MOS控制晶閘管

控制晶閘管是由MOSFET和晶閘管復(fù)合而成的一種電力電子器件,它的輸人極由MOS管控制，故屬場(chǎng)控器件。其驅(qū)動(dòng)電路比GTO的驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單；通態(tài)壓降與SCR相當(dāng)，比IGBT和GTR都低。

MOS控制晶閘管基本信息

中文名 MOS控制晶閘管 外文名 MOS Controlled thyristor
用????途 大功率設(shè)備

MOS控制晶閘管概述

直流電樞繞組分疊繞組、波繞組和蛙繞組3種。每個(gè)線圈的兩個(gè)出線端連接到換向器的兩個(gè)換向片上，兩者在換向器圓周表面上相隔的距離稱為換向器節(jié)距，用Ys表示。不同形式的繞組具有不同的換向器節(jié)距。

有單疊繞組和復(fù)疊繞組之分。單疊繞組是將同一磁極下相鄰的線圈依次串聯(lián)起來 ，構(gòu)成一條并聯(lián)支路，所以對(duì)應(yīng)一個(gè)磁極就有一條并聯(lián)支路。單疊繞組的基本特征是并聯(lián)支路數(shù)等于磁極數(shù)。各條支路間通過電刷并聯(lián)。單疊繞組線圈的換向器節(jié)距Ys=1。Ys>1者稱復(fù)疊繞組。比較常用的是Ys=2的復(fù)疊繞組，又稱雙疊繞組。雙疊繞組在一個(gè)磁極下有兩條并聯(lián)支路。例如一臺(tái)四極直流電機(jī)，采用雙疊繞組時(shí),共有8條并聯(lián)支路。各條支路間也是通過電刷并聯(lián)。電刷組數(shù)等于電機(jī)的極數(shù)。其中一半為正電刷組，另一半為負(fù)電刷組。疊繞組的并聯(lián)支路數(shù)較多，它等于極數(shù)或?yàn)闃O數(shù)的整倍數(shù)，所以又叫并聯(lián)繞組。

MOS控制晶閘管造價(jià)信息

市場(chǎng)價(jià) 信息價(jià) 詢價(jià)
材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 市場(chǎng)價(jià)
（除稅）		 工程建議價(jià)
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)日期
晶閘管控制焊機(jī) CO2/MAG YM-350KR2HGE參數(shù)1:標(biāo)準(zhǔn)配置;系列:CO2焊機(jī);說明:注:唐山松下專賣店以同樣地價(jià)格銷售唐山松下產(chǎn)品并提供服務(wù),以上價(jià)格不含包裝費(fèi)、運(yùn)費(fèi).; 查看價(jià)格 查看價(jià)格

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晶閘管控制焊機(jī) CO2/MAG YM-500KR2HGE參數(shù)1:標(biāo)準(zhǔn)配置;系列:CO2焊機(jī);說明:注:唐山松下專賣店以同樣地價(jià)格銷售唐山松下產(chǎn)品并提供服務(wù),以上價(jià)格不含包裝費(fèi)、運(yùn)費(fèi).; 查看價(jià)格 查看價(jià)格

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晶閘管控制焊機(jī) CO2/MAG YM-200KR2HGE參數(shù)1:標(biāo)準(zhǔn)配置;系列:CO2焊機(jī);說明:注:唐山松下專賣店以同樣地價(jià)格銷售唐山松下產(chǎn)品并提供服務(wù),以上價(jià)格不含包裝費(fèi)、運(yùn)費(fèi).; 查看價(jià)格 查看價(jià)格

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晶閘管控制焊機(jī) CO2/MAG YM-500GL5HGE參數(shù)1:配4.5米350A焊槍,不含加長線;系列:CO2焊機(jī);說明:注:唐山松下專賣店以同樣地價(jià)格銷售唐山松下產(chǎn)品并提供服務(wù),以上價(jià)格不含包裝費(fèi)、運(yùn)費(fèi).; 查看價(jià)格 查看價(jià)格

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晶閘管 模塊 MTC25A 600V 查看價(jià)格 查看價(jià)格

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晶閘管 模塊 MTA90A 1400V 查看價(jià)格 查看價(jià)格

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晶閘管 模塊 MTA110A 1200V 查看價(jià)格 查看價(jià)格

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晶閘管 模塊 MTA130A 1600V 查看價(jià)格 查看價(jià)格

