三相整流模塊

FRED整流橋開關(guān)模塊是由六個超快恢復(fù)二極管芯片和一個大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后共同封裝在一個PPS外殼內(nèi)制成的設(shè)備。

三相整流模塊基本信息

中文名 三相整流模塊 外文名 Three-phase rectifier module
別????名 FRED整流橋開關(guān)模塊 類????型 模塊
定????義 由六個超快恢復(fù)二極管芯片和一個大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后共同封裝在一個PPS外殼內(nèi)制成的設(shè)備

三相整流模塊

近二十年來專業(yè)生產(chǎn)各類電力半導(dǎo)體模塊的工藝制造技術(shù),設(shè)計能力,工藝和測試設(shè)備以及生產(chǎn)制造經(jīng)驗,于2005年開發(fā)出了能滿足VVVF變頻器、高頻逆變焊機、大功率開關(guān)電源、不停電電源、高頻感應(yīng)加熱電源和伺服電機傳動放大器所需的"三相整流二極管整流橋開關(guān)模塊"(其型號為3QL)的基礎(chǔ)上,近期又開發(fā)出了"三相超快恢復(fù)分公司極管整流橋開關(guān)模塊"(其型號為MURP),由于這種模塊與采用3~5普通整流二極管相比具有反向恢復(fù)時間(trr)短,反向恢復(fù)峰值電流(IRM)小和反向恢復(fù)電荷(Qrr)低的FRED,因而使變頻的噪音大大降低,從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容尺寸減小,價格下降,使變頻器更易符合國內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)標(biāo)準(zhǔn)。

模塊化結(jié)構(gòu)提高了產(chǎn)品的密集性、安全性和可靠性,同時也可降低裝置的生產(chǎn)成本,縮短新產(chǎn)品進(jìn)入市場的周期,提高企業(yè)的市場競爭力。由于電路的聯(lián)線已在模塊內(nèi)部完成,因此,縮短了元器件之間的連線,可實現(xiàn)優(yōu)化布線和對稱性結(jié)構(gòu)的設(shè)計,使裝置線路的寄生電感和電容參數(shù)大大降低,有利于實現(xiàn)裝置的高頻化。此外,模塊化結(jié)構(gòu)與同容量分立器件結(jié)構(gòu)相比,還具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、外接線簡單、便于維護(hù)和安裝等優(yōu)點,因而大大縮小了裝置的何種,降低裝置的重量和成本,且模塊的主電極端子、控制端子和輔助端子與銅底板之間具有2.5kV以上有效值的絕緣耐壓,使之能與裝置內(nèi)各種模塊共同安裝在一個接地的散熱器上,有利于裝置體積的進(jìn)一步縮小,簡化裝置的結(jié)構(gòu)設(shè)計。樂山希爾電子陳先生08332595221

1 模塊的結(jié)構(gòu)及特點

FRED整流橋開關(guān)模塊是由六個超快恢復(fù)二極管芯片和一個大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后共同封裝在一個PPS(加有40%玻璃纖維)外殼內(nèi)制成,模塊內(nèi)部的電聯(lián)接方式如圖1所示。圖中VD1~VD6為六個FRED芯片,相互聯(lián)成三相整流橋、晶閘管T串接在電橋的正輸出端上。圖2示出了模塊外形結(jié)構(gòu)示意圖,現(xiàn)將圖中的主要結(jié)構(gòu)件的功能分述如下:

1)鋁基導(dǎo)熱底板:其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個模塊的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。因此,它必須具有高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進(jìn)行高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)鋁為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相差較大,為此,除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對銅底板要進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊成品,能在模塊裝置到散熱器上時,使它們之間有充分的接觸,從而降低模塊的接觸熱阻,保證模塊的出力。

2)DBC基板:它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,它具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性,并有與硅材料較接近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4.2×10-6/℃,DBC為5.6×10-6/℃),因而可以與硅芯片直接焊接,從而簡化模塊焊接工藝和降低熱阻。同時,DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,以用作主電路端子和控制端子的焊接支架,并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣,使模塊具有有效值為2.5kV以上的絕緣耐壓。

