MOS控制晶閘管是由MOSFET和晶閘管復(fù)合而成的一種電力電子器件,它的輸人極由MOS管控制,故屬場(chǎng)控器件。
MOS控制晶閘管概述
直流電樞繞組分疊繞組、波繞組和蛙繞組3種。每個(gè)線圈的兩個(gè)出線端連接到換向器的兩個(gè)換向片上,兩者在換向器圓周表面上相隔的距離稱(chēng)為換向器節(jié)距,用Ys表示。不同形式的繞組具有不同的換向器節(jié)距。
有單疊繞組和復(fù)疊繞組之分。單疊繞組是將同一磁極下相鄰的線圈依次串聯(lián)起來(lái) ,構(gòu)成一條并聯(lián)支路,所以對(duì)應(yīng)一個(gè)磁極就有一條并聯(lián)支路。單疊繞組的基本特征是并聯(lián)支路數(shù)等于磁極數(shù)。各條支路間通過(guò)電刷并聯(lián)。單疊繞組線圈的換向器節(jié)距Ys=1。Ys>1者稱(chēng)復(fù)疊繞組。比較常用的是Ys=2的復(fù)疊繞組,又稱(chēng)雙疊繞組。雙疊繞組在一個(gè)磁極下有兩條并聯(lián)支路。例如一臺(tái)四極直流電機(jī),采用雙疊繞組時(shí),共有8條并聯(lián)支路。各條支路間也是通過(guò)電刷并聯(lián)。電刷組數(shù)等于電機(jī)的極數(shù)。其中一半為正電刷組,另一半為負(fù)電刷組。疊繞組的并聯(lián)支路數(shù)較多,它等于極數(shù)或?yàn)闃O數(shù)的整倍數(shù),所以又叫并聯(lián)繞組。
其驅(qū)動(dòng)電路比GTO的驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單;通態(tài)壓降與SCR相當(dāng),比IGBT和GTR都低。MCT具有高電壓、大電流高輸入阻抗低驅(qū)動(dòng)功率、低通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)速度快以及開(kāi)關(guān)損耗小等特點(diǎn)。另外,MCT承受di/dt和du/dt的能力極高,可使其保護(hù)電路得以簡(jiǎn)化。 2100433B
一、作用:可控的導(dǎo)電開(kāi)關(guān),與二極管相比,不同之處是正向?qū)ㄊ卓刂茦O電流控制。二、什么是晶閘管:晶閘管導(dǎo)通條件為:加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管...
電氣設(shè)備產(chǎn)品像控制柜一般來(lái)說(shuō)沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)的價(jià)格,電氣控制柜價(jià)格價(jià)格都是和實(shí)際產(chǎn)品要求及配制而定,比如元器件采用國(guó)產(chǎn)和進(jìn)口產(chǎn)品,價(jià)格就會(huì)相差很大,好幾倍都有的,所以想知道價(jià)格廠家圖紙?,他們都能報(bào)出比較準(zhǔn)確...
控制板價(jià)格會(huì)因?yàn)椴馁|(zhì)、制作工藝的不同而有所不同。價(jià)格一般在80-300元之間。價(jià)格來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)僅供參考。希望我的回答可以幫到您。
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PHC管樁產(chǎn)品介紹
?MCT(MOS Controlled Thyristor)是將MOSFET與晶閘管組合而成的復(fù)合型器件。MCT將MOSFET的高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率、快速的開(kāi)關(guān)過(guò)程和晶閘管的高電壓大電流、低導(dǎo)通壓降的特點(diǎn)結(jié)合起來(lái),也是Bi-MOS器件的一種。一個(gè)MCT器件由數(shù)以萬(wàn)計(jì)的MCT元組成,每個(gè)元的組成為:一個(gè)PNPN晶閘管,一個(gè)控制該晶閘管開(kāi)通的MOSFET,和一個(gè)控制該晶閘管關(guān)斷的MOSFET。
MCT具有高電壓、大電流、高載流密度、低通態(tài)壓降的特點(diǎn)。其通態(tài)壓降只有GTR的1/3左右,硅片的單位面積連續(xù)電流密度在各種器件中是最高的。另外,MCT可承受極高的di/dt和du/dt,使得其保護(hù)電路可以簡(jiǎn)化。MCT的開(kāi)關(guān)速度超高GTR,開(kāi)關(guān)損耗也小。
總之,MCT曾一度被認(rèn)為是一種最有發(fā)展前途的電力電子器件。因此,20世紀(jì)80年代以來(lái)一度成為研究的熱點(diǎn)。但經(jīng)過(guò)十多年的努力,其關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題沒(méi)有大的突破,電壓和電流容量都遠(yuǎn)未達(dá)到預(yù)期的數(shù)值,未能投入實(shí)際應(yīng)用。而其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手IGBT卻進(jìn)展飛速,所以,目前從事MCT研究的人不是很多。
由于采用光觸發(fā)保證了住電路與控制電路之間的絕緣,而且可以避免電磁干擾的影響,因此光控晶閘管目前在高壓大功率的場(chǎng)合,如高壓直流輸電和倒牙核聚變裝置中,占據(jù)重要的地位。
晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱(chēng),又被稱(chēng)做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅;1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)極,陰極和控制極; 晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。
控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管,總是在靠近控制極的陰極區(qū)域首先導(dǎo)通,然后逐漸向外擴(kuò)展,直到整個(gè)面積導(dǎo)通。大面積的晶閘管需要50~100微秒以上才能全面積導(dǎo)通。初始導(dǎo)通面積小時(shí),必須限制初始電流的上升速度,否則將發(fā)生局部過(guò)熱現(xiàn)象,影響元件的性能,甚至燒壞。高頻工作時(shí)這種現(xiàn)象更為嚴(yán)重。為此,仿造了集成電路的方法,在晶閘管同一硅片上做出一個(gè)放大觸發(fā)信號(hào)用的小晶閘管。控制極觸發(fā)小晶閘管后,小晶閘管的初始導(dǎo)通電流將橫向經(jīng)過(guò)硅片流向主晶閘管陰極,觸發(fā)主晶閘管。從而實(shí)際強(qiáng)觸發(fā),加速了元件的導(dǎo)通,提高了耐電流上升率的能力。