2007年,基于納米級壓電和半導(dǎo)體性能的巧妙耦合,著名科學(xué)家王中林(中國科學(xué)院外籍院士、美國佐治亞理工學(xué)院董事教授)首次提出了壓電電子學(xué)的概念,即利用壓電勢能來調(diào)制和控制半導(dǎo)體中的電流。借用氧化鋅納米結(jié)構(gòu)同時具備半導(dǎo)體性和壓電性的獨特性質(zhì),他們制備出第一個壓電三極管和壓電二極管,《自然-納米技術(shù)》將之稱為壓電電子效應(yīng)。

壓電電子學(xué)造價信息

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行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報價日期
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行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
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電子桌牌 ; 4、支持參會人員名稱可以通過終端自帶觸控的軟鍵盤或插入腦鍵盤進行修改與添加;5、支持桌牌單元通過后臺統(tǒng)一控制與人名 USB 導(dǎo)入或是直接插存儲卡導(dǎo)入?yún)诵畔?6、支持參會人員名單批量導(dǎo)入,可以|52臺 3 查看價格 廣州市熹尚科技設(shè)備有限公司 廣東  陽江市 2021-10-18
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基于壓電效應(yīng)的新型納米電子邏輯器件,這種邏輯器件的開關(guān)可以通過外加在氧化鋅納米線上的應(yīng)力所產(chǎn)生的電場調(diào)控,進而實現(xiàn)基本和復(fù)雜的邏輯功能。傳統(tǒng)的場效應(yīng)晶體管中,一種場效應(yīng)開關(guān)調(diào)控了半導(dǎo)體中電流的方向;這種電場是靠外加的電壓。而這種新型納米邏輯器件的開關(guān)場則是通過氧化鋅納米線的機械變形來產(chǎn)生的晶體內(nèi)部場,它可以取代傳統(tǒng)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件中柵極電壓的作用,從而可調(diào)控載流子的運動。CMOS晶體管的研究致力于高速運算,與之互補,新型納米壓電邏輯器件適用于低頻應(yīng)用領(lǐng)域。基于壓電效應(yīng)的新型納米電子邏輯器件的基本元件包括晶體管和二極管,可廣泛應(yīng)用于納米機器人、納米機電系統(tǒng)、微機電系統(tǒng)、微流體器件中。調(diào)控這類邏輯器件的信號應(yīng)力可以是簡單的按鈕動作,也可由液體流動、肌肉的伸縮或機器人部件的運動所產(chǎn)生。利用機械應(yīng)變作為柵極門控制信號的氧化鋅納米線壓電晶體管(strain-gated-transistor)是這一組新型邏輯器件的基本組成元件。每個氧化鋅納米線壓電晶體管由一根集成在柔性襯底上的氧化鋅納米線和其兩端的源漏金屬電極構(gòu)成。改變作用在柔性襯底上的應(yīng)力,在納米線中應(yīng)變極性發(fā)生相應(yīng)的改變,進而實現(xiàn)對壓電晶體管的觸發(fā)調(diào)控。

壓電效應(yīng)是指特定晶體材料在應(yīng)力作用下變形時所產(chǎn)生電壓的現(xiàn)象,即一種機械能與電能互換的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象是1880年由皮埃爾·居里和雅克·居里兄弟發(fā)現(xiàn)的。壓電材料發(fā)生壓電效應(yīng)的原因,是因為其內(nèi)部原子的特殊排列方式,使得材料有了應(yīng)力場和電場耦合的效應(yīng)。壓電效應(yīng)已被廣泛應(yīng)用于微機械傳感、器件驅(qū)動和能源領(lǐng)域。

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壓電電子學(xué)提出文獻

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1 照明節(jié)能產(chǎn)品和技術(shù)研究 學(xué)號: 1430140189 班級:周四晚上班 姓名:鄧穎 摘要:根據(jù)以前生活中的照明產(chǎn)品和現(xiàn)在生活中各種各樣的節(jié)能照明產(chǎn)品從規(guī)格原材 料使用方式消耗能量和銷售市場等多個方面進行對比性分析,并著重分析照明節(jié)能產(chǎn) 品 LED的發(fā)展過程以及在各個國家的技術(shù)應(yīng)用,和發(fā)展中遇到的問題及發(fā)展前景。 關(guān)鍵詞:節(jié)能照明 LED 的發(fā)展 改革創(chuàng)新 正文:“世界要是沒有光,等于人沒有眼睛,航海沒有羅盤?!蓖匀还庀嗨疲澜?上的另一種光——燈光,也在人們的生活中扮演著不可替代的重要角色。如何在不同 的環(huán)境中不同的燈光籠罩下生活工作的更加舒適、 放心也漸漸成為更多人關(guān)注的問題, 照明產(chǎn)品的選擇和使用也成為人們茶余飯后談?wù)摰脑掝}之一。 過去人民生活水平低,人們對物質(zhì)生活的要求不高,家里使用的照明燈大多為白熾 燈。白熾燈是將電能轉(zhuǎn)化為光能以提供照明的設(shè)備。其工作原理是:電首先被

