品質(zhì)因數(shù)(Q因數(shù))
quality factor
電學(xué)和磁學(xué)的量。表示一個(gè)儲(chǔ)能器件(如電感線圈、電容等)、諧振電路中所儲(chǔ)能量同每周期損耗能量之比的一種質(zhì)量指標(biāo);串聯(lián)諧振回路中電抗元件的Q值等于它的電抗與其等效串聯(lián)電阻的比值;元件的Q值愈大,用該元件組成的電路或網(wǎng)絡(luò)的選擇性愈佳。
中文名稱 | 品質(zhì)因數(shù) | 外文名稱 | quality factor |
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公????式 | Q=無(wú)功功率/有功功率 | 類????屬 | 電學(xué)和磁學(xué)的量 |
品質(zhì)因數(shù)基本簡(jiǎn)介
品質(zhì)因數(shù)(Q因數(shù))
quality factor
電學(xué)和磁學(xué)的量。表征一個(gè)儲(chǔ)能器件(如電感線圈、電容等)、諧振電路中所儲(chǔ)能量同每周期損耗能量之比的一種質(zhì)量指標(biāo);電抗元件的Q值等于它的電抗與其等效串聯(lián)電阻的比值;元件的Q值愈大,用該元件組成的電路或網(wǎng)絡(luò)的選擇性愈佳。
①根據(jù)工作頻率選擇繞制線圈的導(dǎo)線。低頻段工作的電感線圈應(yīng)采用漆包線等帶絕緣的導(dǎo)線繞制。對(duì)于工作頻率在幾十千赫至兩兆赫之間的電感線圈,應(yīng)采用多股絕緣導(dǎo)線繞制,以增加導(dǎo)體有效截面積,減少集膚效應(yīng)的影響,可使Q值提高30%-40%。對(duì)于工作頻率高于2MHz的電感線圈,應(yīng)采用單股粗導(dǎo)線繞制,導(dǎo)線的直徑一般在0.3-1.5mm之間。
②選用優(yōu)質(zhì)骨架,減少介質(zhì)損耗。通常對(duì)于要求損耗小、工作頻率高的電感線圈,應(yīng)選用高頻陶瓷、聚四氟乙烯、聚苯乙烯等高頻介質(zhì)材料做骨架。對(duì)于超高頻工作的電感線圈,可用無(wú)骨架方式繞制。
③選用帶有磁心的電感線圈。電感線圈中帶有磁心時(shí),可使線圈圈數(shù)及其電阻大大減少,有利于Q值的提高。
④合理選擇屏蔽罩的尺寸。線圈加屏蔽罩后,會(huì)增加線圈的損耗,降低Q值。因此,屏蔽罩的尺寸不宜過大和過小。一般來說,屏蔽罩直徑與線圈直徑之比以1.6-2.5為宜,這樣可使Q值降低小于10%。 ? ?
對(duì)于無(wú)輻射系統(tǒng),如Z=R+jX,則Q =|X|/R。SI單位:1(一)。
Q=無(wú)功功率/有功功率
諧振回路的品質(zhì)因數(shù)為諧振回路的特性阻抗與回路電阻之比。
在串聯(lián)電路中,電路的品質(zhì)因數(shù)Q有兩種測(cè)量方法,一是根據(jù)公式 Q=UL/U0=Uc/U0測(cè)定,Uc與UL分別為諧振時(shí)電容器C與電感線圈L上的電壓;另一種方法是通過測(cè)量諧振曲線的通頻帶寬度△f=f2-f1,再根據(jù)Q=f0/(f2-f1)求出Q值。式中f0為諧振頻率,f2與f1是失諧時(shí),亦即輸出電壓的幅度下降到最大值的1/√2(=0.707)倍時(shí)的上、下頻率點(diǎn)。Q值越大,曲線越尖銳,通頻帶越窄,電路的選擇性越好。在恒壓源供電時(shí),電路的品質(zhì)因數(shù)、選擇性與通頻帶只決定于電路本身的參數(shù),與信號(hào)源無(wú)關(guān)。
1是一串聯(lián)諧振電路,它由電容C、電感L和由電容的漏電阻與電感的線電阻R所組成。此電路的復(fù)數(shù)阻抗Z為三個(gè) 元件的復(fù)數(shù)阻抗之和。
