1)TTL電路是電流控制器件,而CMOS電路是電壓控制器件。
2)TTL電路的速度快,傳輸延遲時(shí)間短(5-10ns),但是功耗大。
CMOS電路的速度慢,傳輸延遲時(shí)間長(zhǎng)(25-50ns),但功耗低。
CMOS電路本身的功耗與輸入信號(hào)的脈沖頻率有關(guān),頻率越高,芯片集越熱,這是正?,F(xiàn)象。
CMOS電路由于輸入太大的電流,內(nèi)部的電流急劇增大,除非切斷電源,電流一直在增大。這種效應(yīng)就是鎖定效應(yīng)。當(dāng)產(chǎn)生鎖定效應(yīng)時(shí),COMS的內(nèi)部電流能達(dá)到40mA以上,很容易燒毀芯片。
防御措施:
1)在輸入端和輸出端加鉗位電路,使輸入和輸出不超過規(guī)定電壓。
2)芯片的電源輸入端加去耦電路,防止VDD端出現(xiàn)瞬間的高壓。
3)在VDD和外電源之間加限流電阻,即使有大的電流也不讓它進(jìn)去。
4)當(dāng)系統(tǒng)由幾個(gè)電源分別供電時(shí),開關(guān)要按下列順序:開啟時(shí),先開啟CMOS電路的電源,再開啟輸入信號(hào)和負(fù)載的電源;關(guān)閉時(shí),先關(guān)閉輸入信號(hào)和負(fù)載的電源,再關(guān)閉CMOS 電路的電源。
CMOS:Complementary Metal Oxide Semiconductor PMOS+NMOS
1 邏輯電平電壓接近于電源電壓,0 邏輯電平接近于 0V。而且具有很寬的噪聲容限。
Vcc:5V;VOH>=4.45V;VOL<=0.5V;VIH>=3.5V;VIL<=1.5V。
相對(duì)TTL有了更大的噪聲容限,輸入阻抗遠(yuǎn)大于TTL輸入阻抗。對(duì)應(yīng)3.3V LVTTL,出現(xiàn)了LVCMOS,可以與3.3V的LVTTL直接相互驅(qū)動(dòng)。
3.3V LVCMOS:
Vcc:3.3V;VOH>=3.2V;VOL<=0.1V;VIH>=2.0V;VIL<=0.7V。
2.5V LVCMOS:
Vcc:2.5V;VOH>=2V;VOL<=0.1V;VIH>=1.7V;VIL<=0.7V。
CMOS使用注意:CMOS結(jié)構(gòu)內(nèi)部寄生有可控硅結(jié)構(gòu),當(dāng)輸入或輸入管腳高于VCC一定值(比如一些芯片是0.7V)時(shí),電流足夠大的話,可能引起閂鎖效應(yīng),導(dǎo)致芯片的燒毀。
TTL集成電路使用TTL管,也就是PN結(jié)。功耗較大,驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng),一般工作電壓+5V CMOS集成電路使用MOS管,功耗小,工作電壓范圍很大,一般速度也低,但是技術(shù)在改進(jìn),這已經(jīng)不是問題。 就TTL與C...
電路中的電平標(biāo)準(zhǔn)(TTL,CMOS,232等等)是哪個(gè)組織規(guī)定的?
個(gè)人計(jì)算機(jī)上的通訊接口之一,由電子工業(yè)協(xié)會(huì)(Electronic Industries Association,EIA) 所制定的異步傳輸標(biāo)準(zhǔn)接口。通常 RS-232 接口以9個(gè)引腳 (DB-9) 或...
最新5-6CMOS電路匯總
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最新5-6CMOS電路匯總
CMOS光接收機(jī)前端放大電路
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利用SMIC 0.18μmCMOS工藝設(shè)計(jì)了光接收機(jī)前端放大電路.在前置放大器中,設(shè)計(jì)了一種高增益有源反饋跨阻放大器,并且可以使輸出共模電平在較大范圍內(nèi)調(diào)解.在限幅放大器中,通過在改進(jìn)的Cherry-Hooper結(jié)構(gòu)里引入有源電感負(fù)反饋來(lái)進(jìn)一步擴(kuò)展帶寬.整個(gè)前端放大電路具有較高的靈敏度和較寬的輸入動(dòng)態(tài)范圍.Hspice仿真結(jié)果表明該電路具有119dB的中頻跨阻增益,2.02GHz的帶寬,對(duì)于輸入電流幅度從1.4μA到170μA變化時(shí),50Ω負(fù)載線上的輸出電壓限幅在320mV(V_(pp)),輸出眼圖穩(wěn)定清晰.核心電路靜態(tài)功耗為45.431mW.

