云母電容

瓷片電容上標注的數(shù)字、字母含義 江蘇省泗陽縣李口中學沈正中 瓷片電容有高壓瓷片電容和普通瓷片電容， 普通瓷片電容耐壓過 去標準是 50V，現(xiàn)為 63V，高壓瓷片電容器有幾百伏的， 有幾千伏的， 一般在容值下面標出。如： 0.022j250V瓷片電容是 0.022uF，容量誤 差 5%，250V。 普通瓷片電容，標有如“224j”的是容量和誤差，224是 220000pF， 即 0.22μF，j 代表容量誤差為 5%。容量誤差有： F級±1%，G 級±2%， J級±5%，K 級±10%，M 級±20%。 電容耐壓值是用 1位數(shù)字和 1個字母表示的， 如：2G472J，頭兩 位 2G是表示耐壓 400V，后面的表示容量與誤差，可對照下表查閱： A B C D E F G H J K Z 0 1.0 1.25 1.6 2.0 2.5 3.15 4.0 5.0 6.3 8.0 9.0 1 10

一、電容的主要參數(shù)： 1、 電壓 1） 額定電壓：兩端可以持續(xù)施加的電壓，一般為直流電壓，通常用 VDC。而專用于 交流電的則為交流有效值電壓，通常為 VAC。 電容器的交直流額定電壓換算關系 直流額定電壓 VR/VDC 50 63 100 250 400 630 1000 交流額定電壓 VR/VAC 30 40 63 160 200 220 250 2） 浪涌電壓：電解電容特有的電壓參數(shù)，是短時間可以承受的過電壓，為額定電壓的 1.15 倍。 3） 瞬時過電壓：是鋁電解電容特有電壓參數(shù)，為可以瞬時承受的過電壓，這個浪涌電 壓約為額定電壓的 1.3 倍，是鋁電解電容的擊穿電壓。 4） 介電強度：電容額定電壓低于電容中介質的擊穿電壓。一般為額定電壓的 1.5~2.5 倍。如：鋁電解電容的擊穿電壓約為額定電壓的 1.3 倍；其它介質則通常為 1.75~2 倍以上。 5） 試驗電壓：薄膜電容