3)電力半導(dǎo)體芯片:超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù),并在模塊制作過程中再涂有RTV硅橡膠,并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂,這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導(dǎo)體芯片直接焊在DBC基板上,而芯片正面都焊有經(jīng)表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線,而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點,F(xiàn)RED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽極)和三片是反燒(即芯片正面是陽極、反面是陰極),并利用DBC基板的刻蝕圖形,使焊接簡化。同時,所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上,這樣使連線減少,模塊可靠性提高。

4)外殼:殼體采用抗壓、抗拉和絕緣強度高以及熱變溫度高的,并加有40%玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組成,它能很好地解決與銅底板、主電極之間的熱脹冷縮的匹配問題,通過環(huán)氧樹脂的澆注固化工藝或環(huán)氧板的間隔,實現(xiàn)上下殼體的結(jié)構(gòu)連接,以達(dá)到較高的防護(hù)強度和氣閉密封,并為主電極引出提供支撐。

3 主要技術(shù)參數(shù)及應(yīng)用

大功率高頻開關(guān)器件(IGBT、功率MOSFET、IGCT等)已廣泛用于VVVF、UPS、SMPS、逆變焊機、伺服電機傳動放大器等具有直流環(huán)的逆變裝置內(nèi)。圖3和4分別示出了VVVF變頻器和高頻逆變焊機的電原理圖 目前,圖中的VD1~VD6均采用普通整流二極管,R為充電限流電阻,K為接觸器,其作用是對充電限流電阻進(jìn)行短接。由于高的開關(guān)頻率,以及VD1~VD6的反向恢復(fù)峰值電流高和反向恢復(fù)時間較長,因而產(chǎn)生諧波,并使電流、電壓的波形嚴(yán)重畸變,噪聲很高,用超快恢復(fù)二極管(FRED)替代普通整流二極管作為逆變器的輸入整流器,可使變頻器的噪聲降低到15dB,這主要是由于FRED的關(guān)斷特性(低的反向恢復(fù)峰值電流和短的反向恢復(fù)時間)所決定。圖5給出了FRED導(dǎo)通和關(guān)斷期間的電流波形圖。

FRED的其主要反向關(guān)斷特性參數(shù)為:反向恢復(fù)時trr=ta+tb(ta一少數(shù)載流子在存儲時間,tb一少數(shù)載流子復(fù)合時間);反向恢復(fù)峰值電流IRM;反向恢復(fù)電荷Qrr=l/2trr×IRM以及表示器件反向恢復(fù)曲線軟度的軟度因子S=tb/ta。而FRED的正向?qū)ㄖ饕獏?shù)有:正向平均電流IF(AV);正向峰值電壓UFM;正向均方根電流IF(RMS)以及正向(不重復(fù))浪涌電流IFSM。FRED的反向陰斷特性參數(shù)為:反向重復(fù)峰值電壓URRM和反向重復(fù)峰值電流IRRM。必須指出:反向恢復(fù)時間trr隨著結(jié)溫Tj的升高,所加反向電壓URRM的增高以及流過的正向電流IF(AV)的增大而增長,而主要用來計算FRED的功耗和RC保護(hù)電路的反向恢復(fù)峰值電流IRM和反向恢復(fù)電荷Qrr亦隨結(jié)溫Tj的升高而增大。因此,在選用由FRED組成的"三相FRED整流橋開關(guān)模塊"時,必須充分考慮這些參數(shù)的測試條件,以便作必要的調(diào)整。這里值得提出的是:目前FRED的價格比普通整流二極管高,但由于使用FRED使變頻器的噪音大幅度降低(降低達(dá)15dB),這將直接影響到變頻器內(nèi)EMI濾波電路的電容器和電感器的設(shè)計,使它們的尺寸大大縮小和價格大幅度下降,并使變頻器更能符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的要求。

此外,在變頻器中,對充電限流電阻進(jìn)行短接的開關(guān),目前一般都采用機械接觸器,但由于環(huán)境的影響,特別是在濕度大或帶粉塵的環(huán)境下,往往會使觸頭損壞,另外接觸器接通和斷開時產(chǎn)生電弧,致使接觸器壽命縮短而損壞,從而嚴(yán)重影響變頻器的穩(wěn)定可靠工作。為了解決上述存在的問題,常州瑞華電力電子器件有限公司采用FRED替代普通整流二極管,采用晶閘管替代機械接觸器,制成如圖1所示的"三相FRED整流橋開關(guān)模塊",這種模塊用于變頻器后,能使變頻器性能大大提高、體積縮小、重量減輕、工作穩(wěn)定可靠。

