普通晶閘管的保護(hù)措施

普通晶閘管的主要缺點(diǎn):過(guò)流、過(guò)壓能力很差。普通晶閘管的熱容量很小:一旦過(guò)流，溫度急劇上升，器件被燒壞。 普通晶閘管承受過(guò)電壓的能力極差:電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間極短，也容易損壞。正向電壓超過(guò)轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，會(huì)產(chǎn)生誤導(dǎo)通，導(dǎo)通后的電流較大，使器件受損。 一、過(guò)流保護(hù)措施 快速熔斷器:電路中加快速熔斷器。 過(guò)流繼電器:在輸出端串接直流過(guò)電流繼電器 過(guò)流截止電路:利用電流反饋減小普通晶閘管的 導(dǎo)通角或停止觸發(fā)，從而切斷過(guò)流電路。 二、過(guò)壓保護(hù) 阻容吸收:利用電容吸收過(guò)壓。即將過(guò)電壓的能量變成電場(chǎng)能量?jī)?chǔ)存到電容中，然后由電阻消耗掉。 硒整流堆:硒堆為非線性元件，過(guò)壓后迅速擊穿，其電阻減小，抑制過(guò)壓沖擊。高電壓過(guò)后，硒堆可恢復(fù)到擊穿前的狀態(tài)。

1. udrm:斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 晶閘管耐壓值。普通晶閘管udrm 為 100v---3000v 2. urrm:反向重復(fù)峰值電壓 控制極斷路時(shí)，可以重復(fù)作用在晶閘管上的反向重復(fù)電壓。普通晶閘管一般取urrm為100v--3000v) 3. itav:通態(tài)平均電流 環(huán)境溫度為40。c時(shí),在 電阻性負(fù)載、單相工頻 正弦半波、導(dǎo)電角不小于170o的電路中，晶閘管允許的最大通態(tài)平均電流。普通晶閘管 itav 為1a---1000a。) 4. utav :通態(tài)平均電壓 管壓降。在規(guī)定的條件下，通過(guò)正弦半波平均電流時(shí)，晶閘管陽(yáng)、 陰兩極間的電壓平均值。一般為1v左右。 5. ih:最小維持電流 在室溫下，控制極開(kāi)路、晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后，維持導(dǎo)通狀態(tài)所必須的最小電流。一般為幾十到一百多毫安。 6. ug、ig:控制極觸發(fā)電壓和電流 在室溫下， 陽(yáng)極電壓為直流 6v 時(shí)，使晶閘管完全導(dǎo)通所必須的最小控制極直流電壓、電流 。一般ug為 1~5v，ig 為幾十到幾百毫安。

普通晶閘管t在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極a和陰極k與電源和負(fù)載連接，組成普通晶閘管的主電路，普通晶閘管的門(mén)極g和陰極k與控制普通晶閘管的裝置連接，組成普通晶閘管的控制電路。 普通晶閘管的工作條件: 1. 普通晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門(mén)極承受何種電壓，普通晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。 2. 普通晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，僅在門(mén)極承受正向電壓的情況下普通晶閘管才導(dǎo)通。 3. 普通晶閘管在導(dǎo)通情況下，只要有一定的正向陽(yáng)極電壓，不論門(mén)極電壓如何，普通晶閘管保持導(dǎo)通，即普通晶閘管導(dǎo)通后，門(mén)極失去作用。 4. 普通晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時(shí)，普通晶閘管關(guān)斷。

晶閘管按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管(SCR)、雙向晶閘管(TRIAC)、逆導(dǎo)晶閘管(RCT)、門(mén)極關(guān)斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管(TT國(guó)外，TTS國(guó)內(nèi))和光控晶閘管(LTT)等多種。

晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。

晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類(lèi)型。其中，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管、中功率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用陶瓷封裝，而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝。

晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管，快速晶閘管包括所有專(zhuān)為快速應(yīng)用而設(shè)計(jì)的晶閘管，有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管，可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中。(備注:高頻不能等同于快速晶閘管)