最左素短語
Left Prime Phrase
素短語特點:(1)是一個短語;(2)該短語至少含有一個終極符;(3)除自身外不含其它素短語
最左素短語:語法分析樹的最靠左的素短語2100433B
OVC是接高壓保護短接 OVC 與零線,如繼續(xù)出現(xiàn)故障,那就是主板不良,如不出現(xiàn)故障,查高壓開關(guān)是否導通 LPP是接低壓保護現(xiàn)在很多機都沒有這個保護 直接和零線短接就可以了
格力空調(diào)電路板上comp.ofh.ovc.lpp.ofl各代表什么
它們各代表的意思如下:COMP-代表壓縮機;OVC-代表壓力檢測;OFH-代表高風速;OFL-代表低風速;LPP-代表壓力檢測;拓展:空調(diào)器電路板原理簡介電路控制系統(tǒng)雖然復雜,但萬法歸一,所有品牌的空...
PPP模式即Public—Private—Partnership的字母縮寫,是指政府與私人組織之間,為了合作建設(shè)城市基礎(chǔ)設(shè)施項目,或是為了提供某種公共物品和服務,以特許權(quán)協(xié)議為基礎(chǔ),彼此之間形成一種伙...
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頁數(shù): 7頁
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目前海底管道的防腐層結(jié)構(gòu)主要有3LPE和FBE,但FBE因脆性較大而不單獨采用,而3LPE的長期使用溫度一般不超過70℃。為解決原油輸送溫度超過80℃的海底管道防腐問題,國外已成功地開發(fā)和應用了3LPP防腐層結(jié)構(gòu)。文章介紹了國內(nèi)海底管道3LPP防腐層的開發(fā)與應用的開創(chuàng)性工作,從3LPP原材料檢驗項目及性能指標的建立、原材料的篩選、涂敷試驗工藝參數(shù)、涂層性能檢測、3LPP在文昌油田群海底管道工程上的應用等方面對其進行了論述。
雖然32nm,22/20nm節(jié)點上已經(jīng)基于193nm液浸式光刻系統(tǒng)的雙重成像(double patterning)技術(shù)。但是走向更小節(jié)點時,EUV仍是業(yè)者關(guān)注的焦點。光源是光刻機上最重要的組成部分之一,光源的能量、穩(wěn)定性、壽命等在某種程度上影響著光刻技術(shù)的發(fā)展,光源的質(zhì)量更是舉足輕重的,所以很多大廠家都把EUV光刻的期望寄托在LPP光源上。 2100433B
二氧化碳激光脈沖經(jīng)過放大、整形并對焦后,進入激光激發(fā)等離子型真空室。激光脈沖非常精準地擊射在由液態(tài)錫滴產(chǎn)生器所產(chǎn)生的液態(tài)錫滴上。具有高度激發(fā)物質(zhì)的等離子前導波在二氧化碳激光脈沖與液態(tài)錫滴作用的區(qū)域輻射出13.5nm光子超紫外線。專為13.5nm波長所設(shè)計的多層鍍膜反射鏡集光器收集背向輻射光源,并將光源導向位于光源輸出端的中間焦點位置,以做為掃描式光刻機曝光光源。
盡管當前最新的一代移動芯片仍基于 10 納米工藝制程,但三星宣布早已經(jīng)準備好了 7 納米 LPP 工藝,2018 年下半年就可以基于此全新工藝生產(chǎn)更小、更低功率的芯片。
三星是在其一年一度的 Samsung Foundry Forum 會議上宣布的消息,并且三星還聲稱自家的 7 納米工藝全球首次使用了先進的 EUV 光刻解決方案。同時,三星在補充發(fā)言中提到,“Key IP”將在 2019 年上半年實現(xiàn)交付,這就意味著某個客戶的處理器芯片已經(jīng)向三星下訂單了,明年就能交付。
不過,今年年底之前可能會有基于三星 7 納米工藝芯片的手機亮相嗎?可能性或許不大,雖然高通新一代芯片驍龍 855 也將交給三星負責生產(chǎn),但不要指望今年立馬發(fā)布然后大規(guī)模量產(chǎn),即便量產(chǎn)可能也要等到今年的第四季度末。
當然了,三星的 7 納米工藝面對外開放代工,任何芯片廠商都有可能下單,包括自家的 Exynos 芯片。只不過,一些廠商的 7 納米芯片可能更早運用到產(chǎn)品中,例如華為海思的麒麟芯片以及蘋果的 A 系芯片。此前一直有消息稱,華為即將發(fā)布的麒麟 980 芯片將基于 7 納米工藝生產(chǎn),而且就在下半年亮相,同時蘋果的 A12 目前似乎已經(jīng)開始試產(chǎn),這些臺積電代工的 7 納米芯片,均有可能比三星更早進入市場。
無論如何,伴隨著更先進的工藝制程,移動芯片的尺寸會不斷縮小,并且提供更好的持續(xù)性能和更長的續(xù)航時間。那么,在 7 納米之后,芯片下一代工藝制程又將是什么呢?三星率先回答了這一問題。
三星在 Samsung Foundry Forum 上再次重申了自家 5 納米、4 納米和 3 納米制程的計劃。其中,4 納米工藝仍會使用現(xiàn)有的 FinFET 制造技術(shù),這一制造技術(shù)在高通驍龍 845 和三星 Exynos 旗艦芯片中均有使用。但到了 3 納米工藝結(jié)點,三星便開始拋棄 FinFET 技術(shù),轉(zhuǎn)而采用 GAA 納米技術(shù)。
其實這些工藝制程技術(shù)對于一般手機用戶并不意味著什么,三星只是告訴我們現(xiàn)有的工藝技術(shù)可能還會延續(xù)幾代產(chǎn)品,而對于未來更先進更小的工藝制程,則可能需要一些新的技術(shù)。那么,這些新的工藝制程又何時問世呢?如果三星的線路圖不變的話,三星會在 2019 年生產(chǎn) 5 納米芯片,2020 年生產(chǎn) 4 納米芯片,2021 年生產(chǎn) 3 納米芯片。