它已廣泛用于VVVT、SMPS、UPS、逆變焊機以及伺服電機驅(qū)動放大器等具有直流環(huán)節(jié)的變頻裝置,并已取得很大成效。用超快恢復(fù)二極管(FRRD)替代普通整流管所構(gòu)成的"三相FRED整流橋開關(guān)模塊"(型號為MFST)亦可用于上述各種電壓型變頻器,但可大幅度降低變頻器噪音達(dá)15dB,這一效應(yīng)將直接影響到變頻器的EMI濾波電路內(nèi)電容器和電感器的設(shè)計,并使它們的尺寸大大縮小,從而降低裝置的成本和縮小裝置的體積,使變頻器的性能提高,工作穩(wěn)定可靠,使變頻器更能滿足國家EMI標(biāo)準(zhǔn)。而以晶閘管替代用以短路充電電阻的機械接觸器,使變頻器的工作壽命延長,工作更穩(wěn)定更可靠。當(dāng)前,雖然FRED要比普通整流管更貴,而且模塊制作工藝亦將更復(fù)雜,但綜合考慮分析上述優(yōu)點,隨著FRED芯片價格的進(jìn)一步下降和模塊制造工藝的進(jìn)一步成熟和規(guī)模化生產(chǎn),這種"三相FRED整流橋開關(guān)模塊"將獲得飛快發(fā)展和廣泛的應(yīng)用。

三相整流模塊造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
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工程建議價
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行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報價日期
三相整流模塊 SQL 40A 1000V(60×100)產(chǎn)品系列:SQL型;產(chǎn)品編碼:54100300007280;裝箱數(shù):50; 查看價格 查看價格

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三相整流模塊 SQL 40A 1400V(60×100)產(chǎn)品系列:SQL型;產(chǎn)品編碼:54100500007590;裝箱數(shù):50; 查看價格 查看價格

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三相整流模塊 SQL 40A 1600V(60×100)產(chǎn)品系列:SQL型;產(chǎn)品編碼:54100600007590;裝箱數(shù):50; 查看價格 查看價格

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三相整流模塊 SQL 40A 600V(60×100)產(chǎn)品系列:SQL型;產(chǎn)品編碼:54100100007280;裝箱數(shù):50; 查看價格 查看價格

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三相整流模塊 SQL 40A 800V(60×100)產(chǎn)品系列:SQL型;產(chǎn)品編碼:54100200007280;裝箱數(shù):50; 查看價格 查看價格

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三相整流模塊 SQL 60A 800V(60×100)產(chǎn)品系列:SQL型;產(chǎn)品編碼:54100900007800;裝箱數(shù):50; 查看價格 查看價格

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三相整流模塊 SQL 100A 600V(60×100)產(chǎn)品系列:SQL型;產(chǎn)品編碼:54101500009100;裝箱數(shù):50; 查看價格 查看價格

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三相整流模塊 SQL 150A 1200V(60×100)產(chǎn)品系列:SQL型;產(chǎn)品編碼:54102500035200;裝箱數(shù):50; 查看價格 查看價格

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材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
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行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
廣播模塊 LD-FT6208 查看價格 查看價格

