快離子導(dǎo)體(fast ionic conductor) 也稱超離子導(dǎo)體,有時又叫做固體電解質(zhì),它區(qū)別于一般離子導(dǎo)體的最基本特征是在一定的溫度范圍內(nèi)具有能與液體電解質(zhì)相比擬的離子電導(dǎo)率(1*10-6S·cm)和低的離子電導(dǎo)激活能(≤0.40eV)。1834年M.法拉第首先觀察到AgS中的離子傳輸現(xiàn)象。
中文名稱 | 快離子導(dǎo)體 | 外文名稱 | fast ionic conductor |
---|---|---|---|
別稱 | 超離子導(dǎo)體,固體電解質(zhì) | 首現(xiàn)時間 | 1834年 |
發(fā)現(xiàn)者 | M.法拉第 |
快離子導(dǎo)體雖然是固體,但它的一個亞點陣卻處于熔化狀態(tài)(見液態(tài)亞點陣),因此它又具有液體的某些特性,即具有固-液二重性。固體理論中的某些傳統(tǒng)概念和方法在這里都可能不完全適用,因而這是一個極需研究和發(fā)展的新領(lǐng)域。事實上,一門新興學(xué)科──固體離子學(xué)正在形成。
多數(shù)快離子導(dǎo)體是無機化合物,也有不少有機材料是銀、銅和氫離子的快離子導(dǎo)體。用于基礎(chǔ)研究的快離子導(dǎo)體多數(shù)是單晶體,但實際應(yīng)用時常采用多晶材料。近來又開始了非晶態(tài)快離子導(dǎo)體的研究工作。
快離子導(dǎo)體中運動離子的半徑一般都比較小,研究得最多的是AgCu、Li、Na、F和O等的快離子導(dǎo)體。附表列出了一些有代表性的材料。
按照材料由一般離子相到快離子相的相變行為,可以把快離子導(dǎo)體分為三類:
① 類。發(fā)生一級相變,相變時離子電導(dǎo)率有突變,典型代表是AgI。
② 類。以PbF2為代表, 相轉(zhuǎn)變在相當寬的溫度范圍內(nèi)完成,離子電導(dǎo)率由一般離子態(tài)的值平滑地變到快離子態(tài)的值。這種相變叫做法拉第相變,相變時有比熱容峰。
③ 類。在所研究的溫度范圍內(nèi)未發(fā)現(xiàn)相變,電導(dǎo)率增加隨溫度升高按指數(shù)式,Na-β-AIO就是一例。
快離子導(dǎo)體具有特殊的晶體結(jié)構(gòu),可以看成是由兩個亞點陣所構(gòu)成,一個是不運動離子形成的剛性亞點陣,另一個是由運動離子構(gòu)成的液態(tài)亞點陣。剛性亞點陣必須滿足三個條件:①剛性亞點陣中能被運動離子占據(jù)的位置數(shù)遠遠大于運動離子數(shù)。②間隙位置之間的勢壘必須足夠低,以使運動離子能通過熱激活從一個間隙位置躍遷到近鄰的位置。③能被運動離子占據(jù)的位置必須連成通道。這種通道可以是一維的,但最好是二維和三維的。
-AgI 具有典型的快離子導(dǎo)體結(jié)構(gòu),X 射線結(jié)構(gòu)分析表明I離子構(gòu)成體心立方點陣,而晶胞中的兩個Ag離子可以無序地分布在42個可能的間隙位置上,這些位置連接成三維通道。
快離子導(dǎo)體的應(yīng)用是多方面的,主要是在能源和固體離子器件方面。用Na-β-AlO作電解質(zhì)的鈉-硫電池具有比鉛酸電池高4~5倍的能量密度,它既可用作車輛的動力源,也可作為貯能電池使用。用氧化鋯和其他快離子導(dǎo)體制成的氣體探測器,不僅可以控制汽車發(fā)動機和鍋爐燃燒室的燃燒過程以節(jié)約燃料和減少污染,而且還可以監(jiān)測一些有害氣體從而對環(huán)境保護作出貢獻。氧離子導(dǎo)體和氫離子導(dǎo)體都可用作燃料電池的電解質(zhì)隔膜,從而使可燃氣體與氧氣經(jīng)電化學(xué)方法發(fā)生反應(yīng)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?。用快離子導(dǎo)體作成的固體電池具有自放電小、貯存壽命長和抗振動等優(yōu)點,已在心臟起搏器電子手表、計算器和一些軍用設(shè)備上獲得應(yīng)用。近年來用快離子導(dǎo)體作成了超大容量電容器、定時器、庫侖計和電色顯示器等固體離子器件,引起人們的極大興趣。
P.Hagenmuller and W. Van Gool, Solid Electrolytes,Academic Press, New York, San Francisco and London,1978.
