ITO導(dǎo)電玻璃測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

尺寸:

A、測(cè)試方法:用直尺和游標(biāo)卡尺測(cè)量待測(cè)玻璃原片的長(zhǎng)度、寬度、厚度。

B、判定標(biāo)準(zhǔn):測(cè)量結(jié)果在供貨商所提供的參數(shù)范圍之內(nèi)為合格。

面電阻:

A、測(cè)試方法:把待測(cè)試玻璃整個(gè)區(qū)域做為測(cè)試區(qū)域，然后測(cè)試區(qū)域分成九等份后再用四探針測(cè)試儀分別測(cè)試各區(qū)域的面電阻。

B、判定標(biāo)準(zhǔn):根據(jù)測(cè)試結(jié)果計(jì)算出電阻平均值及電阻資料分散值，結(jié)果在要求范圍內(nèi)既是合格。

ITO層溫度性能

A、測(cè)試方法:把待測(cè)玻璃原片在3000C的空氣中，加熱30分鐘，測(cè)試其加溫前后的同一點(diǎn)面電阻阻值。B、判定標(biāo)準(zhǔn):ITO導(dǎo)電膜方塊電阻值應(yīng)不大于原方塊電阻的300%為合格。

蝕刻性能:

A、測(cè)試方法:把待測(cè)玻璃原片放入生產(chǎn)線(xiàn)所用的蝕刻液中測(cè)試其蝕刻完全的時(shí)間。

B、判定標(biāo)準(zhǔn):蝕刻完全的時(shí)間值小于生產(chǎn)工藝所設(shè)定時(shí)間的一半值為合格。

裂紋:不允許。粘附物:包括塵粒、玻璃碎等凸起物，TN型ITO導(dǎo)電玻璃鍍膜面不允許有不可去除的高度超過(guò)0.1mm的粘附物;STN型ITO導(dǎo)電玻璃鍍膜面不允許有不可去除的高度超過(guò)0.05mm的粘附物。沾污:不可有不溶于水或一般清洗劑無(wú)法除去的沾污。崩邊:長(zhǎng)X寬≤2.0mmx1.0mm;深度不超過(guò)玻璃基片厚度的50%;總長(zhǎng)度≤總邊長(zhǎng)的5%。劃痕。

玻璃體點(diǎn)狀缺陷:包括氣泡、夾雜物、表面凹坑、異色點(diǎn)等。點(diǎn)狀缺陷的直徑定義為:d=(缺陷長(zhǎng)+缺陷寬)/2。

玻璃體線(xiàn)狀缺陷(寬度W):包括玻筋、光學(xué)變形。

膜層點(diǎn)狀缺陷:SIO2阻擋層和ITO導(dǎo)電層的點(diǎn)狀缺陷包括針孔、空洞、顆粒等，點(diǎn)狀缺陷的直徑定義為:d=(缺陷長(zhǎng)+缺陷寬)/2。

耐堿為浸入60℃、濃度為10%氫氧化鈉溶液中5分鐘后，ITO層方塊電阻變化值不超過(guò)10%。耐酸為浸入250C、濃度為6%鹽酸溶液中5分鐘后，ITO層方塊電阻變化值不超過(guò)10%。耐溶劑為在250C、丙酮、無(wú)水乙醇或100份去離子水加3分EC101配制成的清洗液中5分鐘后，ITO層方塊電阻變化值不超過(guò)10%。附著力:在膠帶貼附在膜層表面并迅速撕下，膜層無(wú)損傷;或連撕三次后，ITO層方塊電阻變化值不超過(guò)10%。熱穩(wěn)定性:在300°C的空氣中，加熱30分鐘后，ITO導(dǎo)電膜方塊電阻值應(yīng)不大于原方塊電阻的300%。

長(zhǎng)度、寬度、厚度及允差(±0.20)

垂直度(≤0.10%)

翹曲度(厚度0.7mm以上≤0.10%，厚度0.55mm以下≤0.15%)

微觀(guān)波紋度

倒邊C倒邊(0.05mm≤寬度≤0.40mm)R倒邊(0.20mm≤寬度≤1.00mm，曲率半徑≤50mm)倒角(浮法方向2.0mmX5.0mm;其余1.5mmx1.5mm)SiO2阻擋層厚度(350?！?0埃，550nm透過(guò)率≥90%)ITO層光學(xué)、電學(xué)、蝕刻性能(蝕刻液:600C 37%HCL:H2O:67%HNO3=50:50:3)