1,TTL電平(什么是TTL電平):
TTL電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定,+5V等價(jià)于邏輯“1”,0V等價(jià)于邏輯“0”,這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng),這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。
TTL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的,首先計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸對(duì)于電源的要求不高以及熱損耗也較低,另外TTL電平信號(hào)直接與集成電路連接而不需要價(jià)格昂貴的線路驅(qū)動(dòng)器以及接收器電路;再者,計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是在高速下進(jìn)行的,而TTL接口的操作恰能滿足這個(gè)要求。TTL型通信大多數(shù)情況下,是采用并行數(shù)據(jù)傳輸方式,而并行數(shù)據(jù)傳輸對(duì)于超過10英尺的距離就不適合了。這是由于可靠性和成本兩面的原因。因?yàn)樵诓⑿薪涌谥写嬖谥嗪筒粚?duì)稱的問題,這些問題對(duì)可靠性均有影響。 TTL電路不使用的輸入端懸空為高電平。
輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下,一般輸出高電平是3.5V,輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平:輸入高電平>=2.0V,輸入低電平<=0.8V,噪聲容限是0.4V。
2,CMOS電平:
1邏輯電平電壓接近于電源電壓,0邏輯電平接近于0V。而且具有很寬的噪聲容限。 CMOS電路輸出高電平約為0.9Vcc,而輸出低電平約為 0.1Vcc。
CMOS電路不使用的輸入端不能懸空,會(huì)造成邏輯混亂。
另外,CMOS集成電路電源電壓可以在較大范圍內(nèi)變化,因而對(duì)電源的要求不像TTL集成電路那樣嚴(yán)格。
3,電平轉(zhuǎn)換電路:
因?yàn)門TL和COMS的高低電平的值不一樣(ttl 5v<==>cmos 3.3v),所以互相連接時(shí)需要電平的轉(zhuǎn)換:就是用兩個(gè)電阻對(duì)電平分壓,沒有什么高深的東西。哈哈
4,OC門
又稱集電極開路與非門門電路,Open Collector(Open Drain)。實(shí)際使用中,有時(shí)需要兩個(gè)或兩個(gè)以上與非門的輸出端連接在同一條導(dǎo)線上,將這些與非門上的數(shù)據(jù)(狀態(tài)電平)用同一條導(dǎo)線輸送出去。因此,需要一種新的與非門電路--OC門來(lái)實(shí)現(xiàn)“線與邏輯”。
OC門主要用于3個(gè)方面:
1、實(shí)現(xiàn)與或非邏輯,用做電平轉(zhuǎn)換,用做驅(qū)動(dòng)器。由于OC門電路的輸出管的集電極懸空,使用時(shí)需外接一個(gè)上拉電阻Rp到電源VCC。OC門使用上拉電阻以輸出高電平,此外為了加大輸出引腳的驅(qū)動(dòng)能力,上拉電阻阻值的選擇原則,從降低功耗及芯片的灌電流能力考慮應(yīng)當(dāng)足夠大;從確保足夠的驅(qū)動(dòng)電流考慮應(yīng)當(dāng)足夠小。
2、線與邏輯,即兩個(gè)輸出端(包括兩個(gè)以上)直接互連就可以實(shí)現(xiàn)“AND”的邏輯功能。在總線傳輸?shù)葘?shí)際應(yīng)用中需要多個(gè)門的輸出端并聯(lián)連接使用,而一般TTL門輸出端并不能直接并接使用,否則這些門的輸出管之間由于低阻抗形成很大的短路電流(灌電流),而燒壞器件。在硬件上,可用OC門或三態(tài)門(ST門)來(lái)實(shí)現(xiàn)。 用OC門實(shí)現(xiàn)線與,應(yīng)同時(shí)在輸出端口應(yīng)加一個(gè)上拉電阻。
3、三態(tài)門(ST門)主要用在應(yīng)用于多個(gè)門輸出共享數(shù)據(jù)總線,為避免多個(gè)門輸出同時(shí)占用數(shù)據(jù)總線,這些門的使能信號(hào)(EN)中只允許有一個(gè)為有效電平(如高電平),由于三態(tài)門的輸出是推拉式的低阻輸出,且不需接上拉(負(fù)載)電阻,所以開關(guān)速度比OC門快,常用三態(tài)門作為輸出緩沖器。
OD門,即漏極開路門電路open-drain,必須外界上拉電阻和電源才能將開關(guān)電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關(guān)大電壓和大電流負(fù)載,所以又叫做驅(qū)動(dòng)門電路。開漏形式的電路有以下幾個(gè)特點(diǎn):
1)利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力,減少IC內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)。 或驅(qū)動(dòng)比芯片電源電壓高的負(fù)載.