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材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 除稅
信息價(jià)		 含稅
信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
安穩(wěn)控制屏 子站安穩(wěn)控制屏，110V 查看價(jià)格 查看價(jià)格

套 廣東2019年4季度信息價(jià)
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套 廣東2019年1季度信息價(jià)
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套 廣東2020年1季度信息價(jià)
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套 廣東2019年2季度信息價(jià)
安穩(wěn)控制屏 子站安穩(wěn)控制屏，110V 查看價(jià)格 查看價(jià)格

套 廣東2019年3季度信息價(jià)
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套 廣東2019年3季度信息價(jià)
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套 廣東2020年1季度信息價(jià)
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套 廣東2019年1季度信息價(jià)
材料名稱 規(guī)格/需求量 報(bào)價(jià)數(shù) 最新報(bào)價(jià)
（元）		 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)地區(qū) 最新報(bào)價(jià)時(shí)間
晶閘管單元 PSTNsm-60T/4|36個(gè) 1 查看價(jià)格 深圳市力量科技有限公司 全國   2022-05-09
三相晶閘管 THY30A40|48只 1 查看價(jià)格 上海隆為電氣科技有限公司 全國   2021-04-19
三相晶閘管 STK-55G|48只 1 查看價(jià)格 深圳賽源電氣技術(shù)有限公司 全國   2021-04-19
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管測(cè)試儀 BJ2990|6臺(tái) 1 查看價(jià)格 北京無線電儀器廠 北京  北京市 2015-04-22
MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管瞬態(tài)熱阻測(cè)試儀 BJ2989|6臺(tái) 1 查看價(jià)格 北京無線電儀器廠 北京  北京市 2015-11-17
控制氣管 控制氣管|8m 1 查看價(jià)格 廣州歐盾消防安全設(shè)備有限公司 廣東   2020-11-17
風(fēng)機(jī)盤管控制線 風(fēng)機(jī)盤管控制線|400m 1 查看價(jià)格 廣州英博通訊設(shè)備有限公司 江西  南昌市 2020-01-15
控制器/管屏專用 控制器/管屏專用|5套 1 查看價(jià)格 中山市宏錦光電科技有限公司 廣西  南寧市 2017-07-11

其驅(qū)動(dòng)電路比GTO的驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單；通態(tài)壓降與SCR相當(dāng)，比IGBT和GTR都低。MCT具有高電壓、大電流高輸入阻抗低驅(qū)動(dòng)功率、低通態(tài)壓降、開關(guān)速度快以及開關(guān)損耗小等特點(diǎn)。另外,MCT承受di/dt和du/dt的能力極高,可使其保護(hù)電路得以簡(jiǎn)化。 2100433B

MOS控制晶閘管是由MOSFET和晶閘管復(fù)合而成的一種電力電子器件,它的輸人極由MOS管控制，故屬場(chǎng)控器件。

MOS控制晶閘管常見問題

  • 晶閘管什么作用

    一、作用：可控的導(dǎo)電開關(guān)，與二極管相比，不同之處是正向?qū)ㄊ卓刂茦O電流控制。二、什么是晶閘管：晶閘管導(dǎo)通條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管...

  • 誰知道晶閘管控制板價(jià)格是多少？

    控制板價(jià)格會(huì)因?yàn)椴馁|(zhì)、制作工藝的不同而有所不同。價(jià)格一般在80-300元之間。價(jià)格來源于網(wǎng)絡(luò)僅供參考。希望我的回答可以幫到您。

  • 單向晶閘管和雙向晶閘管有什么不同？

    晶閘管(THYRISTOR)又名可控硅，屬于功率器件領(lǐng)域，是一種功率半導(dǎo)體開關(guān)元件，可控硅是其簡(jiǎn)稱，按其工作特性，可控硅可分為單向可控硅(SCR)、雙向可控硅(TRIAC)?？煽毓枰卜Q作晶閘管，它是由...

