真空傳感器

1.傳感器：能感受規(guī)定的被測(cè)量并按照一定的規(guī)律轉(zhuǎn)換成可用輸出信號(hào)的器件或裝置。通常有敏感元件和轉(zhuǎn)換元件組成。

①敏感元件是指?jìng)鞲衅髦心苤苯樱ɑ蝽憫?yīng)）被測(cè)量的部分。

②轉(zhuǎn)換元件指?jìng)鞲衅髦心茌^敏感元件感受（或響應(yīng)）的北側(cè)量轉(zhuǎn)換成是與傳輸和（或）測(cè)量的電信號(hào)部分。

③當(dāng)輸出為規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)時(shí)，則稱為變送器。

2. 測(cè)量范圍：在允許誤差限內(nèi)被測(cè)量值的范圍。

3. 量程：測(cè)量范圍上限值和下限值的代數(shù)差。

4. 精確度：被測(cè)量的測(cè)量結(jié)果與真值間的一致程度。

5. 從復(fù)性：在所有下述條件下，對(duì)同一被測(cè)的量進(jìn)行多次連續(xù)測(cè)量所得結(jié)果之間的符合程度：

6. 分辨力：傳感器在規(guī)定測(cè)量范圍圓可能檢測(cè)出的被測(cè)量的最小變化量。

7. 閾值：能使傳感器輸出端產(chǎn)生可測(cè)變化量的被測(cè)量的最小變化量。

8. 零位：使輸出的絕對(duì)值為最小的狀態(tài)，例如平衡狀態(tài)。

9. 激勵(lì)：為使傳感器正常工作而施加的外部能量（電壓或電流）。

10. 最大激勵(lì)：在市內(nèi)條件下，能夠施加到傳感器上的激勵(lì)電壓或電流的最大值。

11. 輸入阻抗：在輸出端短路時(shí)，傳感器輸入的端測(cè)得的阻抗。

12. 輸出：有傳感器產(chǎn)生的與外加被測(cè)量成函數(shù)關(guān)系的電量。

13. 輸出阻抗：在輸入端短路時(shí)，傳感器輸出端測(cè)得的阻抗。

14. 零點(diǎn)輸出：在市內(nèi)條件下，所加被測(cè)量為零時(shí)傳感器的輸出。

15. 滯后：在規(guī)定的范圍內(nèi)，當(dāng)被測(cè)量值增加和減少時(shí)，輸出中出現(xiàn)的最大差值。

16. 遲后：輸出信號(hào)變化相對(duì)于輸入信號(hào)變化的時(shí)間延遲。

17. 漂移：在一定的時(shí)間間隔內(nèi)，傳感器輸出終于被測(cè)量無(wú)關(guān)的不需要的變化量。

18. 零點(diǎn)漂移：在規(guī)定的時(shí)間間隔及室內(nèi)條件下零點(diǎn)輸出時(shí)的變化。

19. 靈敏度：傳感器輸出量的增量與相應(yīng)的輸入量增量之比。

20. 靈敏度漂移：由于靈敏度的變化而引起的校準(zhǔn)曲線斜率的變化。

21. 熱靈敏度漂移：由于靈敏度的變化而引起的靈敏度漂移。

22. 熱零點(diǎn)漂移：由于周?chē)鷾囟茸兓鸬牧泓c(diǎn)漂移。

23. 線性度：校準(zhǔn)曲線與某一規(guī)定只限一致的程度。

24. 菲線性度：校準(zhǔn)曲線與某一規(guī)定直線偏離的程度。

25.長(zhǎng)期穩(wěn)定性：傳感器在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)仍能保持不超過(guò)允許誤差的能力。

26. 固有憑率：在無(wú)阻力時(shí)，傳感器的自由（不加外力）振蕩憑率。

27. 響應(yīng)：輸出時(shí)被測(cè)量變化的特性。

28. 補(bǔ)償溫度范圍：使傳感器保持量程和規(guī)定極限內(nèi)的零平衡所補(bǔ)償?shù)臏囟确秶?

29. 蠕變：當(dāng)被測(cè)量機(jī)器多有環(huán)境條件保持恒定時(shí)，在規(guī)定時(shí)間內(nèi)輸出量的變化。

30. 絕緣電阻：如無(wú)其他規(guī)定，指在室溫條件下施加規(guī)定的直流電壓時(shí)，從傳感器規(guī)定絕緣部分之間測(cè)得的電阻值。

場(chǎng)發(fā)射真空傳感器是采用MEMS加工工藝研制一種新型的基于硅尖陣列場(chǎng)發(fā)射原理的微型真空傳感器。通過(guò)理論分析， 確立了該種傳感器中硅尖場(chǎng)發(fā)射電流與真空度的關(guān)系。并利用干法刻蝕工藝， 在硅片上制作了高3.2μm， 曲率半徑小于70nm的200 ×42硅尖陣列。保持陽(yáng)極與硅尖距離為1μm的情況下， 可以觀察到陽(yáng)極電壓為10V左右時(shí)開(kāi)始有明顯的場(chǎng)發(fā)射電流。