M.B.Salamon, Physics of Superionic Conductors,Springer-Verlag,Belrin,Heidelberg,New York,1979.
kuailizi daoti
快離子導(dǎo)體
fast ionic conductor
也稱超離子導(dǎo)體,有時又叫做固體電解質(zhì)
一、半導(dǎo)體 1.概念:導(dǎo)電性能介乎導(dǎo)體和絕緣體之間,它們的電阻比導(dǎo)體大得多,但又比絕緣體小得多.這類材料我們把它叫做半導(dǎo)體. 2.半導(dǎo)體材料:鍺、硅、砷化鎵等,都是半導(dǎo)體. 3. 半導(dǎo)體的電學(xué)性能: ...
LED燈是應(yīng)用半導(dǎo)體材料制作成發(fā)光二極體來裝配成燈,所以屬于半導(dǎo)體;
自然界中有兩類導(dǎo)電性能截然不同的固體材料,一類具有良好的導(dǎo)電性能,稱為導(dǎo)體,金屬是常見的導(dǎo)體,電阻率很小,約為10-8~10-6歐·米。另一類的導(dǎo)電性能非常差,稱為絕緣體。常見的絕緣體有金剛石、云母、...
格式:pdf
大小:125KB
頁數(shù): 5頁
評分: 4.6
半導(dǎo)體離子注入工藝 09電科 A柯鵬程 0915221019 離子注入法摻雜和擴散法摻雜對比來說,它的加工溫度低、容易制作淺結(jié)、均勻的 大面積注入雜質(zhì)、易于自動化等優(yōu)點。當前,離子注入法已成為超大規(guī)模集成電路 制造中不可缺少的摻雜工藝。離子注入是一種將帶點的且具有能量的粒子注入襯底 硅的過程。注入能量介于 1eV到 1MeV之間,注入深度平均可達 10nm~10um。相對 擴散工藝,粒子注入的主要好處在于能更準確地控制雜質(zhì)參雜、可重復(fù)性和較低的 工藝溫度。 1.離子注入原理 : 離子是原子或分子經(jīng)過離子化后形成的,即等離子體,它帶有一定量的電荷??赏?過電場對離子進行加速,利用磁場使其運動方向改變,這樣就可以控制離子以一定 的能量進入 wafer 內(nèi)部達到摻雜的目的。 離子注入到 wafer 中后,會與硅原子碰撞而損失能量, 能量耗盡離子就會停在 wafer 中某位置。離子通過與硅原子
格式:pdf
大?。?span id="xwdt8il" class="single-tag-height">125KB
頁數(shù): 5頁
評分: 4.8
依據(jù)電磁感應(yīng)原理,變化磁場周圍的導(dǎo)體會受到電磁力的作用,依靠該效應(yīng)的渦流驅(qū)動快速充氣閥已經(jīng)在中科院等離子體所研制成功。利用ANSYS有限元分析軟件,計算不同脈沖電流、不同線圈電感及線圈與閥芯不同間距情況下導(dǎo)體所受電磁力。找到影響電磁力的主要因素,為快閥的改進提供理論依據(jù)。
1.研究更高的離子電導(dǎo)率的快離子導(dǎo)體特別是室溫高電導(dǎo)率的快離子導(dǎo)體,其中研究納米快離子導(dǎo)體是一個新的途徑,目標是使室溫電導(dǎo)率達到102~103S/cm。
2.研究新型的高分子離子導(dǎo)體,當下的高分子一鹽類的電導(dǎo)率很難超過10-4S/cm(25℃),要設(shè)計具有隧道結(jié)構(gòu)、層狀結(jié)構(gòu)或高結(jié)晶度的高分子,并選擇電荷分散型的陰離子(如帶芳香環(huán))以便獲得寬而淺的勢阱,使其的導(dǎo)電機制類似于無機離子導(dǎo)體。
3.研究高分子單離子導(dǎo)體,這是指僅有單一陽(或陰)離子迅速傳導(dǎo)而無對離子遷移的高分子離子導(dǎo)體。我國研制的高分子鋰離子導(dǎo)體的電導(dǎo)率已達到10-6S/cm,這對于不要陰離子遷移的鋰電池,是一個重要的材料。 2100433B