2)可以將多個(gè)開漏輸出的Pin,連接到一條線上。通過一只上拉電阻,在不增加任何器件的情況下,形成“與邏輯”關(guān)系。這也是I2C,SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。如果作為圖騰輸出必須接上拉電阻。接容性負(fù)載時(shí),下降延是芯片內(nèi)的晶體管,是有源驅(qū)動(dòng),速度較快;上升延是無(wú)源的外接電阻,速度慢。如果要求速度高電阻選擇要小,功耗會(huì)大。所以負(fù)載電阻的選擇要兼顧功耗和速度。
3)可以利用改變上拉電源的電壓,改變傳輸電平。例如加上上拉電阻就可以提供TTL/CMOS電平輸出等。
4)開漏Pin不連接外部的上拉電阻,則只能輸出低電平。一般來(lái)說(shuō),開漏是用來(lái)連接不同電平的器件,匹配電平用的。
5)正常的CMOS輸出級(jí)是上、下兩個(gè)管子,把上面的管子去掉就是OPEN-DRAIN了。這種輸出的主要目的有兩個(gè):電平轉(zhuǎn)換和線與。
6)由于漏級(jí)開路,所以后級(jí)電路必須接一上拉電阻,上拉電阻的電源電壓就可以決定輸出電平。這樣你就可以進(jìn)行任意電平的轉(zhuǎn)換了。
7)線與功能主要用于有多個(gè)電路對(duì)同一信號(hào)進(jìn)行拉低操作的場(chǎng)合,如果本電路不想拉低,就輸出高電平,因?yàn)镺PEN-DRAIN上面的管子被拿掉,高電平是靠外接的上拉電阻實(shí)現(xiàn)的。(而正常的CMOS輸出級(jí),如果出現(xiàn)一個(gè)輸出為高另外一個(gè)為低時(shí),等于電源短路。)
8)OPEN-DRAIN提供了靈活的輸出方式,但是也有其弱點(diǎn),就是帶來(lái)上升沿的延時(shí)。因?yàn)樯仙厥峭ㄟ^外接上拉無(wú)源電阻對(duì)負(fù)載充電,所以當(dāng)電阻選擇小時(shí)延時(shí)就小,但功耗大;反之延時(shí)大功耗小。所以如果對(duì)延時(shí)有要求,則建議用下降沿輸出。
5,TTL和COMS電路比較:
1)TTL電路是電流控制器件,而coms電路是電壓控制器件。
2)TTL電路的速度快,傳輸延遲時(shí)間短(5-10ns),但是功耗大。COMS電路的速度慢,傳輸延遲時(shí)間長(zhǎng)(25-50ns),但功耗低。COMS電路本身的功耗與輸入信號(hào)的脈沖頻率有關(guān),頻率越高,芯片集越熱,這是正?,F(xiàn)象。
3)COMS電路的鎖定效應(yīng):
COMS電路由于輸入太大的電流,內(nèi)部的電流急劇增大,除非切斷電源,電流一直在增大。這種效應(yīng)就是鎖定效應(yīng)。當(dāng)產(chǎn)生鎖定效應(yīng)時(shí),COMS的內(nèi)部電流能達(dá)到40mA以上,很容易燒毀芯片。
防御措施: 1)在輸入端和輸出端加鉗位電路,使輸入和輸出不超過不超過規(guī)定電壓。
2)芯片的電源輸入端加去耦電路,防止VDD端出現(xiàn)瞬間的高壓。
3)在VDD和外電源之間加線流電阻,即使有大的電流也不讓它進(jìn)去。
4)當(dāng)系統(tǒng)由幾個(gè)電源分別供電時(shí),開關(guān)要按下列順序:開啟時(shí),先開啟COMS電路得電源,再開啟輸入信號(hào)和負(fù)載的電源;關(guān)閉時(shí),先關(guān)閉輸入信號(hào)和負(fù)載的電源,再關(guān)閉COMS電路的電源。
6,COMS電路的使用注意事項(xiàng)
1)COMS電路時(shí)電壓控制器件,它的輸入總抗很大,對(duì)干擾信號(hào)的捕捉能力很強(qiáng)。所以,不用的管腳不要懸空,要接上拉電阻或者下拉電阻,給它一個(gè)恒定的電平。
2)輸入端接低內(nèi)組的信號(hào)源時(shí),要在輸入端和信號(hào)源之間要串聯(lián)限流電阻,使輸入的電流限制在1mA之內(nèi)。
3)當(dāng)接長(zhǎng)信號(hào)傳輸線時(shí),在COMS電路端接匹配電阻。
4)當(dāng)輸入端接大電容時(shí),應(yīng)該在輸入端和電容間接保護(hù)電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。
5)COMS的輸入電流超過1mA,就有可能燒壞COMS。
