shuō)明門極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,βoff與昌盛 的hFE參數(shù)頗有相似之處。
可關(guān)斷晶閘管的特性曲線如圖。
可關(guān)斷晶閘管的結(jié)構(gòu)和普通單向晶閘管一樣,也是由PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成,外部也有三個(gè)電極,即門極G、陽(yáng)極A和陰極K。普通單向晶閘管只構(gòu)成一個(gè)單元器件,而可關(guān)斷晶閘管則構(gòu)成一種多元的功率集成器件,它的內(nèi)部包含數(shù)十個(gè)甚至數(shù)百個(gè)共陽(yáng)極的小GTO單元。為了實(shí)現(xiàn)門極控制關(guān)斷,而將這些小GTO單元的陰極和門極特別設(shè)計(jì)成在器件內(nèi)部并聯(lián)。
可關(guān)斷晶閘管在電路中常用字母GTO表示,小功率可關(guān)斷晶閘管的外形及電路符號(hào)見(jiàn)圖1,大功率可關(guān)斷晶閘管多采用圓盤狀或模塊型式。國(guó)產(chǎn)可關(guān)斷晶閘管常用型號(hào)有先鋒( XUNFO)、光寶( LITEON)、柳晶(LIUJING) GT050A~1000A等系列。進(jìn)口可關(guān)斷晶閘管常用型號(hào)有日本富士通公司(FUJITSU)EF3003AM系列,日本東芝公司(TOSHIBA) SG600EX、SG800EX、SG1000EX系列,瑞士阿西布朗勃法瑞公司(ABB)SSGA、5SGF、5SGR系列,日本三菱公司(MITSUBISHI)FG1000BV、FG3000DV、FG2000FX、FG3000GX系列,日本日立公司(HIT) GFP2000G40、GFP4000G40系列等。
一、作用:可控的導(dǎo)電開(kāi)關(guān),與二極管相比,不同之處是正向?qū)ㄊ卓刂茦O電流控制。二、什么是晶閘管:晶閘管導(dǎo)通條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管...
晶閘管(THYRISTOR)又名可控硅,屬于功率器件領(lǐng)域,是一種功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)元件,可控硅是其簡(jiǎn)稱,按其工作特性,可控硅可分為單向可控硅(SCR)、雙向可控硅(TRIAC)??煽毓枰卜Q作晶閘管,它是由...
一、晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱為可控硅;1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)...
可關(guān)斷晶閘管發(fā)展簡(jiǎn)史
普通晶閘管(SCR)靠門極正信號(hào)觸發(fā)之后,撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷,必須切斷電源,使正向電流低于維持電流IH,或施以反向電壓強(qiáng)近關(guān)斷。這就需要增加換向電路,不僅使設(shè)備的體積重量增大,而且會(huì)降低效率,產(chǎn)生波形失真和噪聲。
可關(guān)斷晶閘管(GTO)克服了上述缺陷,它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),又具有自關(guān)斷能力,因而在使用上比普通晶閘管方便,是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)電力晶體管(GTR),只是工作頻率比GTR低。目前,GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已廣泛用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強(qiáng)大的生命力。
可關(guān)斷晶閘管的外形,符號(hào)如圖。
普通單向晶閘管靠控制極信號(hào)觸發(fā)之后,撤掉信號(hào)也能維持導(dǎo)通。欲使其關(guān)斷,必須切斷電源或施以反向電壓強(qiáng)行關(guān)斷。這就需要增加換向電路,不僅使設(shè)備的體積、質(zhì)量增大,而且會(huì)降低效率,產(chǎn)生波形失真和噪聲,可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷。
當(dāng)可關(guān)斷晶閘管陽(yáng)極和陰極間加正向電壓且低于正向轉(zhuǎn)折電壓時(shí),若門極無(wú)正向電壓,則管子不會(huì)導(dǎo)通;若門極加正向電壓,則管子被觸發(fā)導(dǎo)通,導(dǎo)通后的管壓降比較大,一般為2~3V。
由于可關(guān)斷晶閘管關(guān)斷時(shí),可在陽(yáng)極電流下降的同時(shí)升高施加的電壓(不像普通單向晶閘管關(guān)斷時(shí)在陽(yáng)極電流等于零后才能施加電壓),因此,可關(guān)斷晶閘管關(guān)斷期間功耗較大。另外,因?yàn)榭申P(guān)斷晶閘管導(dǎo)通壓降較大(2~3V),門極觸發(fā)電流較大(20mA左右),所以可關(guān)斷晶閘管的導(dǎo)通功耗與門極功耗均較普通單向晶閘管大。
GTO的基本參數(shù)與普通晶閘管大多相同,不同的主要參數(shù)敘述如下。
(1)最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流IATO。GTO的陽(yáng)極電流允許值受兩方面因素的限制:一是額定工作結(jié)溫,其決定了GTO的平均電流額定值;二是關(guān)斷失敗。所以GTO必須規(guī)定一個(gè)最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流IATO作為其容量,IATO即管子的銘牌電流。
