批準號 |
60876061 |
項目名稱 |
碳化硅金屬-半導體雙極型晶體管的研究 |
項目類別 |
面上項目 |
申請代碼 |
F0405 |
項目負責人 |
張玉明 |
負責人職稱 |
教授 |
依托單位 |
西安電子科技大學 |
研究期限 |
2009-01-01 至 2011-12-31 |
支持經(jīng)費 |
40(萬元) |
寬禁帶半導體材料碳化硅具有臨界擊穿電場大、飽和漂移速度大、熱導率高的特點。因此,碳化硅器件具有傳統(tǒng)材料器件無法比擬的優(yōu)勢。但是,由于材料特性及工藝水平的限制,普通結構的碳化硅雙極晶體管開啟電壓偏高,電流增益偏低,且工作頻率有限,這不僅限制了器件的開關和放大性能,而且阻礙了器件在射頻應用領域的發(fā)展前景。針對以上問題,本項目提出對碳化硅金屬-半導體雙極型晶體管(4H-SiC MSBJT)的研究,利用新的器件結構降低開啟電壓,抑制界面陷阱效應,改善器件特性,實現(xiàn)碳化硅器件在射頻功率應用領域的突破。主要研究內(nèi)容圍繞建立器件模型、探索器件工藝、優(yōu)化材料生長工藝、實現(xiàn)功率封裝等開展,完成芯片設計和仿真評估,并投片驗證設計結果。
一、單極型晶體管在目前使用的pnp或npn面結型晶體管的工作中,包括金屬-氧化物-半導體晶體管在內(nèi)的場效應晶體管,只需要一種載流子,這種晶體管就叫做單極晶體管。單極晶體管即場效應晶體管,因為場效應晶體...
亂七八糟的,現(xiàn)在三極管基本上是硅管,很少用鍺管了。一般常見的都是硅三極管和硅二極管。去網(wǎng)上找個半導體器件命名手冊,里面有根據(jù)型號識別的方法。
碳化硅 SiC >99% 8000元/噸 以上 SiC <98% 3800-4200元/噸價格近期來不是很穩(wěn)定,買賣都需慎重
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頁數(shù): 67頁
評分: 4.3
第五章雙極型晶體管開關特性 (2)
碳化硅半導體材料、ilic}n carbide semiconductors 5iC 屬W族化合物半導體。為共價鍵晶體,有閃鋅礦型和鉛鋅礦 型兩種結晶形式。密度.i . 2} I}m“二熔點283U}"-,本征電阻率 [L一0.7)i}wm},禁帶寬度2.99一42.br}'。電子遷移率 3(10---9(1D}m'-I( V w ),介電常數(shù)9.72一10.32。采用艾奇遜 [Acheso耐法合成。硅過量時為n型半導體,碳過量時為p }1 半導體。
《國外電子與通信教材系列:碳化硅半導體材料與器件》是一本系統(tǒng)介紹碳化硅半導體材料及器件的專著,主要論述了SiC材料與器件中的相關基礎理論,內(nèi)容包括:SiC材料特性、SiC同質(zhì)外延和異質(zhì)外延、SiC歐姆接觸、肖特基勢壘二極管、大功率PiN整流器、SiC微波二極管、SiC晶閘管、SiC靜態(tài)感應晶體管、SiC襯底材料生長、SiC深能級缺陷、SiC結型場效應晶體管,以及SiCBJT等。書中涉及SiC材料制備、外延生長、測試表征、器件結構與工作原理、器件設計與仿真、器件關鍵工藝、器件研制與性能測試,以及器件應用等多個方面。在論述這些基礎理論的同時,重點總結了近年來SiC材料與器件的主要研究成果,以及今后的發(fā)展趨勢。
雙極型晶體管介紹
雙極型晶體管(Bipolar Junction Transistor)
雙極型晶體管是一種電流控制器件,電子和空穴同時參與導電。同場效應晶體管相比,雙極型晶體管開關速度慢,輸入阻抗小,功耗大。雙極型晶體管體積小、重量輕、耗電少、壽命長、可靠性高,已廣泛用于廣播、電視、通信、雷達、計算機、自控裝置、電子儀器、家用電器等領域,起放大、振蕩、開關等作用。 晶體管:用不同的摻雜方式在同一個硅片上制造出三個摻雜區(qū)域,并形成兩個PN結,就構成了晶體管.