內(nèi)容簡介

《CMOS集成電路設計手冊(第3版·模擬電路篇)》是IEEE微電子系統(tǒng)經(jīng)典圖書、電子與計算機工程領域獲獎作?!禖MOS集成電路設計手冊(第3版·模擬電路篇)》是CMOS集成電路設計領域的權威書籍,特色鮮明:

深入討論了模擬和數(shù)字晶體管級的設計技術;

結(jié)合使用了CMOSedu.com(提供了許多計算機輔助設計工具的應用案例)的在線資源

詳細討論了鎖相環(huán)和延遲鎖相環(huán)、混合信號電路、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器以及電路噪聲

給出實際工藝參數(shù)、設計規(guī)則和版圖實例

給出上百個設計實例、相關討論以及章后習題

揭示了晶體管級設計中所需要考慮的各方面要求

作者簡介

R.Jacob(Jake)Baker是一位工程師、教育家以及發(fā)明家。他有超過20年的工程經(jīng)驗并在集成電路設計領域擁有超過200項的專利。Jake也是多本電路設計圖書的作者。

CMOS集成電路設計手冊造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
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行情 品牌 單位 稅率 供應商 報價日期
功率(W):15;品種:普通型鈴;防護等級:IP54;額定壓(V):220 查看價格 查看價格

正泰

13% 江西省士林電氣實業(yè)有限公司
功率(W):15;品種:普通型鈴;防護等級:IP54;額定壓(V):220 查看價格 查看價格

正泰

13% 正泰電氣宣城總經(jīng)銷
解板 0.9*1219*C SECCN 查看價格 查看價格

邯鄲原廠

t 13% 佛山市順德區(qū)盈通貿(mào)易有限公司
解板 0.8*1219*C SECC 查看價格 查看價格

邯鄲原廠

t 13% 佛山市順德區(qū)盈通貿(mào)易有限公司
解板 1.5mm 查看價格 查看價格

m2 13% 東莞市長安圣輝金屬材料經(jīng)營部
42寸 查看價格 查看價格

海爾

13% 深圳市首舟科技有限公司
功率(W):15;品種:普通型鈴;防護等級:IP54;額定壓(V):220 查看價格 查看價格

正泰

13% 廣州市正泰電氣有限公司
焊眼罩 品種:眼防護具;類型:焊眼罩;規(guī)格型號:PVC 查看價格 查看價格

盾王

13% 江蘇盾王科技集團有限公司
材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
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行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
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kW·h 梅州市大埔縣2022年2季度信息價
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kW·h 梅州市蕉嶺縣2022年2季度信息價
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kW·h 梅州市蕉嶺縣2022年1季度信息價
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kW·h 梅州市大埔縣2020年3季度信息價
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材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
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集成電路測試儀 1CT-33C|4臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-08-05
集成電路測試儀 GUT-660A|9臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-07-31
集成電路測試儀 GVT-6600|4臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-04-07
集成電路在線測試系統(tǒng) TH2424|5832臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-10-22
集成電路測試儀 SIMI-100|3臺 1 查看價格 成都天大儀器設備有限公司 四川  成都市 2015-03-31
無繩話機集成電路 LM386-4|9857個 1 查看價格 北京宇光四達郵電工程技術有限公司 北京  北京市 2015-11-18

第1章 電流鏡

1.1 基本電流鏡

1.1.1 長溝道設計

1.1.2 電流鏡中的電流匹配

1.1.3 電流鏡的偏置

1.1.4 短溝道設計

1.1.5 溫度特性

1.1.6 亞閾值區(qū)的偏置

1.2 共源共柵電流鏡

1.2.1 簡單共源共柵

1.2.2 低壓(寬擺幅)共源共柵

1.2.3 寬擺幅短溝道設計

1.2.4 調(diào)節(jié)漏極電流鏡

1.3 偏置電路

1.3.1 長溝道偏置電路

1.3.2 短溝道偏置電路

1.3.3 小結(jié)

第2章 放大器

2.1 柵-漏短接有源負載

2.1.1 共源放大器

2.1.2 源跟隨器(共漏放大器)

2.1.3 共柵放大器

2.2 電流源負載放大器

2.2.1 共源放大器

2.2.2 共源共柵放大器

2.2.3 共柵放大器

2.2.4 源跟隨器(共漏放大器)

2.3 推挽放大器

2.3.1 直流工作與偏置

2.3.2 小信號分析

2.3.3 失真

第3章 差分放大器

3.1 源端耦合對

3.1.1 直流工作

3.1.2 交流工作

3.1.3 共模抑制比

3.1.4 匹配考慮

3.1.5 噪聲

3.1.6 壓擺率限制

3.2 源端交叉耦合對

電流源負載

3.3 共源共柵負載(套簡式差分放大器)