在實(shí)際應(yīng)用中,可關(guān)斷陽(yáng)極電流IATO受以下因素的影響:門極關(guān)斷負(fù)電流波形、陽(yáng)極電壓上升率、工作頻率及電路參數(shù)的變化等,在應(yīng)用中應(yīng)予特別注意。
(2)關(guān)斷增益βoff。關(guān)斷增益βoff為最大可關(guān)斷電流IATO與門極負(fù)電流最大值IGM之比,即
βoff表示GTO的關(guān)斷能力。當(dāng)門極負(fù)電流上升率一定時(shí),βoff隨可關(guān)斷陽(yáng)極電流的增加而增加;當(dāng)可關(guān)斷陽(yáng)極電流一定時(shí),βoff隨門極負(fù)電流上升率的增加而減小。
采用適當(dāng)?shù)拈T極電路,很容易獲得上升率較快、幅值足夠的門極負(fù)電流。因此,在實(shí)際應(yīng)用中不必追求過(guò)高的關(guān)斷增益。
(3)陽(yáng)極尖峰電壓UP。陽(yáng)極尖峰電壓UP是在GTO關(guān)斷過(guò)程中的下降時(shí)間tf尾部出現(xiàn)的極值電壓。UP的大小是GTO緩沖電路中的雜散電感與陽(yáng)極電流在tf內(nèi)變化率的乘積。因此,當(dāng)GTO的陽(yáng)極電流增加時(shí),尖峰電壓幾乎線性增加,當(dāng)UP增加到一定值時(shí),GTO因Poff過(guò)大而損壞。由于UP限制可關(guān)斷峰值電流的增加,故GTO的生產(chǎn)廠’家一般把UP值作為參數(shù)提供給用戶。
為減小UP,必須盡量縮短緩沖電路的引線,減小雜散電感,并采用快恢復(fù)二極管及無(wú)感電容。
可關(guān)斷晶閘管應(yīng)用領(lǐng)域
下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。
1.判定GTO的電極
將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔,測(cè)量任意兩腳間的電阻,僅當(dāng)黑表筆接G極,紅表筆接K極時(shí),電阻呈低阻值,對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。
2.檢查觸發(fā)能力
首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,電阻為無(wú)窮大;然后用黑表筆尖也同時(shí)接觸G極,加上正向觸發(fā)信號(hào),表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通;最后脫開(kāi)G極,只要GTO維持通態(tài),就說(shuō)明被測(cè)管具有觸發(fā)能力。
3.檢查關(guān)斷能力
現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,黑表筆接K極,施以負(fù)向觸發(fā)信號(hào),如果表Ⅰ的指針向左擺到無(wú)窮大位置,證明GTO具有關(guān)斷能力。
4.估測(cè)關(guān)斷增益βoff
進(jìn)行到第3步時(shí),先不接入表Ⅱ,記下在GTO導(dǎo)通時(shí)表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1;再接上表Ⅱ強(qiáng)迫GTO關(guān)斷,記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。最后根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益:
βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/ K2n2
式中K1-表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù);
K2-表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。
βoff≈10×n1/ n2
此式的優(yōu)點(diǎn)是,不需要具體計(jì)算IAT、IG之值,只要讀出二者所對(duì)應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù),即可迅速估測(cè)關(guān)斷增益值。
注意事項(xiàng):
(1)在檢查大功率GTO器件時(shí),建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)1.5V電池E′,以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流,使GTO可靠地導(dǎo)通。
(2)要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff,必須有專用測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同,測(cè)量結(jié)果僅供參考,或作為相對(duì)比較的依據(jù)。
1.可關(guān)斷晶閘管電極判別
判別電極時(shí),將萬(wàn)用表置R×1Ω擋,檢測(cè)任意兩腳間電阻值。黑表筆接G極、紅表筆接K極時(shí)為低電阻值,其他情況下電阻值均為無(wú)窮大,由此可判定G極、K極,余下為A極。
2.可關(guān)斷晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通能力判別