ITO導(dǎo)電玻璃按電阻分，分為高電阻玻璃(電阻在150~500歐姆)、普通玻璃(電阻在60~150歐姆)、低電阻玻璃(電阻小于60歐姆)。高電阻玻璃一般用于靜電防護(hù)、觸控屏幕制作用;普通玻璃一般用于TN類(lèi)液晶顯示器和電子抗干擾;低電阻玻璃一般用于STN液晶顯示器和透明線(xiàn)路板。

ITO導(dǎo)電玻璃按尺寸分，有14"x14"、14"x16"、20"x24"等規(guī)格;按厚度分，有2.0mm、1.1mm、0.7mm、0.55mm、0.4mm、0.3mm等規(guī)格，厚度在0.5mm以下的主要用于STN液晶顯示器產(chǎn)品。

ITO導(dǎo)電玻璃按平整度分，分為拋光玻璃和普通玻璃。

ITO膜層的主要成份是氧化銦錫。在厚度只有幾千埃的情況下，氧化銦透過(guò)率高，氧 化錫導(dǎo)電能力強(qiáng)，液晶顯示器所用的ITO玻璃正是一種具有高透過(guò)率的導(dǎo)電玻璃。由于ITO具有很強(qiáng)的吸水性，所以會(huì)吸收空氣中的水份和二氧化碳并產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)而變質(zhì)，俗稱(chēng)"霉變"，因此在存放時(shí)要防潮。

ITO層在活性正價(jià)離子溶液中易產(chǎn)生離子置換反應(yīng)，形成其它導(dǎo)電和透過(guò)率不佳的反應(yīng)物質(zhì)，所以在加工過(guò)程中，盡量避免長(zhǎng)時(shí)間放在活性正價(jià)離子溶液中。ITO層由很多細(xì)小的晶粒組成，晶粒在加溫過(guò)程中會(huì)裂變變小，從而增加更多晶界，電子突破晶界時(shí)會(huì)損耗一定的能量，所以ITO導(dǎo)電玻璃的ITO層在600度以下會(huì)隨著溫度的升高，電阻也增大。

在濺鍍ITO層時(shí)，不同的靶材與玻璃間，在不同的溫度和運(yùn)動(dòng)方式下，所得到的ITO層會(huì)有不同的特性。一些廠(chǎng)家的玻璃ITO層常常表面光潔度要低一些，更容易出現(xiàn)"麻點(diǎn)"現(xiàn)象;有些廠(chǎng)家的玻璃ITO層會(huì)出現(xiàn)高蝕間隔帶，ITO層在蝕刻時(shí)，更容易出現(xiàn)直線(xiàn)放射型的缺劃或電阻偏高帶;另一些廠(chǎng)家的玻璃ITO層則會(huì)出現(xiàn)微晶溝縫。

A、測(cè)試方法:把待測(cè)玻璃原片放在600C、濃度為10%氫氧化鈉溶液中5分鐘后，測(cè)試其浸泡前后的同一點(diǎn)面電阻阻值。

B、判定標(biāo)準(zhǔn):ITO層方塊電阻變化值不超過(guò)10%為合格。

光電性能與可靠性:

A、測(cè)試方法:把待測(cè)玻璃與現(xiàn)生產(chǎn)用玻璃按現(xiàn)生產(chǎn)工藝參數(shù)，選擇一型號(hào)制作成成品并測(cè)試其光電與可靠性性能;

B、判定標(biāo)準(zhǔn):光電性能與可靠性測(cè)試結(jié)果與現(xiàn)生產(chǎn)用玻璃結(jié)果相當(dāng)，并在測(cè)試產(chǎn)品型號(hào)要求范圍之內(nèi)。

C、一般來(lái)講，ITO玻璃耐堿性能良好。

模數(shù)在240以上的產(chǎn)品，一般可選用供貨商B級(jí)品玻璃;

模數(shù)在40模以上，240模以下的產(chǎn)品，一般選用普通A級(jí)品玻璃;

模數(shù)在40模以下的產(chǎn)品，STN產(chǎn)品，一般選用低電阻拋光玻璃。

COG產(chǎn)品，一般選用15歐姆拋光玻璃。

取放時(shí)只能接觸四邊，不能接觸導(dǎo)電玻璃ITO表面;