3.4 寬擺幅差分放大器

3.4.1 電流差分放大器

3.4.2 恒定跨導差分放大器

第4章 電壓基準源

4.1 MOSFET-電阻型電壓基準源

4.1.1 電阻-MOSFET型分壓器

4.1.2 MOSFET型分壓器

4.1.3 自偏置電壓基準源

4.2 寄生二極管型基準源

4.2.1 長溝道BGR設計

4.2.2 短溝道BGR設計

第5章 運算放大器Ⅰ

5.1 二級運放

5.2 帶輸出緩沖器的運算放大器

5.3 運算跨導放大器

5.4 增益提升

5.5 幾個實例及討論

第6章 動態(tài)模擬電路

6.1 MOSFET開關

6.2 全差分電路

全差分采樣-保持

6.3 開關電容電路

開關電容積分器

開關電容積分器的精確頻率響應

6.4 電路實例

第7章 運算放大器Ⅱ

7.1 基于功耗和速度的偏置選擇

7.1.1 器件特性

7.1.2 偏置電路

7.2 基本概念

7.3 基本運算放大器設計

7.4 采用開關電容CMFB的運算放大器設計

第8章 非線性模擬電路

8.1 基本CMOS比較器的設計

8.1.1 對比較器進行表征

8.1.2 鐘控比較器

8.1.3 再討論輸入緩沖器

8.2 自適應偏置

8.3 模擬乘法器

8.3.1 四管乘子(Multiplying Quad)

8.3.2 采用平方電路實現(xiàn)乘法器

第9章 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器基礎

9.1 模擬信號和離散時間信號

9.2 模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號

9.3 采樣-保持的性能指標(Sample and Hold,S/H)

9.4 數(shù)模轉(zhuǎn)換器的性能指標

9.5 模數(shù)轉(zhuǎn)換器的性能指標

9.6 混合電路的版圖問題

第10章 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器結(jié)構

10.1 DAC的結(jié)構

10.1.1 數(shù)字輸入編碼

10.1.2 電阻串型DAC

10.1.3 R-2R梯形網(wǎng)絡型DAC

10.1.4 電流導引型DAC

10.1.5 電荷比例型DAC

10.1.6 循環(huán)型DAC

10.1.7 流水線型DAC

10.2 ADC的結(jié)構

10.2.1 全并行型ADC

10.2.2 兩步全并行型ADC

10.2.3 流水線型ADC

10.2.4 積分型ADC

10.2.5 逐次逼近型ADC

10.2.6 過采樣型ADC

第11章 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)

11.1 DAC的R-2R技術

11.1.1 電流模R-2R DAC

11.1.2 電壓模R-2R DAC

11.1.3 寬擺幅電流模R-2R DAC

11.1.4 不采用運算放大器時的拓撲

11.2 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器中使用運算放大器

11.2.1 運算放大器增益

11.2.2 運算放大器單位增益頻率

11.2.3 運算放大器失調(diào)

11.3 ADC實現(xiàn)

11.3.1 S/H的實現(xiàn)

11.3.2 循環(huán)ADC

11.3.3 流水線ADC

第12章 反饋放大器

12.1 反饋方程

12.2 放大器設計中負反饋的特性

12.2.1 增益的倒靈敏度

12.2.2 擴展帶寬

12.2.3 減小非線性失真

12.2.4 輸入和輸出阻抗控制

12.3 識別反饋拓撲結(jié)構

12.3.1 輸入混合

12.3.2 輸出采樣

12.3.3 反饋網(wǎng)絡

12.3.4 計算開環(huán)參數(shù)

12.3.5 計算閉環(huán)參數(shù)

12.4 電壓放大器(串聯(lián)-并聯(lián)反饋)

12.5 跨阻放大器(并聯(lián)-并聯(lián)反饋)

用柵-漏電阻構成簡單反饋

12.6 跨導放大器(串聯(lián)-串聯(lián)反饋)

12.7 電流放大器(并聯(lián)-串聯(lián)反饋)

