使開關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大到12倍的雙極晶體管
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圖1所示電路采用最少的外部元件,就可使0.5A補(bǔ)償型開關(guān)穩(wěn)壓集成電路的最大輸出電流提高到6A以上。該電路適用于15V～60V輸入電壓,根據(jù)所選開關(guān)穩(wěn)壓集成電路的不同,可提供3.3V、5V或12V三種輸出電壓。圖2是在高達(dá)60V的輸入電壓范圍內(nèi)繪制的三種標(biāo)準(zhǔn)輸出電壓的轉(zhuǎn)換效率曲線。該電路適用于要求輸出電流、輸入電壓比標(biāo)準(zhǔn)集成電路高,或
絕緣柵雙極晶體管的設(shè)計(jì)要點(diǎn) 絕緣柵雙極晶體管的設(shè)計(jì)要點(diǎn)
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介紹了絕緣柵雙極晶體管(igbt)的基本結(jié)構(gòu)和工作原理;討論了igbt各關(guān)鍵參數(shù)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中需要考慮的主要問題;分析了igbt設(shè)計(jì)中需要協(xié)調(diào)的幾對矛盾參數(shù)的關(guān)系以及影響igbt可靠性的關(guān)鍵因素。
電子輻照對開關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響 電子輻照對開關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響
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功率雙極晶體管的損耗是開關(guān)電源總損耗中的最多的器件之一,采用10mev電子輻照來降低功率雙極晶體管的下降延時(shí),以此來降低功率雙極晶體管的關(guān)斷損耗。在一個(gè)典型的充電器開關(guān)電源中,85v交流輸入電壓下,功率雙極晶體管總損耗最多降低了42%,系統(tǒng)效率提高了2.1%。
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互補(bǔ)絕緣門極雙極晶體管(CIGBT)—一種新型功率開關(guān)器件 互補(bǔ)絕緣門極雙極晶體管(CIGBT)—一種新型功率開關(guān)器件
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互補(bǔ)絕緣門極雙極晶體管(CIGBT)—一種新型功率開關(guān)器件
開關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大雙極晶體管熱門文檔
第五章雙極型晶體管開關(guān)特性 (2)
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第五章雙極型晶體管開關(guān)特性 (2)
雙極型功率開關(guān)晶體管的新結(jié)構(gòu) 雙極型功率開關(guān)晶體管的新結(jié)構(gòu)
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雙極型功率開關(guān)晶體管的新結(jié)構(gòu)
動(dòng)態(tài)控制開關(guān)穩(wěn)壓器的輸出電壓 動(dòng)態(tài)控制開關(guān)穩(wěn)壓器的輸出電壓
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動(dòng)態(tài)控制開關(guān)穩(wěn)壓器的輸出電壓
雙極型靜電感應(yīng)晶體管的開關(guān)特性 雙極型靜電感應(yīng)晶體管的開關(guān)特性
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根據(jù)雙極型靜電感應(yīng)晶體管的通斷特性,提出了開關(guān)特性的測試方法。測試和給出了gji2d雙極型靜電感應(yīng)晶體管的開關(guān)參數(shù)、曲線和反偏參數(shù)。將gji2d與國外的雙極型晶體管和功率場效應(yīng)管進(jìn)行了比較。
10kV絕緣柵雙極型晶體管固體開關(guān)的研制 10kV絕緣柵雙極型晶體管固體開關(guān)的研制
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采用8只ixlf19n250a絕緣柵雙極型晶體管串聯(lián)研制成功了10kv固體開關(guān)。試驗(yàn)表明:該固體開關(guān)最高輸出電壓為14kv,最高輸出脈沖電流為20a、輸出脈沖寬度可在2112μs之間以1μs步長變化,脈沖重復(fù)頻率范圍為1hz4khz,短時(shí)間可以工作到8.6khz。
開關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大雙極晶體管精華文檔