湛江市2005年1月信息價
多線制廣播模塊 LD-GBFP-100 查看價格 查看價格

湛江市2006年3月信息價
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清遠(yuǎn)市2022年2季度信息價
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清遠(yuǎn)市2022年1季度信息價
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清遠(yuǎn)市2021年4季度信息價
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清遠(yuǎn)市2021年1季度信息價
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清遠(yuǎn)市2020年4季度信息價
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清遠(yuǎn)市2020年2季度信息價
材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
(元)
供應(yīng)商 報價地區(qū) 最新報價時間
整流模塊 CLK70AA160|2塊 1 查看價格 深圳華紀(jì)科技有限公司 廣東  中山市 2017-07-17
整流模塊 嵌入式DC,含4×50A/48V, 艾默生R48-2900U|1塊 3 查看價格 廣州鴻由數(shù)碼科技有限公司 廣東   2018-06-29
整流模塊 CLK70AA160|2塊 1 查看價格 深圳市福田區(qū)新亞洲電子市場二期宏誠偉業(yè)電子經(jīng)營部 廣東  中山市 2017-07-17
整流模塊 ESR-48/15A|1個 3 查看價格 湖南瀚杰信息科技有限公司 全國   2020-01-13
整流模塊 R4830G1|1塊 3 查看價格 湖南瀚杰信息科技有限公司 全國   2020-01-13
整流模塊 艾默生R48-2900|1塊 3 查看價格 深圳市東方藍(lán)穎通信科技有限公司 全國   2019-06-27
整流模塊 ZLY-120D05-2|2.0個 1 查看價格 深圳市眾力揚電子科技有限公司    2016-08-08
整流模塊(50A) (50A)|0個 1 查看價格 深圳市中新電通科技有限公司 天津  天津市 2015-02-06

三相整流模塊

近二十年來專業(yè)生產(chǎn)各類電力半導(dǎo)體模塊的工藝制造技術(shù),設(shè)計能力,工藝和測試設(shè)備以及生產(chǎn)制造經(jīng)驗,于2005年開發(fā)出了能滿足VVVF變頻器、高頻逆變焊機、大功率開關(guān)電源、不停電電源、高頻感應(yīng)加熱電源和伺服電機傳動放大器所需的“三相整流二極管整流橋開關(guān)模塊”(其型號為3QL)的基礎(chǔ)上,近期又開發(fā)出了“三相超快恢復(fù)分公司極管整流橋開關(guān)模塊”(其型號為MURP),由于這種模塊與采用3~5普通整流二極管相比具有反向恢復(fù)時間(trr)短,反向恢復(fù)峰值電流(IRM)小和反向恢復(fù)電荷(Qrr)低的FRED,因而使變頻的噪音大大降低,從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容尺寸減小,價格下降,使變頻器更易符合國內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)標(biāo)準(zhǔn)。

模塊化結(jié)構(gòu)提高了產(chǎn)品的密集性、安全性和可靠性,同時也可降低裝置的生產(chǎn)成本,縮短新產(chǎn)品進(jìn)入市場的周期,提高企業(yè)的市場競爭力。由于電路的聯(lián)線已在模塊內(nèi)部完成,因此,縮短了元器件之間的連線,可實現(xiàn)優(yōu)化布線和對稱性結(jié)構(gòu)的設(shè)計,使裝置線路的寄生電感和電容參數(shù)大大降低,有利于實現(xiàn)裝置的高頻化。此外,模塊化結(jié)構(gòu)與同容量分立器件結(jié)構(gòu)相比,還具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、外接線簡單、便于維護(hù)和安裝等優(yōu)點,因而大大縮小了裝置的何種,降低裝置的重量和成本,且模塊的主電極端子、控制端子和輔助端子與銅底板之間具有2.5kV以上有效值的絕緣耐壓,使之能與裝置內(nèi)各種模塊共同安裝在一個接地的散熱器上,有利于裝置體積的進(jìn)一步縮小,簡化裝置的結(jié)構(gòu)設(shè)計。

1 模塊的結(jié)構(gòu)及特點

FRED整流橋開關(guān)模塊是由六個超快恢復(fù)二極管芯片和一個大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后共同封裝在一個PPS(加有40%玻璃纖維)外殼內(nèi)制成。模塊主要結(jié)構(gòu)件的功能分述如下:

1)鋁基導(dǎo)熱底板:其功能為陶瓷覆鋁板(DBC基板)提供聯(lián)結(jié)支撐和導(dǎo)熱通道,并作為整個模塊的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)。因此,它必須具有高導(dǎo)熱性和易焊性。由于它要與DBC基板進(jìn)行高溫焊接,又因它們之間熱線性膨脹系數(shù)鋁為16.7×10-6/℃,DBC約不5.6×10-6/℃)相差較大,為此,除需采用摻磷、鎂的銅銀合金外,并在焊接前對銅底板要進(jìn)行一定弧度的預(yù)彎,這種存在s一定弧度的焊成品,能在模塊裝置到散熱器上時,使它們之間有充分的接觸,從而降低模塊的接觸熱阻,保證模塊的出力。