利用硅尖陣列場(chǎng)發(fā)射電流大小隨真空度變化而變化的現(xiàn)象， 研制了一種基于硅尖陣列場(chǎng)發(fā)射原理的場(chǎng)發(fā)射真空傳感器。利用MEMS加工工藝制作出傳感器樣機(jī)， 并搭建測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試其特性。通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)， 隨著真空度的提高， 傳感器輸出電流也會(huì)隨之增大， 而且真空度越高輸出電流越大， 分辨率、靈敏度越高。

真空傳感器的工作原理是介質(zhì)的壓力直接作用在傳感器的膜片上，使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移，使傳感器的電阻發(fā)生變化，和用電子線路檢測(cè)這一變化，并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)對(duì)應(yīng)于這個(gè)壓力的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)。

綜合精度： 0.25%FS、0.5%FS輸出信號(hào)： 4～20mA(二線制)、0～5V、1～5V、0～10V(三線制)

零點(diǎn)溫漂移： ≤±0.05%FS℃

量程溫度漂移： ≤±0.05%FS℃

補(bǔ)償溫度： 0~70℃

安全過(guò)載： 150%FS

極限過(guò)載： 200%FS

響應(yīng)時(shí)間： 5 mS(上升到90%FS)

負(fù)載電阻： 電流輸出型：最大800Ω；電壓輸出型：大于5KΩ

絕緣電阻： 大于2000MΩ (100VDC)

密封等級(jí)： IP65

長(zhǎng)期穩(wěn)定性能： 0.1%FS/年

振動(dòng)影響： 在機(jī)械振動(dòng)頻率20Hz～1000Hz內(nèi)，輸出變化小于0.1%FS

電氣接口(信號(hào)接口)： 緊線螺母 四芯屏蔽線

機(jī)械連接(螺紋接口)： 1/2-20UNF、M14×1.5、M20×1.5、M22×1.5等，其它螺紋可依據(jù)客戶要求設(shè)計(jì)

真空傳感器原理

壓阻式真空傳感器的測(cè)量部件是一個(gè)裝有固態(tài)壓力芯片，該芯片利用半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)，在特定晶面上，采用集成電路工藝技術(shù)擴(kuò)散成四個(gè)等值電阻，組成一個(gè)惠斯登電橋，使得形變與橋阻變化形成一一對(duì)應(yīng)關(guān)系，當(dāng)壓力變化時(shí)，電橋失去平衡，輸出一個(gè)與壓力成正比的電信號(hào)，再由感應(yīng)智能芯片進(jìn)行非線性修正和溫度補(bǔ)償，最終輸出與壓力成線性對(duì)應(yīng)關(guān)系的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)。原理圖如圖1 所示。

壓阻式真空傳感器的測(cè)量部件是一個(gè)裝有固態(tài)壓力芯片，該芯片利用半導(dǎo)體材料的壓阻效應(yīng)，在特定晶面上，采用集成電路工藝技術(shù)擴(kuò)散成四個(gè)等值電阻，組成一個(gè)惠斯登電橋，使得形變與橋阻變化形成一一對(duì)應(yīng)關(guān)系，當(dāng)壓力變化時(shí)，電橋失去平衡，輸出一個(gè)與壓力成正比的電信號(hào)，再由感應(yīng)智能芯片進(jìn)行非線性修正和溫度補(bǔ)償，最終輸出與壓力成線性對(duì)應(yīng)關(guān)系的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)。原理圖如圖2 所示。

真空傳感器理論函數(shù)

壓阻式真空傳感器是壓力變送器的一種，是將需要測(cè)量的真空變量轉(zhuǎn)換為可輸出的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)，輸出信號(hào)與真空變量之間有一定的函數(shù)關(guān)系，主要用于測(cè)量過(guò)程中真空參數(shù)的測(cè)量與控制 。典型的二線制壓阻式真空傳感器的測(cè)量范圍0 ～ 100 kPa、工作電壓為12 ～ 36 V，工作電流為4 ～ 20 mA 的標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)輸出，采用V /I 轉(zhuǎn)換電路且零位可自由遷移。壓阻式真空傳感器輸出信號(hào)和真空度的函數(shù)關(guān)系式如公式( 1) ：

I = 4 ( 20 - 4) P' ( 1)

式中： P'為某一真空狀態(tài)下的示值，kPa； P 為傳感器的滿量程值，kPa； I 為P'真空狀態(tài)下對(duì)應(yīng)的輸出電流值，mA。