雙極型靜電感應(yīng)晶體管開關(guān)時(shí)間的測量與分析 雙極型靜電感應(yīng)晶體管開關(guān)時(shí)間的測量與分析
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從理論和實(shí)驗(yàn)兩方面對靜電感應(yīng)晶體管（ｂｓｉｔ）的開關(guān)時(shí)間進(jìn)行了分析和測量，提出了簡單的分析方法，將影響ｂｓｉｔ開關(guān)時(shí)間的各個(gè)因素歸結(jié)為結(jié)構(gòu)因子和材料因子，從而簡化了分析影響ｂｓｉｔ開關(guān)時(shí)間的因素，對于ｂｓｉｔ的實(shí)際工藝、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)有指導(dǎo)意義。
16第三章晶體管的開關(guān)特性與擊穿電壓
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16第三章晶體管的開關(guān)特性與擊穿電壓
選用恰當(dāng)?shù)某挽o態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器 選用恰當(dāng)?shù)某挽o態(tài)電流低壓降穩(wěn)壓器
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靜態(tài)電流相同或極接近的超低靜態(tài)電流ldo的動(dòng)態(tài)性能可能差異很大。有兩項(xiàng)主要因素決定了這些器件的動(dòng)態(tài)性能。一是使用的半導(dǎo)體工藝,大多數(shù)當(dāng)今ldo使用先進(jìn)的cmos或bicmos技術(shù)制造;二是ldo設(shè)計(jì)中應(yīng)用的技術(shù)。有幾種不同類型的超低靜態(tài)電流
在復(fù)合式晶體開關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián) 在復(fù)合式晶體開關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián)
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在復(fù)合式晶體開關(guān)中晶體管IGBT的并聯(lián)
開關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大雙極晶體管最新文檔
正穩(wěn)壓輸出的電荷泵集成電路 正穩(wěn)壓輸出的電荷泵集成電路
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過去,電荷泵電路主要應(yīng)用于電壓反轉(zhuǎn)(v_(out)≈v_(in))或倍壓電路(v_(out)≈2v_(in))中,它們的輸出都不穩(wěn)壓,如icl7660、icl7662、max660等。近年來,利用電荷泵電路可進(jìn)行升壓和降壓,并集成了新型穩(wěn)壓電路(電壓調(diào)節(jié)電路),開發(fā)出無電感器的dc/dc變換器,它就是正穩(wěn)壓輸出的電荷泵集成電路。本文介紹其主要特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)與工作原理及典型應(yīng)用電路。
銻化銦晶體管工作電壓低、開關(guān)快
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基于雙極工藝的LDO線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)
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基于雙極工藝的LDO線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)
多路輸出直流穩(wěn)壓電源
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中南民族大學(xué) 課程設(shè)計(jì) 題目多路輸出直流穩(wěn)壓電源 學(xué)院計(jì)算機(jī)科學(xué)學(xué)院 專業(yè)自動(dòng)化 班級一班 姓名 指導(dǎo)教師 2010年6月20日 電子技術(shù)課程設(shè)計(jì) 任務(wù)書 設(shè)計(jì)題目：多路輸出直流穩(wěn)壓電源 學(xué)生姓名：專業(yè)班級：自動(dòng)化一班學(xué)號： 指導(dǎo)教師簽名：2010年6月20日 一、設(shè)計(jì)條件 1．可選元件（或自備元件）： 變壓器（±15v/15w）：一只 整流二極管或整流橋：若干 電阻、電容、電位器：若干 三端集成穩(wěn)壓器：若干 2．可用儀器：萬用表，示波器，毫伏表，信號發(fā)生器，直流穩(wěn)壓源 二、設(shè)計(jì)任務(wù)及要求 1．設(shè)計(jì)任務(wù) 根據(jù)技術(shù)要求和已知條件，完成對多路輸出直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)、裝配與調(diào)試。 2．設(shè)計(jì)要求 （1）將220v/50hz交流電源轉(zhuǎn)換為五路直流穩(wěn)壓電源輸出：±12v
