漏泄通訊裝置是專門用于礦井、人防等地下工程的無線電移動通訊,在瓦斯、煤塵和變頻設(shè)備眾多的環(huán)境中仍可使用。tdaf001tiandun漏泄通訊裝置特點可實現(xiàn)井上絞車司機及指揮調(diào)度人員與井下機車維修人員及...
呃?建議你去店里自己買一根?syv75-3的線?然后買一個bnc頭?然后自己做一個bnc頭你就知道了,比看書生動一百倍。? 從里到外依次是?銅導(dǎo)線根據(jù)粗細(xì)的不同有75-3?75-5?75-7?75-9...
閥門是有專門的泄露等級標(biāo)準(zhǔn)的如:ASNI FCI 70-2;ASME B16.34;API598;API6D;GB/T4213等等根據(jù)應(yīng)用場合 的不同參照不同的標(biāo)準(zhǔn)。
格式:pdf
大?。?span id="btdvs1j" class="single-tag-height">75KB
頁數(shù): 未知
評分: 4.5
在VHF和UHF頻帶移動體無線通信用漏泄電纜中,漏泄同軸電纜(以下簡稱 LCX)因具有良好的特性而得到了廣泛應(yīng)用,目前又研制了一種對絞型漏泄電纜作為簡易無線通信用,其特性與LCX幾乎相同,現(xiàn)予以報導(dǎo)。電纜的結(jié)構(gòu)如圖1(略)所示,將絕緣銅線以最適合在150~250 MHz下使用的節(jié)距絞合,然后加PVC護(hù)套,與LCX相比,直徑細(xì)而重量輕。
格式:pdf
大?。?span id="rxhdwys" class="single-tag-height">75KB
頁數(shù): 2頁
評分: 4.5
隨著移動用戶和高層住宅的不斷增加,電梯內(nèi)的話務(wù)密度以及對覆蓋要求也日益提高。本文主要介紹了漏纜的特性、漏纜的分類、使用漏纜進(jìn)行電梯覆蓋的優(yōu)勢等,論述了漏纜在電梯覆蓋應(yīng)用中的可行性。
耦合損耗是漏泄電纜區(qū)別于普通的通信電纜的一個重要指標(biāo),它是表征漏泄電纜與外界環(huán)境之間相互耦合強度的特征參數(shù)。耦合損耗測量方法在IEC61196 -4和GB/T17737.4同軸通信電纜第4部分:輻射電纜分規(guī)范中有明確規(guī)定,其定義如下:
Lc=10lg(Pt/Pr)
式中:
Lc——耦合損耗,dB;
Pt——漏泄電纜內(nèi)的傳輸功率,W;
Pr——標(biāo)準(zhǔn)偶極子天線的接收功率,W。
由于某一處漏泄電纜內(nèi)的傳輸功率等于電纜輸入功率減電纜輸入端到該處的功率衰減,因此,局部耦合損耗αc(z)計算公式如下:
αc(z)=Ne-(α×z)-Nr(z)
式中:
αc(z)——局部耦合損耗,單位dB;
Ne ——電纜輸入端的電平,單位dBm;
Nr(z) ——天線處的接收電平,單位dBm;
α——電纜的衰減常數(shù),單位dB/km;
z——電纜輸入端到天線處的距離,單位km。
測得的耦合損耗可由αc50和αc95兩個典型值來表征,αc50耦合損耗指50%接收概率,即50%測得的局部耦合損耗小于該值;αc95耦合損耗指95%接收概率,即95%測得的局部耦合損耗小于該值。
在IEC61196-4和GB/T17737.4標(biāo)準(zhǔn)中,電纜長度至少要10倍于測量頻率下的波長,同時為確保測量有效,必須要有足夠的位置分辨率標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,在95%接收概率時,每半波長要進(jìn)行10次測量來計算耦合損耗。因此耦合損耗的測量依靠人工是不可能實現(xiàn)的,必須借助計算機和自動測量系統(tǒng)。2100433B
光纖的傳輸損耗特性是決定光網(wǎng)絡(luò)傳輸距離、傳輸穩(wěn)定性和可靠性的最重要因素之一。光纖傳輸損耗的產(chǎn)生原因是多方面的,在光纖通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)和維護(hù)中,最值得關(guān)注的是光纖使用中引起傳輸損耗的原因以及如何減少這些損耗。光纖使用中引起的傳輸損耗主要有接續(xù)損耗(光纖的固有損耗、熔接損耗和活動接頭損耗)和非接續(xù)損耗(彎曲損耗和其它施工因素和應(yīng)用環(huán)境所造成的損耗)兩類。