Z=R+jωL+(-j/ωC)=R+j(ωL-1/ωC) ⑴
上式電阻R是復(fù)數(shù)的實(shí)部,感抗與容抗之差是復(fù)數(shù)的虛部,虛部我們稱之為電抗用X表示, ω是外加信號(hào)的角頻率。當(dāng)X=0時(shí),電路處于諧振狀態(tài),此時(shí)感抗和容抗相互抵消了,即式⑴中的虛部為零,于是電路中的阻抗最小。因此電流最大,電路此時(shí)是一個(gè)純電阻性負(fù)載電路,電路中的電壓與電流同相。電路在諧振時(shí)容抗等于感抗,所以電容和電感上兩端的電壓有效值必然相等,電容上的電壓有效值UC=I*1/ωC=U/ωCR=QU 品質(zhì)因素Q=1/ωCR,這里I是電路的總電流。
電感上的電壓有效值UL=ωLI=ωL*U/R=QU 品質(zhì)因素Q=ωL/R
因?yàn)椋篣C=UL 所以Q=1/ωCR=ωL/R
電容上的電壓與外加信號(hào)電壓U之比UC/U= (I*1/ωC)/RI=1/ωCR=Q
感上的電壓與外加信號(hào)電壓U之比UL/U= ωLI/RI=ωL/R=Q
從上面分析可見,電路的品質(zhì)因素越高,電感或電容上的電壓比外加電壓越高。
電路的選擇性:圖1電路的總電流I=U/Z=U/[R2+(ωL-1/ωC)2]1/2=U/[R2+(ωLω0/ω0-ω0/ωCω0)2]1/2 ω0是電路諧振時(shí)的角頻率。當(dāng)電路諧振時(shí)有:ω0L=1/ω0C
所以I=U/{R2+[ω0L(ω/ω0-ω0/ω)]2}1/2= U/{R2+[R2(ω0L/R)2](ω/ω0-ω0/ω)2}1/2= U/R[1+Q2(ω/ω0-ω0/ω)2]1/2
因?yàn)殡娐分C振時(shí)電路的總電流I0=U/R,
所以I=I0/[1+Q2(ω/ω0-ω0/ω)2]1/2有:I/I0=1/[1+Q2(ω/ω0-ω0/ω)2]1/2作此式的函數(shù)曲線。設(shè)(ω/ω0-ω0/ω)2=Y
曲線如圖2所示。這里有三條曲線,對(duì)應(yīng)三個(gè)不同的Q值,其中有Q1>Q2>Q3。從圖中可看出當(dāng)外加信號(hào)頻率ω偏離電路的諧振頻率ω0時(shí), I/I0均小于1。Q值越高在一定的頻偏下電流下降得越快,其諧振曲線越尖銳。也就是說電路的選擇性是由電路的品質(zhì)因素Q所決定的,Q值越高選擇性越好。
數(shù)字電橋里什么是品質(zhì)因數(shù)Q和損耗值D
Q-D雙臂電橋用來測(cè)量低電阻,因電橋已將電表內(nèi)阻對(duì)電路影響消除,而在測(cè)低阻值電阻時(shí)要將導(dǎo)線電阻與接觸電阻對(duì)電路影響減小,因而對(duì)電橋改進(jìn)成開爾文雙臂電橋。因?yàn)闆]圖實(shí)在沒辦法說明原理,僅能對(duì)你的問題作定性...
內(nèi)功率因數(shù)角,功率因數(shù)角,功率角各是指什么
1、內(nèi)功率因數(shù)角與電機(jī)參數(shù)及負(fù)載有關(guān)。內(nèi)功率因數(shù)角,即勵(lì)磁電勢(shì)E0與電樞電流之間的時(shí)間相位角,記為Ψ。2、功率因數(shù)角是電壓相量和電流相量初相角的差值。對(duì)發(fā)電機(jī)而言,存在兩個(gè)功率因數(shù)角:內(nèi)功率因數(shù)角y和...
電腦功率的大概的計(jì)算方法大家都有自己的電腦,可是少有網(wǎng)友對(duì)自己的電腦功率一清二楚,尤其是對(duì)于自組裝電腦的電源選擇,一般都是根據(jù)商家的建議,選個(gè)350W或400W的電源規(guī)格,或者更大,都清楚大了沒問題,...