電壓輸出與電流成比例的改進(jìn)型電流監(jiān)控器 電壓輸出與電流成比例的改進(jìn)型電流監(jiān)控器
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本設(shè)計(jì)實(shí)例是對以往設(shè)計(jì)實(shí)例的擴(kuò)展(參考文獻(xiàn)1)。原版采用一個(gè)電流變壓器,它的次級繞組構(gòu)成一個(gè)振蕩器振蕩回路的一部分。正常條件下,流經(jīng)電流變壓器單匝初級繞組的直流電流不會(huì)使電路保持振蕩,直到初級電流停止流動(dòng)。雖然這個(gè)電路起到一個(gè)斷電檢測器的作用,
場板抑制GaN高電子遷移率晶體管電流崩塌的機(jī)理研究 場板抑制GaN高電子遷移率晶體管電流崩塌的機(jī)理研究
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4.3
通過實(shí)驗(yàn)和數(shù)值器件仿真研究了鈍化gan高電子遷移率晶體管(hemts)、柵場板ganhemts和柵源雙層場板ganhemts電流崩塌現(xiàn)象的物理機(jī)理,建立了電流崩塌強(qiáng)度與帽層中載流子濃度、陷阱電離率和電場的內(nèi)在聯(lián)系.研究結(jié)果表明,場板可以有效調(diào)制帽層中橫向和縱向電場的強(qiáng)度分布,并可有效調(diào)制縱向電場的方向,減弱柵極附近電場強(qiáng)度,增加場板下方電場強(qiáng)度,這會(huì)減弱柵極附近自由電子的橫向運(yùn)動(dòng),增強(qiáng)場板下方自由電子的縱向運(yùn)動(dòng),進(jìn)而可以有效調(diào)制帽層中自由電子濃度的分布,提高陷阱的電離率,減小器件的電流崩塌.
一種低壓大電流直流電源的輸出電壓補(bǔ)償設(shè)計(jì) 一種低壓大電流直流電源的輸出電壓補(bǔ)償設(shè)計(jì)
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文中基于一種采用vicordc-dc轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的低壓大電流直流電源,通過采樣負(fù)載點(diǎn)電壓,外加反饋電路來調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)換器輸出電壓,以補(bǔ)償在大電流傳輸時(shí)負(fù)載線上的電壓降,從而達(dá)到穩(wěn)定負(fù)載點(diǎn)電壓的目的。本文詳細(xì)分析了電壓補(bǔ)償電路的原理,介紹了元器件選擇方法,并通過電壓補(bǔ)償電路的設(shè)計(jì)和測試驗(yàn)證了該電路的可行性。
美國研究者推出具有p型掩埋層電流阻斷的垂直氮化鎵晶體管 美國研究者推出具有p型掩埋層電流阻斷的垂直氮化鎵晶體管
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4.7
加利福利亞圣芭芭拉大學(xué)和亞利桑那州立大學(xué)近期研制出一種氮化鎵電流孔徑垂直電子晶體管(cavet),該產(chǎn)品擁有p型掩埋層,能產(chǎn)生反向偏置pn結(jié)。cavet將二維電子氣和垂直結(jié)構(gòu)相結(jié)合,在鋁鎵氮/氮化鎵界面處的二維電子氣能提供較高的導(dǎo)電性能,而垂直結(jié)構(gòu)能使得產(chǎn)品在較低峰值的條件下具有較好的電場分布。
大電流5V直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì) 大電流5V直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì)
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4.6
主要介紹以單相橋式整流電路及三端集成穩(wěn)壓器為主的直流穩(wěn)壓電源的設(shè)計(jì).從確定總體方案,到明確穩(wěn)壓電源的技術(shù)指標(biāo)及對穩(wěn)壓電源的要求,最后進(jìn)行參數(shù)的估算及元器件的選擇,利用visio軟件完成原理圖的繪制,實(shí)現(xiàn)將輸入220v,50hz的電網(wǎng)電壓轉(zhuǎn)換為輸出5v,2a的穩(wěn)定直流電.
開關(guān)穩(wěn)壓IC輸出電流增大雙極晶體管相關(guān)
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職位：市政給排水工程師
擅長專業(yè)：土建 安裝 裝飾 市政 園林