2)DBC基板:它是在高溫下將氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)基片與銅箔直接雙面鍵合而成,它具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性、絕緣性和易焊性,并有與硅材料較接近的熱線性膨脹系數(shù)(硅為4.2×10-6/℃,DBC為5.6×10-6/℃),因而可以與硅芯片直接焊接,從而簡化模塊焊接工藝和降低熱阻。同時,DBC基板可按功率電路單元要求刻蝕出各式各樣的圖形,以用作主電路端子和控制端子的焊接支架,并將銅底板和電力半導(dǎo)體芯片相互電氣絕緣,使模塊具有有效值為2.5kV以上的絕緣耐壓。

3)電力半導(dǎo)體芯片:超快恢復(fù)二極管(FRED)和晶閘管(SCR)芯片的PN結(jié)是玻璃鈍化保護(hù),并在模塊制作過程中再涂有RTV硅橡膠,并灌封有彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂,這種多層保護(hù)使電力半導(dǎo)體器件芯片的性能穩(wěn)定可靠。半導(dǎo)體芯片直接焊在DBC基板上,而芯片正面都焊有經(jīng)表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線,而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實現(xiàn)的。根據(jù)三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點,F(xiàn)RED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽極)和三片是反燒(即芯片正面是陽極、反面是陰極),并利用DBC基板的刻蝕圖形,使焊接簡化。同時,所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上,這樣使連線減少,模塊可靠性提高。

4)外殼:殼體采用抗壓、抗拉和絕緣強度高以及熱變溫度高的,并加有40%玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組成,它能很好地解決與銅底板、主電極之間的熱脹冷縮的匹配問題,通過環(huán)氧樹脂的澆注固化工藝或環(huán)氧板的間隔,實現(xiàn)上下殼體的結(jié)構(gòu)連接,以達(dá)到較高的防護(hù)強度和氣閉密封,并為主電極引出提供支撐。

3 主要技術(shù)參數(shù)及應(yīng)用

大功率高頻開關(guān)器件(IGBT、功率MOSFET、IGCT等)已廣泛用于VVVF、UPS、SMPS、逆變焊機、伺服電機傳動放大器等具有直流環(huán)的逆變裝置內(nèi)。

FRED的其主要反向關(guān)斷特性參數(shù)為:反向恢復(fù)時trr=ta tb(ta一少數(shù)載流子在存儲時間,tb一少數(shù)載流子復(fù)合時間);反向恢復(fù)峰值電流IRM;反向恢復(fù)電荷Qrr=l/2trr×IRM以及表示器件反向恢復(fù)曲線軟度的軟度因子S=tb/ta。而FRED的正向?qū)ㄖ饕獏?shù)有:正向平均電流IF(AV);正向峰值電壓UFM;正向均方根電流IF(RMS)以及正向(不重復(fù))浪涌電流IFSM。FRED的反向陰斷特性參數(shù)為:反向重復(fù)峰值電壓URRM和反向重復(fù)峰值電流IRRM。必須指出:反向恢復(fù)時間trr隨著結(jié)溫Tj的升高,所加反向電壓URRM的增高以及流過的正向電流IF(AV)的增大而增長,而主要用來計算FRED的功耗和RC保護(hù)電路的反向恢復(fù)峰值電流IRM和反向恢復(fù)電荷Qrr亦隨結(jié)溫Tj的升高而增大。因此,在選用由FRED組成的“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”時,必須充分考慮這些參數(shù)的測試條件,以便作必要的調(diào)整。這里值得提出的是:FRED的價格比普通整流二極管高,但由于使用FRED使變頻器的噪音大幅度降低(降低達(dá)15dB),這將直接影響到變頻器內(nèi)EMI濾波電路的電容器和電感器的設(shè)計,使它們的尺寸大大縮小和價格大幅度下降,并使變頻器更能符合EMI標(biāo)準(zhǔn)的要求。