12.8 穩(wěn)定性

返回比

12.9 設計實例

12.9.1 電壓放大器

12.9.2 一個跨阻放大器

附錄

量綱

物理常量

平方律公式

CMOS集成電路設計手冊(第3版·基礎篇)榮獲美國工程教育協(xié)會獎

CMOS集成電路設計手冊(第3版·基礎篇)是CMOS集成電路設計領域的權威書籍,有著以下的優(yōu)點

1. 專門討論了CMOS集成電路設計的基礎知識。

2. 詳細討論了CMOS集成電路的結(jié)構、工藝以及相關的電參數(shù)知識。

3. 理論知識的討論深入淺出,有利于讀者理解。

4. 對書中涵蓋的內(nèi)容,作者做了較為詳細的描述,細致入微,有助于讀者打下堅實的理論的基礎。

CMOS集成電路設計手冊基本介紹常見問題

CMOS集成電路設計手冊基本介紹文獻

廈門集成電路設計流片補貼項目 廈門集成電路設計流片補貼項目

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廈門集成電路設計流片補貼項目 申 報 表 (2018 上半年 ) 申請單位 (簽章 ): 項目聯(lián)系人 : 項目負責人 : 通 訊地 址: 郵 政 編 碼 : 聯(lián) 系 電 話 : 移 動 電 話 : 申 請日 期: 電 子郵 件: 二 0一八年九月 目錄 1、廈門集成電路設計流片補貼資金申請表 (包括 MPW、工 程批 ) 2、申請補貼資金明細表 3、企業(yè)基本情況 4、產(chǎn)品研發(fā)說明 5、芯片版圖縮略圖 (需用彩印 ) 6、流片加工發(fā)票復印件 7、流片合同復印件 8、付款憑證(境外加工的需提供報關單或委外加工證明) 9、正版軟件使用證明(需用原件) 10、2017年度財務審計報告、 6月份財務報表 (現(xiàn)金流量表、 損益表、資產(chǎn)負債表) (需用原件) 11、企業(yè)營業(yè)執(zhí)照、稅務登記證或三證合一復印件 12、產(chǎn)品外觀照片等相關材料 廈門集成電路設計流片補貼資金申請表 類別 :MPW□ /工程批

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測試服務指引-蘇州中科集成電路設計中心蘇州中科集成電路設計中心 測試服務指引-蘇州中科集成電路設計中心蘇州中科集成電路設計中心

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評分: 4.4

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本書從系統(tǒng)級芯片(SOC)設計的需要出發(fā),介紹CMOS模擬集成電路和CMOS數(shù)字集成電路的設計,內(nèi)容包括:集成電路設計概論;CMOS工藝及版圖;MOS晶體管與CMOS模擬電路基礎;COMS數(shù)字電路中的基本門電路;模擬系統(tǒng)設計;數(shù)字系統(tǒng)設計;硬件描述語言VHDL基礎。 本書可作為高等理工院校電子、通信、計算機等專業(yè)高年級本科生及碩士研究生教材,也可供從事CMOS集成電路設計工作的科研人員參考。

《CMOS模擬集成電路設計》(第2版)(英文版)是模擬集成電路設計課的一本經(jīng)典教材。全書共分5個部分。主要介紹了模擬集成電路設計的背景知識、基本MOS半導體制造工藝、CMOS技術、CMOS器件建模,MOS開關、MOS二極管、有源電阻、電流阱和電流源等模擬CMOS分支電路,以及反相器、差分放大器、共源共柵放大器、電流放大器、輸出放大器等CMOS放大器的原理、特性、分析方法和設計,CM0S運算放大器、高性能CMOS運算放大器、比較器,開關電容電路、D/A和A/D變換器等CMOS模擬系統(tǒng)的分析方法、設計和模擬等內(nèi)容。

該書可作為高等學校電子工程、微電子學、計算機科學、電機工程與應用電子技術等專業(yè)的的教科書,以及有關專業(yè)的選修課教材或研究生教材、教學參考書;也可作為在職的模擬集成電路設計工程師或與模擬集成電路設計有關的工程師的進修教材或工程設計參考書。

《CMOS射頻集成電路設計》是一本正文語種為簡體中文的書籍。

本書是《CMOS射頻集成電路設計》的第二版,這本被譽為射頻集成電路設計的指南書全面深入地介紹了設計千兆赫茲(GHz)CMOS射頻集成電路的細節(jié)。本書首先簡要介紹了無線電發(fā)展史和無線系統(tǒng)原理;在回顧集成電路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并聯(lián)和其他振蕩網(wǎng)絡以及分布式系統(tǒng)特點的基礎上,介紹了史密斯圓圖、S參數(shù)和帶寬估計技術;著重說明了現(xiàn)代高頻寬帶放大器的設計方法,詳細討論了關鍵的射頻電路模塊,包括低噪聲放大器(LNA)、基準電壓源、混頻器、射頻功率放大器、振蕩器和頻率綜合器。對于射頻集成電路中存在的各類噪聲及噪聲特性(包括振蕩電路中的相位噪聲)進行了深入的探討。本書最后考察了收發(fā)器的總體結(jié)構并展望了射頻電路未來發(fā)展的前景。書中包括許多非常實用的電路圖和其他插圖,并附有許多具有啟發(fā)性的習題,因此是高年級本科生和研究生學習有關射頻電子學方面課程的理想教科書,對于從事射頻集成電路設計或其他領域?qū)嶋H工作的工程技術人員也是一本非常有益的參考書。

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