輕拿輕放，不能與其它治具和機(jī)器碰撞;

如果要長(zhǎng)時(shí)間存放，一定要注意防潮，以免影響玻璃的電阻和透過(guò)率;

對(duì)于大面積和長(zhǎng)條形玻璃，在設(shè)計(jì)排版時(shí)要考慮玻璃基片的浮法方向。

ITO導(dǎo)電玻璃應(yīng)貯存在室溫條件下，濕度在65%以下干燥保存;

貯放時(shí)玻璃保持豎向放置，玻璃間堆放不可超過(guò)二層，木箱裝ITO導(dǎo)電玻璃貨物堆放不可超過(guò)五層。紙箱裝貨ITO導(dǎo)電玻璃貨物，原則上不能堆放。

任何時(shí)候都不容許疊放;

除規(guī)定外，一般要求豎向放置;平放操作時(shí)，盡量保持ITO面朝下;厚度在0.55mm以下的玻璃只能豎向放置;

易碎品，小心輕放，保持搬運(yùn)過(guò)程中的穩(wěn)定性，搬運(yùn)時(shí)層高不得超過(guò)三層。

(1)電化學(xué)擴(kuò)散工藝:在玻璃上用電化學(xué)擴(kuò)散方法可獲得摻雜超導(dǎo)薄膜。玻璃在電化學(xué)處理裝置中與熔融金屬或化合物接觸，在一定的電場(chǎng)作用下，熔融金屬或化合物中的離子會(huì)擴(kuò)散到玻璃表面，玻璃中的一價(jià)堿金屬離子離解處來(lái)，等量地?cái)U(kuò)散至陰極表面，使玻璃表面的化學(xué)組成發(fā)生變化。性能隨之改變。

(2)高溫噴涂和等離子體噴涂工藝:這種技術(shù)是將粉末狀金屬或非金屬、無(wú)機(jī)材料加熱至熔化或未熔化狀態(tài)，并進(jìn)一步加溫使其霧化，形成高溫高速焰流噴向需噴涂的玻璃基體。采用這種方式可以先在基體上制備YBaGUOx等涂層，在經(jīng)過(guò)熱處理可成為超導(dǎo)性材料。

ITO導(dǎo)電膜玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎(chǔ)上，利用磁控濺射的方法沉積二氧化硅(SiO2)和氧化銦錫(通稱(chēng)ITO)薄膜加工制作成的。ITO是一種具有良好透明導(dǎo)電性能的金屬化合物，具有禁帶寬、可見(jiàn)光譜區(qū)光透射率高和電阻率低等特性，廣泛地應(yīng)用于平板顯示器件、太陽(yáng)能電池、特殊功能窗口涂層及其他光電器件領(lǐng)域，是目前LCD、PDP、OLED、觸摸屏等各類(lèi)平板顯示器件唯一的透明導(dǎo)電電極材料。作為平板顯示器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，其隨著平板顯示器件的不斷更新和升級(jí)而具有更加廣闊的市場(chǎng)空間。

利用長(zhǎng)期對(duì)ITO導(dǎo)電玻璃行業(yè)跟蹤搜集的市場(chǎng)數(shù)據(jù)，全面而準(zhǔn)確地為您從行業(yè)的整體高度來(lái)架構(gòu)分析體系。

主要分析了ITO導(dǎo)電玻璃行業(yè)上下游產(chǎn)業(yè)鏈的市場(chǎng);ITO導(dǎo)電玻璃行業(yè)市場(chǎng);ITO導(dǎo)電玻璃行業(yè)重點(diǎn)區(qū)域;ITO導(dǎo)電玻璃行業(yè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng);ITO導(dǎo)電玻璃行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)經(jīng)營(yíng)狀況;ITO導(dǎo)電玻璃行業(yè)的投資情況。同時(shí)，佐之以全行業(yè)近5年來(lái)全面詳實(shí)的一手市場(chǎng)數(shù)據(jù)，讓您全面、準(zhǔn)確地把握整個(gè)ITO導(dǎo)電玻璃行業(yè)的市場(chǎng)走向和發(fā)展趨勢(shì)，從而在競(jìng)爭(zhēng)中贏(yíng)得先機(jī)。