1885年德國礦物學家威斯巴克在一礦山發(fā)現了一種以硫化銀為主的新礦石—弗賴堡礦石,即硫化銀鍺礦(4Ag2S.GeS2)。1886年,德國化學家溫克勒(C.A.Winkler)分析這一新礦物,八個全分析結果均差7%左右,因此他斷定礦石中一定含有一種未知的新元素。他認為這個新元素必定同砷、銻、錫三者同屬于一分析組,于是他將礦物與碳酸鈉和硫共熔,然后溶于水中,過濾,溶液中加入大量鹽酸即得到大量片狀的白色沉淀,把這種沉淀烘干后于氫氣流中加熱還原,就得到了這種新元素。溫克勒為了紀念他的祖國德意志,把這種新元素命名為Germanium,即“鍺”,源自德國的拉丁名稱“Germania”。
鍺在周期表中的位置,正好夾在金屬和非金屬之間。鍺雖屬于金屬,但卻具有許多類似于非金屬的性質,在化學上稱為“半金屬”。就其導電能力而言,優(yōu)于一般非金屬,劣于一般金屬,故在物理學上被稱為“半導體”。鍺在地殼中的含量為一百萬分之七,并不算稀有。然后,鍺卻非常分散,幾乎沒有比較集中的鍺礦。因此,被人們稱為“稀散金屬”,鍺的主要用途是作為半導體工業(yè)的重要原料。為此,對鍺純度的要求也相當之高,通常需要達到八到九個9的純度(~99.999999%)。半導體鍺可用于制造各種晶體管、計算機等;由于溫度改變時,鍺的電阻也立即隨之發(fā)生靈敏的變化,所以鍺可用來制造“熱敏電阻”。
鍺一般從鉛鋅冶煉或燃燒煤過程中以副產品回收。原料用火法冶煉或濕法冶煉從主金屬分離并富集成鍺精礦后,再氯化和分精餾或萃取提純成純四氯化鍺。純四氯化鍺水解獲得高純二氧化鍺,經烘干后氫還原成金屬鍺,再進行區(qū)域提純?yōu)楦呒冩N,最后用直拉法制成單晶鍺(見直拉鍺單晶)。2100433B
半導體主要具有三大特性:1.熱敏特性半導體的電阻率隨溫度變化會發(fā)生明顯地改變。例如純鍺,濕度每升高10度,它的電阻率就要減小到原來的1/2。溫度的細微變化,能從半導體電阻率的明顯變化上反映出來。利用半...
半導體封裝簡介:半導體生產流程由晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試組成。半導體封裝是指將通過測試的晶圓按照產品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。封裝過程為:來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝...
LED燈是應用半導體材料制作成發(fā)光二極體來裝配成燈,所以屬于半導體;
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實用標準文案 精彩文檔 建 平 縣 職 業(yè) 教 育 中 心 備 課 教 案 課 題 模塊(單元)第一章 項目(課) 半導體的主要特征 授課班級 11電子 授課教師 安森 授課類型 新授 授課時數 2 教學目標 知識目標 描述半導體的主要特征 能力目標 能夠知道 P型半導體和 N型半導體的特點 情感態(tài)度目標 培養(yǎng)學生的學習興趣,培養(yǎng)學生的愛崗敬業(yè)精神 教學核心 教學重點 半導體的主要特征 教學難點 P型半導體和 N型半導體的特點 思路概述 先講解半導體的特點,再講 P型半導體和 N型半導體的特點 教學方法 讀書指導法、演示法。 教學工具 電腦,投影儀 教 學 過 程 一、組織教學:師生互相問候,安全教育,上實訓課時一定要聽從老師的指揮,在實訓室不要亂動電源。 二、復習提問:生活中哪些電子元器件是利用半導體制作出來的? 三、導入新課: 我們的生活中根據導電能力的強弱可以分成哪幾種, 這節(jié)課我
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No. Type Vi Vo Fre Package Io ηmax OCP OTP SP 技術誤 差 同類PIN對PIN產品型 號 適用產品范圍 備注 1 TD1410 3.6~20 1.222~18 380KHz SOP-8 2A 95% Y ≤3% MPS1410/9141/ACT4060/A TC4012/FSP3126/ZA3020 等 便攜式DVD、LCD顯示驅動板。液晶顯示器、液晶電視、數碼相 框.電信ADSL.車載DVD/VCD/CD.GPS。安防等 TD1410采用CMOS工藝 /6寸晶圓。是一款高效率低損耗 ,工作穩(wěn)定 ,性價比 很高使用面廣的 DC/DC電源管理芯片。 3 TD1534 1~20 0.8~18 380KHz SOP8 2A 95% Y ≤2% MP1513 TD1513 路由器,便攜式 DVD、機頂盒、平板電腦、筆記本電腦、 LCD顯示 驅動板 .液晶
鍺片 |
具有半導體性質。對固體物理和固體電子學的發(fā)展超過重要作用。鍺的熔密度5.32克/厘米3,鍺可能性劃歸稀散金屬,鍺化學性質穩(wěn)定,常溫下不與空氣或水蒸汽作用,但在600~700℃時,很快生成二氧化鍺。與鹽酸、稀硫酸不起作用。濃硫酸在加熱時,鍺會緩慢溶解。在硝酸、王水中,鍺易溶解。堿溶液與鍺的作用很弱,但熔融的堿在空氣中,能使鍺迅速溶解。鍺與碳不起作用,所以在石墨坩堝中熔化,不會被碳所污染。鍺有著良好的半導體性質,如電子遷移率、空穴遷移率等等。鍺的發(fā)展仍具有很大的潛力?,F代工業(yè)生產的鍺,主要來自銅、鉛、鋅冶煉的副產品。2100433B
隨著鍺半導體材料提純技術的進展,已可直接用超純鍺材料制備輻射探測器。它具有工藝簡單、制造周期短和可在室溫下保存等優(yōu)點。用超純鍺材料還便于制成X、γ射線探測器,既可做成很大靈敏體積,又有很薄的死層,可同時用來探測X和γ射線。高純鍺探測器發(fā)展很快,有逐漸取代鍺。
采用高純度的 P型Ge單晶,一端表面通過蒸發(fā)擴散或加速器離子注入施主雜質(如磷或鋰)形成 N區(qū) 和 N ,并形成P-N結。另一端蒸金屬形成 P ,并作為入射窗。兩端引出電極。
因為雜質濃度極低,相應的電阻率很高??臻g電荷密度很小,P區(qū)的耗盡層厚度大。
1) P區(qū)存在空間電荷,HPGe半導體探測器是PN結型探測器 。
2) P區(qū)為非均勻電場。
3) P區(qū)為靈敏體積,其厚度與外加電壓有關,一般工作于全耗盡狀態(tài)。
4) HPGe半導體探測器可在常溫下保存,低溫下工作。
鍺片 |
粉末狀呈暗藍色,結晶狀,為銀白色脆金屬。密度5.35克/厘米3。熔點937.4℃。沸點2830℃?;蟽r 2和 4。第一電離能7.899電子伏特。是一種稀有金屬,重要的半導體材料。不溶于水、鹽酸、稀苛性堿溶液。溶于王水、濃硝酸或硫酸、熔融的堿、過氧化堿、硝酸鹽或碳酸鹽。在空氣中不被氧化。其細粉可在氯或溴中燃燒。