此外,在變頻器中,對充電限流電阻進(jìn)行短接的開關(guān),一般都采用機械接觸器,但由于環(huán)境的影響,特別是在濕度大或帶粉塵的環(huán)境下,往往會使觸頭損壞,另外接觸器接通和斷開時產(chǎn)生電弧,致使接觸器壽命縮短而損壞,從而嚴(yán)重影響變頻器的穩(wěn)定可靠工作。為了解決上述存在的問題,常州瑞華電力電子器件有限公司采用FRED替代普通整流二極管,采用晶閘管替代機械接觸器,制成“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”,這種模塊用于變頻器后,能使變頻器性能大大提高、體積縮小、重量減輕、工作穩(wěn)定可靠。

它已廣泛用于VVVT、SMPS、UPS、逆變焊機以及伺服電機驅(qū)動放大器等具有直流環(huán)節(jié)的變頻裝置,并已取得很大成效。用超快恢復(fù)二極管(FRRD)替代普通整流管所構(gòu)成的“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”(型號為MFST)亦可用于上述各種電壓型變頻器,但可大幅度降低變頻器噪音達(dá)15dB,這一效應(yīng)將直接影響到變頻器的EMI濾波電路內(nèi)電容器和電感器的設(shè)計,并使它們的尺寸大大縮小,從而降低裝置的成本和縮小裝置的體積,使變頻器的性能提高,工作穩(wěn)定可靠,使變頻器更能滿足國家EMI標(biāo)準(zhǔn)。而以晶閘管替代用以短路充電電阻的機械接觸器,使變頻器的工作壽命延長,工作更穩(wěn)定更可靠。當(dāng)前,雖然FRED要比普通整流管更貴,而且模塊制作工藝亦將更復(fù)雜,但綜合考慮分析上述優(yōu)點,隨著FRED芯片價格的進(jìn)一步下降和模塊制造工藝的進(jìn)一步成熟和規(guī)模化生產(chǎn),這種“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”將獲得飛快發(fā)展和廣泛的應(yīng)用。

三相整流模塊常見問題

  • 三相整流模塊

  • 三相整流模塊

    三相整流模塊就是將六只整流管做在一起,三相交流電輸入,整流后,直流電輸出。三相整流模塊有三個輸入端子,兩個輸出端子。

  • MATLAB中的三相全橋整流模塊在哪里

    打開simulink工具箱,然后點開SimPowerSystems的下拉列表,找到Power Electronic,右邊的列表里有個 Universal Bridge就是你想要的,不過你要在模塊參數(shù)里...

三相整流模塊文獻(xiàn)

VD4型真空斷路器整流模塊損壞故障分析 VD4型真空斷路器整流模塊損壞故障分析

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大?。?span id="zqxtv6w" class="single-tag-height">433KB

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VD4型斷路器具有額定電流較大、額定開斷次數(shù)高等優(yōu)點,一般用作主變壓器和電容器斷路器,所以對它的可靠性要求較高。對VD4型真空斷路器控制回路中的整流模塊電路原理及其故障原因進(jìn)行了分析,并提出了相應(yīng)的解決措施。

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通信電源整流模塊在失控狀態(tài)下的輸出電壓分析 通信電源整流模塊在失控狀態(tài)下的輸出電壓分析

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評分: 4.4

主要討論通信用高頻開關(guān)電源中的整流模塊的工作狀態(tài),對失控狀態(tài)下的整流模塊輸出電壓進(jìn)行分析,在此狀態(tài)下輸出電壓對負(fù)載的影響以及相應(yīng)的解決辦法。

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本電源由全控三相整流模塊、移相觸發(fā)電路、自動調(diào)節(jié)電路、吸收回路組成。晶體管智能控制模塊將復(fù)雜的自動調(diào)節(jié)電路、晶閘管和觸發(fā)電路集成為一體,通過調(diào)節(jié)控制信號電壓的大小,改變晶閘管導(dǎo)通角的大小,從而實現(xiàn)對電源進(jìn)行調(diào)節(jié)、自動控制的功能。觸發(fā)電路系統(tǒng)、晶閘管、導(dǎo)熱底板相互絕緣隔離,介電強度大于 2500V,使用安全方便。三相整流模塊輸入端無相序限制??蛇m用于阻性、感性負(fù)載。

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