雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設計和端面噴金技術,使電容具低感抗,多條引線設計,可承受更高紋波電流,高du/dv以及高過壓能力。用于各類IGBT緩沖線路突波吸收,各類高頻諧振線路。
尺寸: 適合于各種IGBT保護。
電容量: 0.0047 to 6.8μF
額定電壓: 700 to 3000 Vdc
損耗角正切:
測試條件 1000±20 Hz , 25±5℃.
Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4
絕緣,以及無感泄放電阻;第四,其它有效措施。目前,緩沖電路的制作工藝也有多種方式:有用分立件連接的;有通過印制版連接的;更有用緩沖電容模塊直接安裝在IGBT 模塊上的。顯然,最后一種方式因符合上述第二、第三種降感措施,因而緩沖效果最好,能最大限度地保護IGBT 安全運行。
母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感,對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路,有極大的影響。因此,希望它愈小愈好。要減小這些電感,需從多方面入手。第一,直流母線要盡量地短;第二,緩沖電路要盡可能地貼近模塊;第三,選用 低電感的聚丙烯無極電容,與IGBT 相匹配的快速緩沖二極管, 以及無感泄放電阻;第四,其它有效措施。緩沖電路的制作工藝也有多種方式:有用分立件連接的;有通過印制版連接的;更有用緩沖電容模塊直接安裝在 IGBT 模塊上的。顯然,最后一種方式因符合上述第二、第三種降感措施,因而緩沖效果最好,能最大限度地保護IGBT 安全運行。 2100433B
通常,應該如何為我們的電路選擇一顆合適的電容呢?筆者認為,應基于以 ...
母線電感以及緩沖電路及其元件內(nèi)部的雜散電感,對IGBT 電路尤其是大功率IGBT 電路,有極大的影響。因此,希望它愈小愈好。要減小這些電感,需從多方面入...
保溫式自動電飯煲一般分為普及型和豪華型兩種。圖1為普及型保溫式自動電飯煲的外形圖。普及型保溫式自動電飯煲面世己有多年,在我國廣大用戶中仍占有相當?shù)谋壤?。隨著社會的進步和廚房電器的迅速發(fā)展,近幾年生產(chǎn)廠...
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高壓雙面金屬聚丙烯薄膜吸收電容
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主要技術參數(shù) 特點 容量范圍 容量 誤差范圍 損耗角正切值 耐壓 絕緣電阻 漏電流 容量 誤差范圍 損耗角正切值 耐壓 漏電流 絕緣電阻 容量 誤差范圍 損耗角正切值 耐壓 絕緣電阻 漏電流 耐壓值 容量值 絕緣阻抗 容量/誤差范圍 損耗角正切值 耐壓 漏電流 絕緣電阻 容量/誤差范圍 損耗角正切值 耐壓 漏電流 絕緣電阻 容量/誤差范圍 損耗角正切值 耐壓 漏電流 絕緣電阻 容量/誤差范圍 損耗角正切值 耐壓 電容器資料 電源電路或中頻、低頻電路中起電源 濾波、調(diào)諧、濾波、耦合、旁路、能 量轉(zhuǎn)換和延時等作用,廣泛應用各種 電子產(chǎn)品中。 用在對穩(wěn)定性和漏電流要求高的電路 中代替鋁電解電容. 適用于諧振回路、濾波電路、耦合回 路等,但在高頻電路或絕緣電阻高的 場合不宜使用。廣泛應用于各種電子 產(chǎn)品中。 使用于對頻率和穩(wěn)定性要求不高的電 路中。 適用于對頻率和穩(wěn)定性要求不高的場 合。 x電容
額定電壓 ? 700V.DC~3000V.DC ?
額定容量 ? 0.0047μF~10μF ?
溫度范圍 ? -40°C~85°C ?
容量偏差 ? ±5%, ±10% ?
極間耐電壓 ? 2Ur(DC) 10s 25±5℃ ?
極殼耐電壓 ? 3000V 50Hz 60S, 25±5℃ ?
損耗角正切 ? Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4,Cr>1.0μF tgδ≤6×10-4 ?
絕緣電阻 ? C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S ?
預期壽命 ? 100000h at Ur and 70℃ ?
1、標稱電容量和允許偏差
標稱電容量是標志在電容器上的電容量。
電容器的基本單位是法拉(F),但是,這個單位太大,在實地標注中很少采用。
其它單位關系如下:
1F=1000mF
1mF=1000μF
1μF=1000nF
1n=1000pF
電容器實際電容量與標稱電容量的偏差稱誤差,在允許的偏差范圍稱精度。
精度等級與允許誤差對應關系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)
一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級,電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級,根據(jù)用途選取。
2、額定電壓
在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值,一般直接標注在電容器外殼上,如果工作電壓超過電容器的耐壓,電容器擊穿,造成不可修復的永久損壞。
3、絕緣電阻
直流電壓加在電容上,并產(chǎn)生漏電電流,兩者之比稱為絕緣電阻.
當電容較小時,主要取決于電容的表面狀態(tài),容量〉0.1uf時,主要取決于介質(zhì)的性能,絕緣電阻越小越好。
電容的時間常數(shù):為恰當?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù),他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。
4、損耗
電容在電場作用下,在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值,電容的損耗主要由介質(zhì)損耗,電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。
在直流電場的作用下,電容器的損耗以漏導損耗的形式存在,一般較小,在交變電場的作用下,電容的損耗不僅與漏導有關,而且與周期性的極化建立過程有關。
5、頻率特性
隨著頻率的上升,一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。
雙面金屬化薄膜、無感結(jié)構(gòu)、低等效串聯(lián)電感、可承受較高的du/dt 能承受高脈沖電,ESR小,具有自愈性等。