真空科學(xué)與技術(shù)叢書:真空鍍膜

真空鍍膜設(shè)備內(nèi)容簡介

《真空鍍膜設(shè)備》詳細(xì)介紹了真空鍍膜設(shè)備的設(shè)計方法與鍍膜設(shè)備各機構(gòu)元件的設(shè)計計算、設(shè)計參數(shù)的選擇，其中重點、系統(tǒng)地介紹了磁控濺射靶的設(shè)計計算和濺射鍍膜的膜厚均勻性設(shè)計。全書共分13章，主要講解真空鍍膜室結(jié)構(gòu)、鍍膜室工件架、真空鍍膜機的加熱與測溫裝置、真空鍍膜機的抽氣系統(tǒng)、真空室電和運動的導(dǎo)入結(jié)構(gòu)、濺射鍍膜設(shè)備的充布?xì)庀到y(tǒng)、蒸發(fā)源、磁控濺射靶、濺射鍍膜的膜厚均勻性等方面的設(shè)計與計算。

《真空鍍膜設(shè)備》有很強的實用性，適合真空鍍膜設(shè)備的設(shè)計制造、真空鍍膜設(shè)備的應(yīng)用等與真空鍍膜技術(shù)有關(guān)的行業(yè)從事設(shè)計、設(shè)備操作與維護的技術(shù)人員使用，還可用作高等院校相關(guān)專業(yè)師生的教材及參考書。

真空鍍膜設(shè)備圖書目錄

1 真空鍍膜設(shè)備設(shè)計概述

2 真空鍍膜室結(jié)構(gòu)設(shè)計計算

2.1 基本設(shè)計原則

2.1 2鍍膜室的材料選擇與焊接要求

2.2.1 材料選擇

2.2.2 焊接要求

2.3 鍍膜室壁厚的計算

2.3.1 鍍膜室的計算壁厚

2.3.2 鍍膜室的實際壁厚與壁厚附加量

2.3.3 鍍膜室的最小壁厚

2.4 圓筒形鍍膜室殼體的設(shè)計計算

2.4.1 圓筒形鍍膜室基本設(shè)計參數(shù)

2.4.2 圓筒形鍍膜室的強度(壁厚)計算

2.4.3 外壓圓筒加強圈的設(shè)計

2.4.4 簡體加工允許偏差

2.4.5 鍍膜室封頭的壁厚計算

2.5 圓錐形殼體的設(shè)計

2.6 盒形殼體設(shè)計

2.7 壓力試驗

2.8 真空鍍膜室門設(shè)計

2.9 真空鍍膜室的冷卻

3 鍍膜室升降機構(gòu)的設(shè)計

3.1 立式鍍膜機真空室的升降機構(gòu)

3.1.1 機械升降機構(gòu)

3.1.2 液壓升降機構(gòu)

3.1.3 氣動液壓相結(jié)合的升降機構(gòu)

3.2 真空室的復(fù)位

4 鍍膜室工件架的設(shè)計

4.1 常用工件架

4.1.1 球面行星傳動工件架

4.1.2 摩擦傳動工件架

4.1.3 齒輪傳動工件架

4.1.4 撥桿傳動工件架

4.2 工件架的轉(zhuǎn)速

5 真空鍍膜機的加熱與測溫裝置

5.1 加熱方式及其裝置

5.2 測溫方式與裝置

5.3 真空室內(nèi)引線設(shè)計

6 真空鍍膜機的擋板機構(gòu)

7 真空鍍膜機的抽氣系統(tǒng)設(shè)計

7.1 鍍膜設(shè)備用真空系統(tǒng)

7.1.1 普通鍍膜設(shè)備用典型高真空系統(tǒng)

7.1.2 超高真空系統(tǒng)

7.2 真空鍍膜機抽氣系統(tǒng)的設(shè)計

7.2.1 真空鍍膜設(shè)備對抽氣系統(tǒng)的要求

7.2.2 鍍膜機抽氣系統(tǒng)的放氣量計算

7.2.3 真空泵的選擇

8 真空室內(nèi)電和運動的導(dǎo)人導(dǎo)出結(jié)構(gòu)設(shè)計

8.1 電導(dǎo)人導(dǎo)出結(jié)構(gòu)設(shè)計

8.1.1 電導(dǎo)入導(dǎo)出結(jié)構(gòu)設(shè)計要求

8.1.2 電導(dǎo)入導(dǎo)出部件的結(jié)構(gòu)形式

8.2 運動導(dǎo)入導(dǎo)出結(jié)構(gòu)設(shè)計

8.2.1 常規(guī)轉(zhuǎn)軸動密封導(dǎo)入導(dǎo)出結(jié)構(gòu)

