蝕刻技術(shù)濕式蝕刻的優(yōu)缺點

低成本、高可靠性、高產(chǎn)能及優(yōu)越的蝕刻選擇比。但相對于干式蝕刻，除了無法定義較細(xì)的線寬外，濕式蝕刻仍有以下的缺點：1) 需花費(fèi)較高成本的反應(yīng)溶液及去離子水；2) 化學(xué)藥品處理時人員所遭遇的安全問題；3) 光阻附著性問題；4) 氣泡形成及化學(xué)蝕刻液無法完全與晶圓表面接觸所造成的不完全及不均勻的蝕刻；5) 廢氣及潛在的爆炸性。

濕式蝕刻過程可分為三個步驟：1) 化學(xué)蝕刻液擴(kuò)散至待蝕刻材料之表面；2) 蝕刻液與待蝕刻材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)； 3) 反應(yīng)后之產(chǎn)物從蝕刻材料之表面擴(kuò)散至溶液中，并隨溶液排出(3)。三個步驟中進(jìn)行最慢者為速率控制步驟，也就是說該步驟的反應(yīng)速率即為整個反應(yīng)之速率。

大部份的蝕刻過程包含了一個或多個化學(xué)反應(yīng)步驟，各種形態(tài)的反應(yīng)都有可能發(fā)生，但常遇到的反應(yīng)是將待蝕刻層表面先予以氧化，再將此氧化層溶解，并隨溶液排出，如此反復(fù)進(jìn)行以達(dá)到蝕刻的效果。如蝕刻硅、鋁時即是利用此種化學(xué)反應(yīng)方式。

蝕刻技術(shù)是利用特定的溶液與薄膜間所進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)來去除薄膜未被光阻覆蓋的部分，而達(dá)到蝕刻的目的，這種蝕刻方式也就是所謂的濕式蝕刻。因為濕式蝕刻是利用化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行薄膜的去除，而化學(xué)反應(yīng)本身不具方向性，因此濕式蝕刻過程為等向性，一般而言此方式不足以定義3微米以下的線寬，但對于3微米以上的線寬定義濕式蝕刻仍然為一可選擇采用的技術(shù)。

其基本原理是利用化學(xué)感光材料的光敏特性, 在基體金屬基片兩面均勻涂敷感光材料采用光刻方法, 將膠膜板上柵網(wǎng)產(chǎn)顯形狀精確地復(fù)制到金屬基片兩面的感光層掩膜上通過顯影去除未感光部分的掩膜, 將裸露的金屬部分在后續(xù)的加工中與腐蝕液直接噴壓接觸而被蝕除, 最終獲取所需的幾何形狀及高精度尺寸的產(chǎn)品技術(shù)蝕刻技術(shù)

蝕刻一共有兩大類：1：干式蝕刻; 2:濕式蝕刻。

通?？山逵筛淖?nèi)芤簼舛燃皽囟扔枰钥刂?。溶液濃度可改變反?yīng)物質(zhì)到達(dá)及離開待蝕刻物表面的速率，一般而言，當(dāng)溶液濃度增加時，蝕刻速率將會提高。而提高溶液溫度可加速化學(xué)反應(yīng)速率，進(jìn)而加速蝕刻速率。

除了溶液的選用外，選擇適用的屏蔽物質(zhì)亦是十分重要的，它必須與待蝕刻材料表面有很好的附著性、并能承受蝕刻溶液的侵蝕且穩(wěn)定而不變質(zhì)。而光阻通常是一個很好的屏蔽材料，且由于其圖案轉(zhuǎn)印步驟簡單，因此常被使用。但使用光阻作為屏蔽材料時也會發(fā)生邊緣剝離或龜裂的情形。邊緣剝離乃由于蝕刻溶液的侵蝕，造成光阻與基材間的黏著性變差所致。解決的方法則可使用黏著促進(jìn)劑來增加光阻與基材間的黏著性，如Hexamethyl-disilazane (HMDS)。龜裂則是因為光阻與基材間的應(yīng)力差異太大，減緩龜裂的方法可利用較具彈性的屏蔽材質(zhì)來吸收兩者間的應(yīng)力差。

蝕刻化學(xué)反應(yīng)過程中所產(chǎn)生的氣泡常會造成蝕刻的不均勻性，氣泡留滯于基材上阻止了蝕刻溶液與待蝕刻物表面的接觸，將使得蝕刻速率變慢或停滯，直到氣泡離開基材表面。因此在這種情況下會在溶液中加入一些催化劑增進(jìn)蝕刻溶液與待蝕刻物表面的接觸，并在蝕刻過程中予于攪動以加速氣泡的脫離。

自動型蝕刻機(jī)：

1、 如今市場上所見到的自動型化學(xué)蝕刻機(jī)是通過高壓噴淋及被蝕刻板直線運(yùn)動形成連續(xù)不間斷進(jìn)料狀態(tài)進(jìn)行對工件腐蝕以提高生產(chǎn)效率；

2、加大了噴淋與被蝕刻金屬板的有效面積和蝕刻均勻程度，無論在蝕刻效果、速度和改善操作者的環(huán)境及方便程度，都優(yōu)于潑濺式蝕刻；

3、 經(jīng)反復(fù)實驗噴射壓力在1-2 Kg/cm2的情況下被蝕刻工件上所殘留的蝕刻圬漬能被有效清處掉，使蝕刻速度在傳統(tǒng)蝕刻法上大大提高，由于該蝕刻機(jī)液體可循環(huán)再生使用，此項可大大降低蝕刻成本，也可達(dá)到環(huán)保加工要求。