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電子學(xué)概說2_0-5 電子學(xué)概說2_0-5

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電子學(xué)概說 [頁5] §2 二極體 A.電子元件特性 1.我們以通過元件的電流及該元件端點上的電壓降之關(guān)係來 描述電子元件的特性。 2.某些電子元件 (如電阻器 )在直流和交流電路的特性表現(xiàn)相 同;而某些電子元件 (如電容器和電感器 )在直流和交流電 路的特性卻是迥然不同。因此,分析電子元件的特性時,須確定是用於直流的電路或交流的電路。習慣上「 電流 --電壓特性關(guān)係」,都是指在直流電路的特性表現(xiàn)。其關(guān)係圖稱為元件的「靜態(tài) (static)特性曲線」。 》為什麼所有的電子元件至少要有二個以上的端點接腳?一個端點不行嗎? ㊣:任何元件要形成電流迴路都要兩個以上的端點。 3.歐姆特性 (ohmic property) :元件其電流 --電壓成線性關(guān)係的性質(zhì)。 ex:電阻器其電流 --電 壓特性曲線為直線,斜率的倒數(shù)為該電阻器的電阻值。 非歐姆 (non-ohm)特性:元件其電流 --電壓曲線

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壓電電子效應(yīng)是利用壓電電勢作為“門”電壓對電荷載流子的傳輸特性進行調(diào)整和控制,可以用于制備新型的電子器件。壓電電子學(xué)的基本原理是由佐治亞理工學(xué)院的王中林教授在2007年提出來的?;谶@個效應(yīng),已經(jīng)制備了一系列的電子器件,包括壓電電場柵控的場效應(yīng)晶體管,壓電電場控制的二極管,應(yīng)變傳感器,力/流量傳感器,混合場效應(yīng)晶體管,壓電邏輯門電路,機電存儲器,等等. 壓電電子器件被認為是一個新的半導(dǎo)體器件種類。 壓電電子學(xué)在傳感器,人機交互技術(shù),微機電系統(tǒng),納米機器人,以及有源柔性電子學(xué)等領(lǐng)域都可能具有重大的應(yīng)用前景。

由于短溝道效應(yīng),Sub-5 nm 硅(Si)基場效應(yīng)晶體管的制造是非常困難的。隨著溝道長度的減小,CMOS 器件不僅受到小尺寸的制造技術(shù)的限制,而且還受到一些基本的物理學(xué)原理如漏電場、電介質(zhì)的擊穿等限制。為了突破5納米節(jié)點晶體管的限制,研究人員探索研究了基于碳納米管、半導(dǎo)體納米線以及二維過渡金屬化合物等材料的場效應(yīng)晶體管,但這些器件的工作仍然依賴于外部柵極電壓的調(diào)控機制。如果這種情況不能繼續(xù)下去,這可能意味著摩爾定律的終結(jié)。

中國科學(xué)院外籍院士、中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所首席科學(xué)家王中林于2006年利用氧化鋅納米線受應(yīng)力時產(chǎn)生的壓電電勢來調(diào)控場效應(yīng)晶體管的載流子輸運特性,即后來所說的壓電電子學(xué)晶體管,并且首次提出了壓電電子學(xué)的概念。壓電電子學(xué)晶體管是一種利用完全不同于傳統(tǒng) CMOS 器件工作原理的新型器件。這種器件利用金屬-壓電半導(dǎo)體界面處產(chǎn)生的壓電極化電荷(即壓電電勢)作為柵極電壓來調(diào)控晶體管中載流子的輸運特性,并且已經(jīng)在具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的壓電半導(dǎo)體材料中得到了廣泛證實。這種具有二端結(jié)構(gòu)的晶體管不僅創(chuàng)新地利用界面調(diào)控替代了傳統(tǒng)的外部溝道調(diào)控,并且有可能打破溝道寬度的限制。