8.2.2 磁流體動密封運動導(dǎo)入導(dǎo)出結(jié)構(gòu)

8.2.3 金屬波紋管密封柔性運動導(dǎo)入導(dǎo)出結(jié)構(gòu)

8.2.4 磁力驅(qū)動動密封運動導(dǎo)入導(dǎo)出結(jié)構(gòu)

9 充布?xì)庀到y(tǒng)設(shè)計

9.1 充布?xì)庀到y(tǒng)設(shè)計原則

9.2 充布?xì)庀到y(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計

9.2.1 充布?xì)庀到y(tǒng)類型及結(jié)構(gòu)

9.2.2 布?xì)夤苈方Y(jié)構(gòu)形式

9.2.3 充布?xì)夤苈贩治鲇嬎?

9.3 充氣控制方式設(shè)計

9.3.1 封閉式氣壓穩(wěn)定充氣控制

9.3.2 質(zhì)量流量控制器充氣控制

9.4 真空室內(nèi)充大氣時間計算

10 電磁屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)計

10.1 真空鍍膜設(shè)備屏蔽概述

10.2 電磁輻射屏蔽設(shè)計

11 蒸發(fā)源的設(shè)計計算

11.1 電阻加熱式蒸發(fā)源的熱計算

11.2 e型槍蒸發(fā)源的設(shè)計計算

11.2.1 燈絲參數(shù)計算

11.2.2 磁偏轉(zhuǎn)線圈及燈絲位置的確定

11.2.3 膜材蒸發(fā)時所需熱量

11.2.4 e型槍蒸發(fā)源的水冷卻

11.2.5 e型槍蒸發(fā)源的電源

11.2.6 多槍蒸發(fā)源的設(shè)計安裝

11.3 感應(yīng)加熱式蒸發(fā)源的結(jié)構(gòu)設(shè)計

11.3.1 坩堝設(shè)計

11.3.2 電源及其頻率的選擇

11.4 蒸發(fā)源的蒸發(fā)特性及膜厚分布

11.4.1 點蒸發(fā)源的膜厚分布

11.4.2 小平面蒸發(fā)源膜厚分布

11.4.3 環(huán)形蒸發(fā)源

11.4.4 矩形平面蒸發(fā)源

11.4.5 蒸發(fā)源與基片的相對位置

12 磁控濺射靶的設(shè)計

12.1 靶磁場的設(shè)計原則

12.1.1 磁場強度的選擇

12.1.2 磁場均勻性：

12.1.3 矩形靶彎道磁場設(shè)計

12.1.4 磁場設(shè)計改進方法

12.2 磁控靶的磁場設(shè)計計算

12.2.1 三維直角坐標(biāo)系中的靶磁場

12.2.2 矩形平面磁控濺射靶的磁場

12.2.3 圓形平面磁控濺射靶的磁場計算

12.2.4 同軸圓柱磁環(huán)濺射靶的磁場計算

12.2.5 同軸圓柱條形磁體濺射靶的磁場計算

12.2.6 S槍濺射靶的磁場計算

12.3 平面磁控靶結(jié)構(gòu)改進

12.3.1 運動磁場的靶結(jié)構(gòu)

12.3.2 雙環(huán)組合磁極靶結(jié)構(gòu)

12.3.3 組合磁場靶結(jié)構(gòu)

12.3.4 磁場分流靶結(jié)構(gòu)

12.3.5 其他磁體形式的靶結(jié)構(gòu)

12.4 永磁體及導(dǎo)磁片設(shè)計

12.4.1 永磁體材料

12.4.2 導(dǎo)磁墊片

12.5 陽極與屏蔽罩的設(shè)計

12.5.1 陽極設(shè)計

12.5.2 屏蔽罩設(shè)計

12.6 濺射靶水冷系統(tǒng)的設(shè)計與計算

12.6.1 冷卻水流速率的計算

12.6.2 冷卻水管內(nèi)徑的計算

12.6.3 冷卻水管長度

12.7 靶材的設(shè)計選擇

12.7.1 靶材的種類

12.7.2 靶材的選用原則

12.7.3 對靶材的技術(shù)要求

12.7.4 靶材與陰極背板的連接

12.7.5 常用靶材

12.8 磁控濺射靶設(shè)計方法

12.8.1 靶設(shè)計分析方法

12.8.2 磁控靶設(shè)計程序

13 濺射鍍膜的膜厚均勻性設(shè)計

13.1 濺射鍍膜不均勻性的原因及影響因素

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