7,TTL門電路中輸入端負(fù)載特性(輸入端帶電阻特殊情況的處理):
1)懸空時(shí)相當(dāng)于輸入端接高電平。因?yàn)檫@時(shí)可以看作是輸入端接一個(gè)無(wú)窮大的電阻。
2)在門電路輸入端串聯(lián)10K電阻后再輸入低電平,輸入端出呈現(xiàn)的是高電平而不是低電平。因?yàn)橛蒚TL門電路的輸入端負(fù)載特性可知,只有在輸入端接的串聯(lián)電阻小于910歐時(shí),它輸入來(lái)的低電平信號(hào)才能被門電路識(shí)別出來(lái),串聯(lián)電阻再大的話輸入端就一直呈現(xiàn)高電平。這個(gè)一定要注意。COMS門電路就不用考慮這些了。
8,TTL電路有集電極開路OC門,MOS管也有和集電極對(duì)應(yīng)的漏極開路的OD門,它的輸出就叫做開漏輸出。
OC門在截止時(shí)有漏電流輸出,那就是漏電流,為什么有漏電流呢?那是因?yàn)楫?dāng)三機(jī)管截止的時(shí)候,它的基極電流約等于0,但是并不是真正的為0,經(jīng)過三極管的集電極的電流也就不是真正的 0,而是約0。而這個(gè)就是漏電流。開漏輸出:OC門的輸出就是開漏輸出;OD門的輸出也是開漏輸出。它可以吸收很大的電流,但是不能向外輸出的電流。所以,為了能輸入和輸出電流,它使用的時(shí)候要跟電源和上拉電阻一齊用。OD門一般作為輸出緩沖/驅(qū)動(dòng)器、電平轉(zhuǎn)換器以及滿足吸收大負(fù)載電流的需要。
9,什么叫做圖騰柱,它與開漏電路有什么區(qū)別?
TTL集成電路中,輸出有接上拉三極管的輸出叫做圖騰柱輸出,沒有的叫做OC門。因?yàn)門TL就是一個(gè)三級(jí)關(guān),圖騰柱也就是兩個(gè)三級(jí)管推挽相連。所以推挽就是圖騰。一般圖騰式輸出,高電平400UA,低電平8MA。
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[導(dǎo)讀] COMS集成電路是互補(bǔ)對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體(Compiementary symmetry metal oxide semicoductor)集成電路的英文縮寫,電路的許多基本邏輯單元都是用增強(qiáng)型PMOS晶體管和增強(qiáng)型NMOS管按照互補(bǔ)對(duì)稱形式連接的,靜態(tài)功耗很小。
COMS集成電路是互補(bǔ)對(duì)稱金屬氧化物半導(dǎo)體(Compiementary symmetry metal oxide semicoductor)集成電路的英文縮寫,電路的許多基本邏輯單元都是用增強(qiáng)型PMOS晶體管和增強(qiáng)型NMOS管按照互補(bǔ)對(duì)稱形式連接的,靜態(tài)功耗很小。
本文引用地址: http://www.21ic.com/app/analog/201709/736464.htm
COMS電路的供電電壓VDD范圍比較廣在+5~+15V均能正常工作,電壓波動(dòng)允許±10,當(dāng)輸出電壓高于VDD-0.5V時(shí)為邏輯 1,輸出電壓低于VSS+0.5V(VSS為數(shù)字地)為邏輯 0。CMOS電路輸出高電平約為 0.9Vcc,而輸出低電平約為 0.1Vcc.當(dāng)輸入電壓高于VDD-1.5V時(shí)為邏輯 1,輸入電壓低于VSS+1.5V(VSS為數(shù)字地)為邏輯 0。
TTL電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定,+5V等價(jià)于邏輯“1”,0V等價(jià)于邏輯“0”,這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng),這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。
標(biāo)準(zhǔn)TTL輸入高電平最小2V,輸出高電平最小2.4V,典型值3.4V,輸入低電平最大 0.8V,輸出低電平最大 0.4V,典型值 0.2V(輸入 H》2V,輸入 L《0.8V;輸出H 》2.4V(3.4V),輸出L《0.4V(0.2V)。
CMOS電平是數(shù)字信號(hào)還是模擬信號(hào)?
