當(dāng)溫度T降低到4.2K時(shí),ρ(T)趨向于零,ρo則不隨溫度而變化,此時(shí)ρ≈ρo,稱為剩余電阻。
金屬(或合金)的電阻的實(shí)質(zhì)是晶格對(duì)電子的散射,因此電阻率ρ由兩個(gè)部分組成,一是晶格畸變對(duì)電子散射的影響ρo,另一部分是晶格振動(dòng)對(duì)電子散射的影響ρ(T),即ρ=ρo ρ(T)。
剩余電阻比法是金屬在室溫和在液氦(4.2K)的電阻率之比 。
不是這樣的。正確說(shuō)法是:并聯(lián)電阻的倒數(shù)等于各電阻倒數(shù)之和。一、并聯(lián)電阻:電路中各電阻并列連接在電路中稱為并聯(lián)電阻,另外由單純的并聯(lián)電阻或用電器(用電器:如,電視機(jī),空調(diào),電腦等)構(gòu)成的電路稱為并聯(lián)電路...
剩余電壓繞組 residual voltage winding單相電壓互感器的一個(gè)繞組,在3臺(tái)單相互感器組成的三相組中,各互感器的該繞組接成開口三角形,用于在接地故障狀態(tài)下產(chǎn)生剩余電壓。
剩余電流定義:低壓配電線路中各相(含中性線)電流矢量和不為零的電流。
主要決定于雜質(zhì)元素對(duì)電子的散射,也就是說(shuō)ρo的數(shù)值將能靈敏地反映出金屬中雜質(zhì)含量的高低 。
測(cè)量剩余電阻比的方法有許多,較為常用的是非接觸式的渦流法。其原理是:處于變化磁場(chǎng)中的金屬試樣會(huì)感應(yīng)出渦流。
剩余電阻比的數(shù)值直接反映金屬的純度。已對(duì)銅、鋁、鎵、銦等金屬積累了大量的數(shù)據(jù),并制備了標(biāo)樣。該方法的優(yōu)點(diǎn):靈敏度高、精密度高和方法簡(jiǎn)單,可實(shí)現(xiàn)無(wú)接觸測(cè)量。缺點(diǎn)是測(cè)量的是雜質(zhì)總量,而不能區(qū)別雜質(zhì)元素的種類及其各自的含量 。
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對(duì)照剩余電壓的形成和國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測(cè)試要求,敘述了剩余電壓存在形式、特點(diǎn)、測(cè)試方法和要求及測(cè)試設(shè)備。根據(jù)現(xiàn)有不同剩余電壓測(cè)試方法和測(cè)試設(shè)備的性能,對(duì)照現(xiàn)行國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試規(guī)定,列出了當(dāng)前剩余電壓測(cè)試過(guò)程出現(xiàn)的測(cè)試阻抗、測(cè)試方法和測(cè)試設(shè)備等問(wèn)題。針對(duì)這些測(cè)試問(wèn)題,提出了解決的具體測(cè)試變通方法和設(shè)想。
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一、剩余電壓的定義剩余電壓(Residual voltage),是電氣設(shè)備斷電后,電源插頭各極間、用電設(shè)備內(nèi)部?jī)?chǔ)能器件上,在一段時(shí)間內(nèi)保持的殘余電壓。剩余電壓的建立是由于電氣設(shè)備電源回路存在著儲(chǔ)能器件,例如:電容器、電感等。如果電源回路中儲(chǔ)能器件容量足夠大,電能釋放電阻阻值也足夠大,即使儲(chǔ)能器件中存儲(chǔ)的能量很小,存在的時(shí)間很短,但產(chǎn)生的剩余電壓仍會(huì)引起觸電安全事故,對(duì)使用者產(chǎn)生危害,存在潛
體積比電阻是紡織材料導(dǎo)電性能指標(biāo)。
體積比電阻,紡織材料導(dǎo)電性能指標(biāo)之一。等于試樣長(zhǎng)1cm和截面積1cm2時(shí)的電阻值。單位Ω·cm。它的數(shù)值等于纖維質(zhì)量比電阻與材料密度(g/cm3)之比。材料體積比電阻越大,導(dǎo)電性能越差。 2100433B
流過(guò)壓敏電阻器的電流為某一值時(shí),在它兩端所產(chǎn)生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則為殘壓與標(biāo)稱電壓之比。
《含炭耐火制品常溫比電阻試驗(yàn)方法(YB/T 173-2000)》由全國(guó)耐火材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。2100433B