光纖的傳輸損耗特性是決定光網(wǎng)絡(luò)傳輸距離、傳輸穩(wěn)定性和可靠性的最重要因素之一。光纖傳輸損耗的產(chǎn)生原因是多方面的,在光纖通信網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)和維護(hù)中,最值得關(guān)注的是光纖使用中引起傳輸損耗的原因以及如何減少這些損耗。光纖使用中引起的傳輸損耗主要有接續(xù)損耗(光纖的固有損耗、熔接損耗和活動接頭損耗)和非接續(xù)損耗(彎曲損耗和其它施工因素和應(yīng)用環(huán)境所造成的損耗)兩類。
產(chǎn)生損耗的原因主要是:
(1) 材料的吸收損耗,包括纖芯和包層的物質(zhì)吸收
(2) 材料(或物質(zhì))的散射,也包括纖芯和包層。
(3) 波導(dǎo)散射,即交界面隨機的畸變或粗糙所產(chǎn)生的散射。
(4) 波導(dǎo)彎曲所產(chǎn)生的輻射損耗。
(5) 外套損耗。
1、 材料的吸收損耗
材料吸收所產(chǎn)生的損耗是重要的損耗。早期的水平是1000~4000db/km,發(fā)現(xiàn)幾乎所有的損耗都是來源于材料吸收。材料吸收又有多種原因:
(1) 物質(zhì)本征吸收:由原子躍遷(電子吸收)所產(chǎn)生:紅外8-12μm,紫外拖尾0.7-1.1μm。
(2) 過度族金屬離子吸收:鐵,鉆,銅,鉻等吸收峰和吸收帶也隨他們的價狀態(tài)不同而不同。
(3) OH-離子吸收:在熔融石英玻璃里OH-的吸收帶在0.72,0.95,1.4μm的范圍里。
(4) 原子缺陷吸收:由于加熱過程:4價Ti-3價由于強烈的輻射,玻璃材料會受激而產(chǎn)生原子的缺陷而產(chǎn)生損耗。
2、 物質(zhì)的散射損耗
物質(zhì)內(nèi)部的散射,會減小傳輸功率,產(chǎn)生損耗。
本征散射:(物質(zhì)散射中最重要的)它是使波導(dǎo)衰減不能太小的基本限制之一。
非線性散射:物質(zhì)在強場作用下,也會誘發(fā)出對入射波的散射。(拉布散射、布里淵散射)
瑞利散射:密度不均勻或者內(nèi)應(yīng)力不均勻就引起折射率不均勻,從而產(chǎn)生散射。這種不均勻度與波長相比是小尺寸的。瑞利散射與波長λ的四次方成反比。
摻雜不均勻引起的散射:也屬于物質(zhì)的本征散射。
濃度的不均勻性的散射:所用玻璃種有些含有幾種氧化物,以改變折射率。而氧化物濃度的不均勻性或起伏,也會引起散射,產(chǎn)生損耗。一般而言,折射率的起伏是未知的,所以因之而產(chǎn)生的損耗(或散射)是不能計算的。反過來,倒是可以利用散射損耗去得出折射率的起伏。對于典型的高硅玻璃,濃度不均勻的散射損耗占總散射損耗的25%。
3、 波導(dǎo)散射損耗
(1) 由于拉制纖維時的不良性,造成纖維尺寸沿軸線起伏,如粗細(xì)不勻,截面形狀變化等,這種不均勻性同樣將引起光的散射。另外,纖芯和包層界面的不光滑、污染等,也將造成嚴(yán)重的散射損耗。
(2) 模式變換而產(chǎn)生了附加的損耗,這種附加的損耗就是波導(dǎo)散射損耗。
很多人曾經(jīng)推導(dǎo)了薄膜波導(dǎo)和圓柱波導(dǎo)的這種模式耦合效應(yīng),并舉例作了計算。例如對薄膜波導(dǎo),如果厚度為5μm,折射率差Δ=1%,交界面的偏離均方根值為0.9nm,每千米將產(chǎn)生10dBd的輻射損耗。
4、 光纖彎曲產(chǎn)生的輻射
光纖彎曲是一個復(fù)雜的理論問題,電磁波在彎曲部分傳輸時,越靠外面的速度越大,到一定地點,相速等于所在物質(zhì)里的光速。
5、 外套損耗
串話:纖芯里的波導(dǎo)和輻射波的電磁場都要進(jìn)入到包層。在寶成外圈,電磁場并沒有消失,還要伸展到外面去,這就要與臨近的光纖耦合。
為了避免串話,包層外面需要再套一層衰減大的套子,把進(jìn)入套子的電磁場消滅掉。
這樣,物質(zhì)吸收損耗就有三部分,即纖芯里、包層里和外套里的損耗,它們各不相等。對每一個模式又不相同,這是由于功率分配不同的緣故。