通過(guò)公式( 1) 可以得出某一真空傳感器在測(cè)量范圍內(nèi)任意真空度對(duì)應(yīng)的理論電流輸出值，為其準(zhǔn)確信號(hào)輸出提供參考。

在對(duì)真空傳感器校準(zhǔn)時(shí)，由于測(cè)量誤差是按照測(cè)量準(zhǔn)確度等級(jí)劃分的，典型的壓阻式真空傳感器

測(cè)量誤差和準(zhǔn)確度間的函數(shù)關(guān)系如公式( 2) ：

△A = ( 20 － 4) δP ( 2)

式中： △A 為測(cè)量誤差的上下限值； P 為此傳感器的滿量程值，kPa； δ 為某一真空傳感器標(biāo)注的準(zhǔn)確度等級(jí)。

準(zhǔn)確度等級(jí)是傳感器的主要技術(shù)指標(biāo)，是一個(gè)定性的概念，通過(guò)公式( 2) 可以換算出真空傳感器在某一準(zhǔn)確度等級(jí)下的測(cè)量允許誤差限，可以判斷真空傳感器標(biāo)注的準(zhǔn)確度等級(jí)是否正確，如表1 所列。

為了使微型真空傳感器能夠覆蓋粗真空和高真空的測(cè)量，本項(xiàng)目提出利用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝在同一個(gè)硅片上加工皮拉尼真空傳感器和熱電離真空傳感器。在理論方面，發(fā)展了氣體導(dǎo)熱的微尺度效應(yīng)，利用分子動(dòng)力學(xué)方法計(jì)算了氣體熱導(dǎo)率與導(dǎo)熱尺度的關(guān)系，氣體熱導(dǎo)率隨導(dǎo)熱尺寸減小而減小。這與其他理論和實(shí)驗(yàn)結(jié)果是一致的，能夠應(yīng)用到皮拉尼傳感器的設(shè)計(jì)之中。利用COMSOL多物理場(chǎng)耦合軟件仿真了皮拉尼傳感器和熱電離傳感器的電熱耦合過(guò)程以及電子運(yùn)行軌跡，指導(dǎo)器件的設(shè)計(jì)。經(jīng)過(guò)多次0.5微米標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的流片，已成功將皮拉尼真空傳感器與熱電離真空傳感器在同一個(gè)芯片上完成，突破了工藝上的限制。皮拉尼真空傳感器采用較成熟的微熱板結(jié)構(gòu)，熱電離真空傳感器的結(jié)構(gòu)從鎢加熱絲發(fā)展到鎢的彈簧結(jié)構(gòu)，逐步提高了結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性及成品率。除了以鎢加熱電阻作為熱電離真空傳感器的發(fā)射極，也探索了利用CMOS工藝加工場(chǎng)發(fā)射電離真空傳感器的可能性。采用以運(yùn)算放大器為核心的恒電流電路分別為皮拉尼真空傳感器和熱電離真空傳感器提供電流。初步測(cè)試結(jié)果顯示，皮拉尼真空傳感器能夠滿足10E-1~10E5 Pa的測(cè)量，熱電離真空傳感器響應(yīng)區(qū)間為0.05~0.5 Pa，進(jìn)一步的測(cè)試正在進(jìn)行中。 2100433B

測(cè)量高真空的熱電離傳感器必須搭配測(cè)量低真空的皮拉尼傳感器，這需要兩款分立的真空傳感器，因此增加了測(cè)試系統(tǒng)的成本和復(fù)雜度。本項(xiàng)目首次提出將皮拉尼傳感器和熱電離傳感器以及信號(hào)處理電路利用CMOS工藝在同一個(gè)硅片上實(shí)現(xiàn)，構(gòu)成一個(gè)覆蓋熱電離傳感器和皮拉尼傳感器全范圍的全固態(tài)復(fù)合真空傳感器系統(tǒng)，量程為1.E 5Pa~1.E-6Pa。核心器件包括皮拉尼傳感器的鎢微熱板，熱電離傳感器的鎢電子發(fā)射極和采樣、放大等電路。工藝方面，擬采用0.5微米CMOS工藝，重點(diǎn)研究Post-CMOS工藝，掌握犧牲層腐蝕、鎢電子發(fā)射極的暴露等關(guān)鍵工藝。理論方面，深化皮拉尼傳感器中的微小尺度氣體導(dǎo)熱理論和熱電離傳感器的電熱場(chǎng)及電磁場(chǎng)的分析方法。該傳感器系統(tǒng)具有體積小、重量輕、實(shí)現(xiàn)兩款傳感器的無(wú)縫銜接等優(yōu)點(diǎn)，除常規(guī)真空測(cè)量外，還可用到以微電子封裝為代表的微小體積的真空測(cè)量和以深空探測(cè)為代表的對(duì)真空傳感器重量要求苛刻的領(lǐng)域。