CMOS電平是數(shù)字信號(hào),COMS電路的供電電壓VDD范圍比較廣在+5--+15V均能正常工作,電壓波動(dòng)允許±10,當(dāng)輸出電壓高于VDD-0.5V時(shí)為邏輯1,輸出電壓低于VSS+0.5V(VSS為數(shù)字地)為邏輯0, 一般數(shù)字信號(hào)才是0和1 。

cmos電平轉(zhuǎn)換電路
1、 TTL電路和CMOS電路的邏輯電平
VOH: 邏輯電平 1 的輸出電壓
VOL: 邏輯電平 0 的輸出電壓
VIH : 邏輯電平 1 的輸入電壓
VIH : 邏輯電平 0 的輸入電壓
TTL電路臨界值:
VOHmin = 2.4V VOLmax = 0.4V VIHmin = 2.0V VILmax = 0.8V
CMOS電路臨界值(電源電壓為+5V)
VOHmin = 4.99V VOLmax = 0.01V VIHmin = 3.5V VILmax = 1.5V
2、TTL和CMOS的邏輯電平轉(zhuǎn)換
CMOS電平能驅(qū)動(dòng)TTL電平
TTL電平不能驅(qū)動(dòng)CMOS電平,需加上拉電阻。
3、用邏輯芯片特點(diǎn)
74LS系列: TTL 輸入: TTL; 輸出:TTL
74HC系列:CMOS輸入: CMOS; 輸出:CMOS
74HCT系列: CMOS 輸入:TTL; 輸出: CMOS
CD4000系列: CMOS 輸入: CMOS 輸出: CMOS。

常用的幾種電平轉(zhuǎn)換方案
(1) 晶體管+上拉電阻法
就是一個(gè)雙極型三極管或 MOSFET,C/D極接一個(gè)上拉電阻到正電源,輸入電平很靈活,輸出電平大致就是正電源電平。
(2) OC/OD 器件+上拉電阻法
跟 (1) 類似。適用于器件輸出剛好為 OC/OD 的場(chǎng)合。
(3) 74xHCT系列芯片升壓 (3.3V→5V)
凡是輸入與 5V TTL 電平兼容的 5V CMOS 器件都可以用作 3.3V→5V 電平轉(zhuǎn)換。
——這是由于 3.3V CMOS 的電平剛好和5V TTL電平兼容(巧合),而 CMOS 的輸出電平總是接近電源電平的。
廉價(jià)的選擇如 74xHCT(HCT/AHCT/VHCT/AHCT1G/VHCT1G/。。。) 系列 (那個(gè)字母 T 就表示 TTL 兼容)。
(4) 超限輸入降壓法 (5V→3.3V, 3.3V→1.8V, 。。。)
凡是允許輸入電平超過電源的邏輯器件,都可以用作降低電平。
這里的“超限”是指超過電源,許多較古老的器件都不允許輸入電壓超過電源,但越來(lái)越多的新器件取消了這個(gè)限制 (改變了輸入級(jí)保護(hù)電路)。
例如,74AHC/VHC 系列芯片,其 datasheets 明確注明“輸入電壓范圍為0~5.5V”,如果采用 3.3V 供電,就可以實(shí)現(xiàn) 5V→3.3V 電平轉(zhuǎn)換。
(5) 專用電平轉(zhuǎn)換芯片
最著名的就是 164245,不僅可以用作升壓/降壓,而且允許兩邊電源不同步。這是最通用的電平轉(zhuǎn)換方案,但是也是很昂貴的 (俺前不久買還是¥45/片,雖是零售,也貴的嚇人),因此若非必要,最好用前兩個(gè)方案。
(6) 電阻分壓法
最簡(jiǎn)單的降低電平的方法。5V電平,經(jīng)1.6k+3.3k電阻分壓,就是3.3V。
(7) 限流電阻法
如果嫌上面的兩個(gè)電阻太多,有時(shí)還可以只串聯(lián)一個(gè)限流電阻。某些芯片雖然原則上不允許輸入電平超過電源,但只要串聯(lián)一個(gè)限流電阻,保證輸入保護(hù)電流不超過極限(如 74HC 系列為 20mA),仍然是安全的。
1、控制器上標(biāo)識(shí)的高低電平為剎車,高電平一般規(guī)定為5V以上,低電平為0V左右。?
2、在不同電路上的電壓值不相同,如果是5V供電的數(shù)字電路,高電平就是5V,或接近5V。低電平就是‘無(wú)’,就是0V或接近0V。???
3、控制器的高電平是通,低電平是控 。?