(1)觸發(fā)導(dǎo)通能力的檢測(cè)方法。判斷可關(guān)斷晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通能力時(shí),將萬(wàn)用表置R×1Ω擋,黑表筆接A極,紅表筆接K極,測(cè)得電阻值為無(wú)窮大。同時(shí)用黑表筆接觸G極(加上正向觸發(fā)信號(hào)),表針向右偏轉(zhuǎn)到低電阻值,說(shuō)明晶閘管已導(dǎo)通。黑表筆筆尖離開(kāi)G極,晶閘管仍維持導(dǎo)通,說(shuō)明被測(cè)管具有觸發(fā)導(dǎo)通能力。
(2)檢測(cè)注意事項(xiàng)。檢測(cè)大功率可關(guān)斷晶閘管時(shí),可在R×1Ω擋外面串聯(lián)一節(jié)1.5V電池(與表內(nèi)電池極性順向串聯(lián)),以提高測(cè)試電壓,使可關(guān)斷晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通。
3.可關(guān)斷晶閘管關(guān)斷能力判別
盡管可關(guān)斷晶閘管與普通單向晶閘管的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通單向晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深度飽和狀態(tài),而可關(guān)斷晶閘管在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和狀態(tài)。所以,在可關(guān)斷晶閘管的門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)后,通態(tài)電流開(kāi)始下降,使管子不能維持內(nèi)部電流的正反饋。此過(guò)程經(jīng)過(guò)一定時(shí)間后,可關(guān)斷晶閘管即可關(guān)斷。
將萬(wàn)用表1置R×1Ω擋,紅表筆接K極,黑表筆接A極。使晶閘管導(dǎo)通并維持,此時(shí)表1指針向右偏轉(zhuǎn)為低電阻值。然后將萬(wàn)用表2置R×10Ω擋,黑表筆接K極,紅表筆接G極(加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)),若此時(shí)表1指針向左擺到無(wú)窮大,說(shuō)明管子具有關(guān)斷能力。 2100433B
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頁(yè)數(shù): 5頁(yè)
評(píng)分: 4.5
為深入研究IGCT的關(guān)斷特性,該文基于實(shí)驗(yàn)結(jié)果,建立了IGCT關(guān)斷過(guò)程中,流過(guò)IGCT電流的波形的數(shù)學(xué)模型,在此基礎(chǔ)上進(jìn)而提出用微分方程研究電路中IGCT關(guān)斷特性的方法。為驗(yàn)證該方法的有效性,以建立的IGCT關(guān)斷過(guò)程電流波形數(shù)學(xué)模型為基礎(chǔ)。該文建立基于斬波電路的IGCT關(guān)斷暫態(tài)特性的數(shù)學(xué)模型。該模型充分考慮IGCT阻容吸收回路、線路雜散電感及限流電抗器對(duì)IGCT關(guān)斷暫態(tài)過(guò)電壓的影響。數(shù)值仿真及試驗(yàn)結(jié)果表明,該模型能夠較好地反映IGCT關(guān)斷過(guò)程中的暫態(tài)特性。
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評(píng)分: 4.6
可關(guān)斷晶閘管(GTO)要求其驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)電流的前沿應(yīng)有足夠的幅值和陡度,且一般需要在整個(gè)導(dǎo)通期間施加正門極電流,關(guān)斷需施加負(fù)門極電流,幅值和陡度要求更高。主要結(jié)合GTO門極驅(qū)動(dòng)的要求,提出一種新型的直接門極驅(qū)動(dòng)電路,這種新型門極驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,電感值低,因此可以為GTO提供快速的門極脈沖。每個(gè)GTO門極驅(qū)動(dòng)完全獨(dú)立,一定數(shù)量的GTO就可以串聯(lián)使用來(lái)適應(yīng)高壓需要。
柵極可關(guān)斷晶閘管,GTO(Gate Turn-off Thyristor) :
對(duì)于一般的晶閘管,當(dāng)通過(guò)柵極觸發(fā)、使其導(dǎo)通以后,柵極就不起作用了,即利用柵極不能關(guān)斷陽(yáng)極電流。但是,如果對(duì)于晶閘管的結(jié)構(gòu)作一些改變,使得柵極不僅能夠起到觸發(fā)開(kāi)通的作用,同時(shí)也能夠起到關(guān)斷陽(yáng)極電流的作用,這種柵極具有一定關(guān)斷功能的晶閘管就是GTO。
GTO(Gate-Turn-Off Thyristor)是門極可關(guān)斷晶閘管的簡(jiǎn)稱,他是晶閘管的一個(gè)衍生器件。但可以通過(guò)門極施加負(fù)的脈沖電流使其關(guān)斷,他是全控型器件。
1)在設(shè)計(jì)器件時(shí)使a2較大,這樣晶體管V2控制靈敏,這樣GTO可以很容易關(guān)斷。
2)使得a1+a2趨向于1,普通晶閘管的a1+a2>=1.15,而GTO的近似為1.05,這樣GTO導(dǎo)通時(shí)飽和程度不深,更接近于臨界飽和,為門極可關(guān)斷控制提供了有力條件。不利因素,導(dǎo)通使管壓降增大了。
3)集成結(jié)構(gòu)中每個(gè)GTO單元的陰極面積小,門極和陰極間的距離大為縮短,使得P2基區(qū)的橫向電阻很小,使門極抽出較大的電流成為可能。
4)它比普通晶閘管開(kāi)通過(guò)程快,承受的電壓能力強(qiáng)。