SiC納米線是一種徑向上尺寸低于100nm ,長(zhǎng)度方向上遠(yuǎn)高于徑向尺寸的單晶纖維。SiC納米線生產(chǎn)技術(shù)一直都是全球研究的中心及難點(diǎn)。目前SiC納米線在全球產(chǎn)量不高,一般為實(shí)驗(yàn)室水平生產(chǎn)(每次產(chǎn)量約幾十微克)。
中文名稱 | 碳化硅納米線 | 外文名稱 | SiC Nanowire |
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1、納米碳管模版法
1994年,zhou等人首次用碳納米管作為先驅(qū)體,在流動(dòng)Ar氣保護(hù)下讓其與SiO氣體于1700℃反應(yīng),合成了長(zhǎng)度和直徑均比碳納米管大一個(gè)數(shù)量級(jí)的實(shí)心、針狀的碳化硅納米線。
2、納米尺度液滴外延法
孟國(guó)文等將含有硝酸鐵的柱狀活性炭置于爐內(nèi),爐內(nèi)抽著空后通入0.1MPa的高純Ar氣,經(jīng)4h加熱到1200℃,接著以H2為載氣將SiCl4載入爐內(nèi),在1200℃保溫1.5h,整個(gè)過程一直同Ar氣,保證管路暢通,在1200℃下,SiCl4與H2反應(yīng)生成Si,由于活性炭中鐵的催化作用,Si與C反應(yīng)生產(chǎn)碳化硅納米線。
3、溶膠凝膠法與碳熱還原法
孟國(guó)文等以純?cè)噭┱杷嵋阴?、無水乙醇、蔗糖和蒸餾水為原料,用硝酸為催化劑,采用溶膠凝膠工藝制備含蔗糖的二氧化硅溶膠,其中正硅酸乙酯、無水乙醇、蒸餾水的摩爾比為1:4:12.5,蔗糖的加入量使最終凝膠中的碳與二氧化硅中硅的摩爾比為4:1:1,均勻混合后經(jīng)90℃烘干,經(jīng)700℃在氮?dú)庵屑訜?h的含碳的二氧化硅干凝膠。將含碳二氧化硅干凝膠塊體放入爐內(nèi)的高純石墨坩堝中,在流動(dòng)Ar氣保護(hù)下,以14℃/min升溫至1650℃,保溫2.5h,冷至室溫。獲得碳化硅納米線。
碳化硅納米線增強(qiáng)增韌的金屬基、陶瓷基復(fù)合材料已廣泛應(yīng)用到機(jī)械、化工、國(guó)防、能源、環(huán)保等領(lǐng)域。
主要分為兩類,氣相反應(yīng)法和固體材料法。氣相反應(yīng)法是指用含碳?xì)怏w和含硅氣體反應(yīng),或者分解一種含碳、含硅化合物的有機(jī)氣體合成。固體材料法是指利用載氣通過含碳、含硅的固體材料,在與反應(yīng)材料隔開的空間形成納米線。
碳化硅 SiC >99% 8000元/噸 以上 SiC <98% 3800-4200元/噸價(jià)格近期來不是很穩(wěn)定,買賣都需慎重
最好的棕剛玉硬度是不是比碳化硅硬度會(huì)高一些。好的棕剛玉氧化鋁含量能達(dá)到96,所以硬度很高,由于它們的生產(chǎn)原材料不同,所以硬度也有差別,棕剛玉的莫氏硬度9.0.,而碳化硅則可以達(dá)到9.5,所以棕剛玉不能...
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碳化硅納米線檢測(cè)
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以浸入沉積的方法在硅納米線上修飾了金納米顆粒,并通過電子掃描顯微鏡(SEM)和X射線熒光分析(XRF)對(duì)金納米粒子修飾的硅納米線電極表面形貌進(jìn)行了表征.以修飾后的硅納米線電極作為工作電極,采用陽極溶出法檢測(cè)水中痕量鉛和銅,考察pH值、富集電位和富集時(shí)間對(duì)溶出峰的影響,優(yōu)化出最佳實(shí)驗(yàn)條件.在優(yōu)化的實(shí)驗(yàn)條件下,鉛Pb2+和銅Cu2+的靈敏度分別為0.649μA/(μg.L-1)和0.177μA/(μg.L-1).檢測(cè)極限達(dá)到0.26μg.L-1和0.67μg.L-1.峰電流與離子濃度在質(zhì)量濃度25~200μg.L-1的范圍內(nèi)形成良好的線性關(guān)系.
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碳化硅生產(chǎn)新工藝與制備加工配方設(shè)計(jì)及技術(shù)專利全集 主編:國(guó)家專利局編寫組 出版發(fā)行:中國(guó)知識(shí)出版社 2011年 規(guī)格:全四卷 16 開精裝 +1張 CD光盤 定價(jià): 1180元 優(yōu)惠價(jià): 680元 詳細(xì)目錄 1 200410030786.8 鋁電解槽側(cè)墻用氮化硅結(jié)合碳化硅耐火磚及其制 備方法 2 200410023747.5 一種向缸套鉻層內(nèi)部擠入碳化硅的方法 3 200410012271.5 一種制備碳化硅納米纖維的方法 4 200410020538.5 黑色碳化硅冶煉降低單位耗料的工藝 5 200410026085.7 一種碳化硅發(fā)熱元件冷端部的制造方法 6 200410026086.1 酚醛樹脂作為結(jié)合劑的碳化硅陶瓷常溫?cái)D壓成形 方法 7 02822412.4 大面積碳化硅器件及其制造方法 8 03125220.6 摻加助劑熱壓燒結(jié)塊體鈦碳化硅陶瓷材料的方法 9 03138926.0