導(dǎo)體依靠導(dǎo)體中離子的定向運動(也稱定向遷移)而導(dǎo)電,電流通過導(dǎo)體時,導(dǎo)體本身發(fā)生化學(xué)變化,導(dǎo)電能力隨溫度升高而增大。顧名思義,這類導(dǎo)體稱為離子導(dǎo)體(或稱為第二類導(dǎo)體)。電解質(zhì)溶液、熔融電解質(zhì)等屬于此類。
電子導(dǎo)體能夠獨立地完成導(dǎo)電任務(wù),而離子導(dǎo)體則不能。要想讓離子導(dǎo)體導(dǎo)電,必須有電子導(dǎo)體與之相連接。因此,在使離子導(dǎo)體導(dǎo)電時,不可避免地會出現(xiàn)兩類導(dǎo)體相串聯(lián)的界面。即為了使電流能通過這類導(dǎo)體,往往將電子導(dǎo)體作為電極浸入離子導(dǎo)體中。當電流通過這類導(dǎo)體時,在電極與溶液的界面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng),與此同時,在電解質(zhì)溶液中正、負離子分別向兩極移動。
在離子導(dǎo)體中,離子參與導(dǎo)電與固體中的點缺陷密切相關(guān)。純凈固體中的點缺陷是本征缺陷,有弗侖克爾缺陷和肖特基缺陷兩類(見點缺陷),前者是空位和填隙原子,后者為單純的空位。它們的濃度決定于固體的平衡溫度以及缺陷的生成能。含有雜質(zhì)的固體還多出非本征點缺陷,如KCl晶體含有少量CaCl2時,Ca2 是二價離子,為了保持固體電中性,必須存在一個正離子空位(它帶一個負電荷),這種空位便是非本征點缺陷。
在外加電場作用下,離子固體中本征的和非本征的點缺陷都會對離子電導(dǎo)作貢獻。離子電導(dǎo)率σ與溫度T的關(guān)系,遵從阿倫尼烏斯定律:
式中σ0為常數(shù),Ea為電導(dǎo)微活能,k為玻耳茲曼常數(shù)。
固體中可動離子是陽離子的稱為陽離子導(dǎo)體,若是陰離子的則稱為陰離子導(dǎo)體。
多數(shù)離子導(dǎo)體中可運動的離子是很少的,因而離子電導(dǎo)率都不高。例如,食鹽(NaCl),室溫下離子電導(dǎo)率僅有10-15Ω-1·cm-1。
固體中除了本征缺陷外,還有由于異價雜質(zhì)的存在而產(chǎn)生的非本征缺陷。例如,在氟化鈣(CaF2)中,如果有三價金屬雜質(zhì)離子存在,就必定會形成相等數(shù)量的間隙氟離子,以實現(xiàn)電中性。這些本征的和非本征的點陣缺陷在外電場作用下都會進行長程運動,從而對離子電導(dǎo)率作出貢獻。
快離子導(dǎo)體也是一種離子導(dǎo)體,但具有不同于一般離子導(dǎo)體的特征。
離子導(dǎo)體主要有以下幾方面的應(yīng)用:
氧離子選擇電極(氧敏傳感器)可用作測量金屬熔體中的含氧量、氣體中的含氧量以及檢測與氧有關(guān)的其他物質(zhì)的濕度、真空度等。鈉離子選擇電極可測定合金中的鈉含量。銀離子選擇電極可測定AgNO3中的銀離子濃度。鹵素離子選擇電極可測氯、溴、碘的濃度。
可作庫侖計測量電量,還可用作微電路的積分元件、定時器、電開關(guān)等??勺隹勺冸娮杵?、電化學(xué)開關(guān)、電積分器、雙電層電容器等。
此外,利用Na 、Li 離子導(dǎo)體內(nèi)某些離子的氧化一還原著色效應(yīng)可制作對比度大、大面積顯示和記憶的電色顯示器。還可作電池隔膜材料。
可用作高比能全固態(tài)蓄電池的電解質(zhì),光電化學(xué)電池的電解質(zhì)和全固體電色顯示器的電解質(zhì)。