1太陽能電池介紹
1.1引言
1.2太陽能電池的基本原理
1.3太陽能電池的發(fā)展歷史及趨勢
1.4太陽能電池的種類
參考文獻
2量子點敏化太陽能電池的研究
2.1量子點敏化劑的特性
2.2量子點敏化太陽能電池的結(jié)構(gòu)和組成
2.3量子點敏化太陽能電池的工作機理
2.4提高量子點敏化太陽能電池效率的方法
參考文獻
3ZnO和In2S3在太陽能電池中的應用
3.1ZnO的性質(zhì)及其在太陽能電池中的應用
3.2In2S3在太陽能電池中的應用
參考文獻
4CdSe敏化Al摻雜ZnO納米棒陣列復合薄膜的制備及其光電化學性能
4.1引言
4.2實驗試劑和儀器設備
4.3Al摻雜ZnO納米棒陣列薄膜的制備與表征
4.4CdSe敏化Al摻雜ZnO納米棒陣列薄膜的制備及其光電化學性能研究
4.5本章小結(jié)
5大面積高能面裸露的ZnO納米片陣列薄膜的制備及其光電化學性能
5.1引言
5.2ZnO納米片陣列薄膜的制備
5.3ZnO納米片陣列薄膜的表征
5.4反應條件對形貌演變的影響
5.5ZnO納米片陣列薄膜的性質(zhì)研究
5.6本章小結(jié)
6Ⅱ-Ⅵ族半導體/ZnO納米片陣列復合薄膜的制備及其光電化學性能研究
6.1引言
6.2CdS敏化ZnO納米片陣列薄膜的制備及其光電化學性能研究
6.3CdSe敏化ZnO納米片陣列薄膜的制備及其光電化學性能研究
6.4CdS/CdSe共敏化ZnO納米片陣列薄膜的制備及其光電化學性能研究
6.5本章小結(jié)
參考文獻
7片狀In2S3薄膜的制備及其光電化學性質(zhì)
7.1引言
7.2實驗過程
7.3結(jié)果與討論
7.4In2S3薄膜向In2O3薄膜的轉(zhuǎn)化
7.5本章小結(jié)
8楔形In2S3薄膜的制備及其光電化學性質(zhì)
8.1引言
8.2實驗過程
8.3結(jié)果與討論
8.4本章小結(jié)
一個達標,一個不達標次氧化鋅的成分有些是達不到國家標準的
氧化鋅 1.物質(zhì)的理化常數(shù) 國標編號 ---- CAS號 1314-13-2 中文名稱 氧化鋅 英文名稱 Zine oxide;Zine white 別 名 鋅白;鋅氧粉 分子式 ZnO 外觀與性狀 ...
主要用于橡膠或電纜工業(yè)作補強劑和活性劑,也作白色膠的著色劑和填充劑,在氯丁橡膠中用作硫化劑等;在化肥工業(yè)中對原料氣作精脫硫用;主要用作白色顏料,橡膠硫化活性劑、補強劑,有機合成催化劑、脫硫劑,用于靜電...
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頁數(shù): 60頁
評分: 4.7
Ⅱ-Ⅵ族直接帶隙化合物半導體氧化鋅(ZnO)的禁帶寬度為3.37 eV,室溫下激子束縛能高達60 meV,遠高于室溫熱離化能(26 meV),是制造高效率短波長探測、發(fā)光和激光器件的理想材料。歷經(jīng)10年的發(fā)展,ZnO基半導體的研究在薄膜生長、雜質(zhì)調(diào)控和器件應用等方面的研究獲得了巨大的進展。本文主要介紹了以國家"973"項目(2011CB302000)研究團隊為主體,在上述方面所取得的研究進展,同時概述國際相關研究,主要包括襯底級ZnO單晶的生長,ZnO薄膜的同質(zhì)、異質(zhì)外延,表面/界面工程,異質(zhì)結(jié)電子輸運性質(zhì)、合金能帶工程,p型摻雜薄膜的雜質(zhì)調(diào)控,以及基于上述結(jié)果的探測、發(fā)光和激光器件等的研究進展。迄今為止,該團隊已經(jīng)實現(xiàn)了薄膜同質(zhì)外延的二維生長、硅襯底上高質(zhì)量異質(zhì)外延、基于MgZnO合金薄膜的日盲紫外探測器、可重復的p型摻雜、可連續(xù)工作數(shù)十小時的同質(zhì)結(jié)紫外發(fā)光管以及模式可控的異質(zhì)結(jié)微納紫外激光器件等重大成果。本文針對這些研究內(nèi)容中存在的問題和困難加以剖析并探索新的研究途徑,期望能對ZnO材料在未來的實際應用起到一定的促進作用。