近日,在王中林和西安電子科技大學(xué)教授秦勇的指導(dǎo)下,王龍飛、劉書海和殷鑫等制備了一種新型的、溝道只有~2 nm 的超薄氧化鋅壓電電子學(xué)晶體管,首次將壓電電子學(xué)效應(yīng)引入到二維超薄非層狀壓電半導(dǎo)體材料中。該工作系統(tǒng)地研究了二維超薄氧化鋅垂直方向上的壓電特性,利用金屬-半導(dǎo)體界面處產(chǎn)生的壓電極化電荷(即垂直方向上的壓電電勢)作為柵極電壓有效地調(diào)控了該器件的載流子輸運特性,并且通過將兩個超薄壓電電子學(xué)晶體管串聯(lián)實現(xiàn)了簡易的壓力調(diào)控的邏輯電路。這項研究證實了壓電極化電荷在超短溝道中“門控”效應(yīng)的有效性,該器件不需要外部柵電極或任何其它在納米級長度下具有挑戰(zhàn)性的圖案化工藝設(shè)計。這項研究成果開辟了壓電電子學(xué)效應(yīng)在二維非層狀壓電半導(dǎo)體材料的研究,并且在人機界面、能源收集和納米機電系統(tǒng)等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景。相關(guān)研究成果以 Ultrathin Piezotronic Transistors with 2 nm Channel Lengths 為題發(fā)表在 ACS Nano上 (DOI: 10.1021/acsnano.8b01957)。

兩納米超短溝道的壓電電子學(xué)晶體管制備成功

來源:中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所

耐火材料是高溫工業(yè)生產(chǎn)的基礎(chǔ),提高耐火材料的的抗熱震穩(wěn)定性,探討耐火材料熱震損毀機理具有重要的工程與學(xué)術(shù)價值。本項目針對耐火材料裂紋局域應(yīng)力場與熱震斷裂能耗散機制開展研究工作,發(fā)展了四類可用于微納米局域應(yīng)力場實時傳感與成像的技術(shù),分別是:基于拉曼光譜及壓致發(fā)光光譜成像技術(shù)對裂紋擴展過程區(qū)與裂尖塑性區(qū)進行原位表征,基于壓電電子學(xué)/壓電光電子學(xué)效應(yīng)的微納米柔性應(yīng)力傳感陣列,基于應(yīng)力發(fā)光材料的自發(fā)光效應(yīng)對熱震裂紋端部應(yīng)力場的應(yīng)力可視化傳感,以及基于摩擦電陣列傳感器件的耐火材料試樣預(yù)制裂紋局域應(yīng)力自供能實時傳感。在此基礎(chǔ)上,研究了耐火材料微結(jié)構(gòu)對裂紋尖端應(yīng)力場的影響,以及熱震裂紋局域應(yīng)力分布與裂紋擴展/閉合行為,探索了顆粒相增韌界面對熱震斷裂能耗散過程影響的內(nèi)在聯(lián)系。通過彈塑性模型對裂尖塑性區(qū)應(yīng)力/應(yīng)變行為開展了使役環(huán)境下耐火材料的熱—損傷模型研究,為完善復(fù)相耐火材料體系熱震損傷理論,提高耐火材料抗熱震穩(wěn)定性提供理論依據(jù)。在本項目的資助下,我們課題組的研究工作逐漸形成自己的研究特色。尤其是基于壓電電子學(xué)/壓電光電子學(xué)效應(yīng)的微納米柔性應(yīng)力傳感陣列,基于應(yīng)力發(fā)光材料的自發(fā)光效應(yīng)的應(yīng)力可視化傳感,以及基于摩擦電陣列傳感器件的局域應(yīng)力自供能實時傳感這三個方面引起了相關(guān)研究領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。迄今為止,已在主流國際學(xué)術(shù)刊物發(fā)表標注本基金資助的學(xué)術(shù)論文13篇,其中被中科院一區(qū)所收錄的期刊論文有11篇,在材料學(xué)頂尖期刊Advanced Materials上發(fā)表論文4篇,ESI高引用論文1篇,以及約稿綜述2篇;參加國際和國內(nèi)學(xué)術(shù)會議報告5人次;應(yīng)邀作為SCI期刊Journal of Nanomaterials的客座編輯出版Functional Devices for Clean Energy and Advanced Sensor Applications專輯。

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