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評(píng)分: 4.4
以環(huán)氧樹脂為基體,以經(jīng)退火的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶粉體為增強(qiáng)材料,制備了樹脂基磁性復(fù)合材料,并研究了磁粉種類、非晶粉體粒徑、非晶粉體退火條件、納米晶粉體含量及復(fù)合材料退火條件對(duì)復(fù)合材料的品質(zhì)因數(shù)的影響。結(jié)果表明,以經(jīng)550℃×0.5h退火的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9納米晶粉體為組元的品質(zhì)因數(shù)最小;隨著納米晶粉體含量的增加,復(fù)合材料的品質(zhì)因數(shù)減小;對(duì)復(fù)合材料進(jìn)行退火處理可以使其品質(zhì)因數(shù)減小。
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評(píng)分: 4.4
(1) 用 100kVA功率因數(shù)為 0.8 的 UPS,帶功率因數(shù)為 0.6 的感性負(fù)載 , 能帶多少 ?如負(fù)載是 40kVA,現(xiàn)增加一倍還能夠用嗎 ? 首先 ,計(jì)算 UPS在各種負(fù)載下的輸出能力時(shí) ,應(yīng)先確定 UPS的品種 ,向廠家索要該 UPS的相關(guān) 數(shù)據(jù) , 再進(jìn)行計(jì)算。但在此問題中 ,因感性負(fù)載是小于額定情況下的功率因數(shù) , 一般 UPS的輸出仍 能維持為 100%的額定容量?,F(xiàn)用一個(gè)著名的德國(guó)品牌 UPS的數(shù)據(jù)為例來計(jì)算。由表 1 可知 ,感性 負(fù)載功率因數(shù)小于額定情況下的 0.8 時(shí) ,輸出功率仍為額定值。 當(dāng) UPS的 S=100kVA、cosφ=0.8 時(shí),P=80kW; Q=60kVAR。 當(dāng) UPS為 S=100kVA、cosφ=0.6 時(shí) ,則 S=100kVA;P=60kW;Q=80kVAR。 若負(fù)載為 40kVA,cosφ=0.6,則 S=40kVA; P=24k
定義介紹
電學(xué)品質(zhì)因數(shù)electrical quality factor任何電介質(zhì),包括 壓電陶瓷在內(nèi),當(dāng)它處在電場(chǎng)中,尤共是交變電場(chǎng)中長(zhǎng)期工 作,都或多或少地有發(fā)熱現(xiàn)象產(chǎn)生.這說明介質(zhì)內(nèi)部發(fā)生了 某種能量的耗散,這就是介質(zhì)損耗。換言之,介質(zhì)損耗越少, 材料的電學(xué)品質(zhì)因數(shù)(Q〔、)就越ni囚此電學(xué)品質(zhì)因數(shù)和介 質(zhì)}f i耗角正切使一樣是表征介質(zhì)品質(zhì)的一個(gè)重要指標(biāo),旦兩 者互成倒數(shù)。 2100433B
定義解釋
Qm 產(chǎn)生的本質(zhì)與表征:
機(jī)械品質(zhì)因數(shù) Qm 值表征壓電體在諧振時(shí)因克服內(nèi)摩擦而消耗的能量,它定義為:
Qm = 2 π(諧振時(shí)振子儲(chǔ)存的機(jī)械能量/諧振每周振子機(jī)械損耗的能量)
由此可知 ,機(jī)械品質(zhì)因數(shù) Qm 值反映壓電材料的機(jī)械損耗的大小 , 機(jī)械損耗越小 , Qm 值越大。
在實(shí)際計(jì)算材料的 Qm 值時(shí) ,對(duì)于壓電振子的等效電路圖 ,采用下面近似公式:
Qm = 1/ 4 π( C0 C1) R1 Δf
式中 C0 為壓電振子的靜態(tài)電容 , R1 為振子諧振時(shí)的等效電阻 , C1 為振子的動(dòng)態(tài)電容 , Δf 是振子的諧振
頻率 f r 與反諧振頻率 f a 之差. 一般采用傳輸線路法 , 測(cè)得Δf 、 R1等 , 然后計(jì)算 Qm 值。
理論上從材料配比與摻雜改性進(jìn)行研究 ,實(shí)踐上從工藝方面進(jìn)行改進(jìn) ,是能夠調(diào)整壓電陶瓷材料的
Qm 值 ,改善其溫度穩(wěn)定性 ,從而使壓電陶瓷材料獲得更為廣泛的應(yīng)用的有效方法。
濾波器品質(zhì)因數(shù),用濾波器的中心頻率F(單位HZ)與-3dB帶寬B(單位HZ)的比值來表達(dá),,即Q=F/B,描述了濾波器分離信號(hào)中相鄰頻率成分能力。
品質(zhì)因數(shù)Q越大,表明濾波器的分辨能力越高。2100433B