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頁數(shù): 3頁
評分: 4.6
以聚丙烯(PP)為基體樹脂,氧化稀土為成核劑,油酸酰胺改性載銀磷酸鋯為抗菌劑,制備成核劑母粒、抗菌劑母粒和抗菌PP薄膜,并對其性能進行研究。結(jié)果表明:經(jīng)氧化稀土成核改性的抗菌PP薄膜,球晶尺寸減小,結(jié)晶度提高;含0.3%氧化稀土和0.8%改性載銀磷酸鋯的PP薄膜,其拉伸強度、直角撕裂強度、透光率有不同程度的提高,霧度明顯下降,對大腸桿菌和金黃色葡萄球菌抗菌率為99.87%和99.24%,抗菌性能和物理力學性能優(yōu)良。
IZO薄膜和TFT器件制備:在清洗干凈的玻璃上采用甩膠法旋涂IZO溶膠,前期轉(zhuǎn)速為500r/min,時間為15s;后期轉(zhuǎn)速為2000r/min,時間為1min。然后,在150℃溫度下加熱15min,使溶劑蒸發(fā),由最初的溶膠變?yōu)槟z。最后,放入加熱爐中300℃退火30min,即可形成IZO薄膜。如果要得到理想厚度的薄膜,提高轉(zhuǎn)速可以降低薄膜厚度,重復上述操作可以增加薄膜厚度。TFT器件采用底柵結(jié)構(gòu),先在CorningEXG玻璃基板上直流濺射厚度約為100nm的ITO并光刻出柵電極,然后在等離子增強型化學氣相沉積PECVD系統(tǒng)中沉積300nm的SiO2薄膜作為柵絕緣層,接著濺射100nm的ITO并光刻定義出源漏電極,溝道的寬度和長度分別為100μm和20μm。最后采用旋涂法制備IZO薄膜,光刻出溝道區(qū)域,在300℃下對器件退火處理3h。 2100433B
氧化鋅納米材料是一種多功能性的新型無機材料,其具有一系列優(yōu)異性能和十分誘人的應用前景,因此,研發(fā)氧化鋅納米材料已成為許多科技人員關注的焦點。 《氧化鋅納米材料制備及應用》圍繞多孔ZnO薄膜和納米ZnO粉體的制備、性能測試及應用進行了研究。全書共7章,主要研究了表面活性劑輔助電化學沉積法、絡合物溶膠凝膠法制備多孔ZnO薄膜,表面活性劑輔助直接沉淀法制備ZnO納米結(jié)構(gòu)材料以及金屬離子摻雜納米ZnO的表征及發(fā)光性能等。
本書對于從事無機非金屬材料、透明導電氧化物(或透明氧化物半導體)、染料敏化太陽能電池、新能源材料與器件等領域的科研人員和技術人員,以及高等學校相關專業(yè)師生具有參考價值。
采用常壓超聲噴霧熱解法、通過氮和銦共摻雜,成功地制備出p型氧化鋅薄膜,其電學性能遠遠超過國際上的最好水平(電阻率降低了2個數(shù)量級,霍爾遷移率提高了2~3個數(shù)量級)。在此基礎上,又制備出具有p-氧化鋅/n-氧化鋅雙層結(jié)構(gòu)的氧化鋅同質(zhì)p-n結(jié)。這是首次用簡單易行的方法制備出性能優(yōu)異的p型氧化鋅薄膜及氧化鋅同質(zhì)p-n結(jié)。這些研究成果對于深入研究氧化鋅薄膜晶體生長和摻雜機理、試制新型氧化鋅短波長發(fā)光器件、拓寬氧化鋅薄膜應用領域等方面具有重要意義。
同時,由于氧化鋅一維納米材料具有許多特異的物理、化學特性,在構(gòu)建納米電子和光學器件方面具有巨大的應用潛力,受到廣泛的關注。該課題組通過對汽相傳輸法制備高純度、復雜形狀一維氧化鋅納米材料的研究,自組裝成直徑小于60納米、尺度分布均勻、具有復雜納米結(jié)構(gòu)的一維氧化鋅納米棒,并且實現(xiàn)了對其同質(zhì)催化和縱向排列的定向控制。其中,四腳狀氧化鋅納米結(jié)構(gòu)的研究已達到國際先進水平?實現(xiàn)了對其同質(zhì)催化控制和縱向排列的定向控制。