MOS控制晶閘管文獻(xiàn)

MOS管的構(gòu)造及MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOS管的構(gòu)造及MOS管種類和結(jié)構(gòu)

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MOS 管的構(gòu)造及 MOS 管種類和結(jié)構(gòu) 隨著社會(huì)的進(jìn)步和發(fā)展， MOS 管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來越廣泛，薩科微電子 SLKOR 作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅 SiC 產(chǎn)品的“碳化硅專家”，必須來科普一下這方面的知 識(shí)。 MOS 即 MOSFET 的簡(jiǎn)寫，全稱是金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 就是利用輸入回路的電場(chǎng)效 應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。 MOS 管的構(gòu)造、原理、特性、符號(hào)規(guī)則和封 裝種類等，大致如下。 1、MOS 管的構(gòu)造： MOS 管的構(gòu)造是在一塊摻雜濃度較低的 P 型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝 制作兩個(gè)高摻雜濃度的 N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作為漏極 D 和源極 S。然 后在漏極和源極之間的 P型半導(dǎo)體表面復(fù)蓋一層很薄的二氧化硅（ Si02）絕緣層膜，在再 這個(gè)絕緣層膜上裝上一個(gè)鋁電極，作為柵極 G。這就構(gòu)成了一個(gè) N 溝道（NPN 型）增強(qiáng) 型 MOS 管

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晶閘管整流弧焊機(jī)引弧及其數(shù)字控制設(shè)計(jì) 晶閘管整流弧焊機(jī)引弧及其數(shù)字控制設(shè)計(jì)

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針對(duì)直流電焊機(jī)引弧的工作環(huán)境和特點(diǎn),分析了在焊接時(shí)采用旁路引弧的方法,同時(shí)在焊接時(shí)對(duì)焊機(jī)輸出的電壓、電流采樣,并進(jìn)行數(shù)字控制運(yùn)算,適時(shí)穩(wěn)定地控制焊機(jī)輸出的電壓、電流。其實(shí)現(xiàn)方法是采用C8051芯片處理器控制整個(gè)焊機(jī)的性能和功能,同時(shí)通過對(duì)負(fù)載電壓、電流的采樣進(jìn)行雙閉環(huán)控制。通過理論分析,實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該焊接系統(tǒng)能根據(jù)焊接工藝要求設(shè)定輸出焊接的電壓、電流值,系統(tǒng)性能穩(wěn)定、運(yùn)行可靠,能提高焊接質(zhì)量。

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?MCT(MOS Controlled Thyristor)是將MOSFET與晶閘管組合而成的復(fù)合型器件。MCT將MOSFET的高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率、快速的開關(guān)過程和晶閘管的高電壓大電流、低導(dǎo)通壓降的特點(diǎn)結(jié)合起來，也是Bi-MOS器件的一種。一個(gè)MCT器件由數(shù)以萬計(jì)的MCT元組成，每個(gè)元的組成為:一個(gè)PNPN晶閘管，一個(gè)控制該晶閘管開通的MOSFET，和一個(gè)控制該晶閘管關(guān)斷的MOSFET。

MCT具有高電壓、大電流、高載流密度、低通態(tài)壓降的特點(diǎn)。其通態(tài)壓降只有GTR的1/3左右，硅片的單位面積連續(xù)電流密度在各種器件中是最高的。另外，MCT可承受極高的di/dt和du/dt，使得其保護(hù)電路可以簡(jiǎn)化。MCT的開關(guān)速度超高GTR,開關(guān)損耗也小。

總之，MCT曾一度被認(rèn)為是一種最有發(fā)展前途的電力電子器件。因此，20世紀(jì)80年代以來一度成為研究的熱點(diǎn)。但經(jīng)過十多年的努力，其關(guān)鍵技術(shù)問題沒有大的突破，電壓和電流容量都遠(yuǎn)未達(dá)到預(yù)期的數(shù)值，未能投入實(shí)際應(yīng)用。而其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手IGBT卻進(jìn)展飛速，所以，目前從事MCT研究的人不是很多。

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由于采用光觸發(fā)保證了住電路與控制電路之間的絕緣，而且可以避免電磁干擾的影響，因此光控晶閘管目前在高壓大功率的場(chǎng)合，如高壓直流輸電和倒牙核聚變裝置中，占據(jù)重要的地位。

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晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，又被稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅；1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽極，陰極和控制極； 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，且其工作過程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)電子開關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。

控制極觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管，總是在靠近控制極的陰極區(qū)域首先導(dǎo)通，然后逐漸向外擴(kuò)展，直到整個(gè)面積導(dǎo)通。大面積的晶閘管需要50～100微秒以上才能全面積導(dǎo)通。初始導(dǎo)通面積小時(shí)，必須限制初始電流的上升速度，否則將發(fā)生局部過熱現(xiàn)象，影響元件的性能，甚至燒壞。高頻工作時(shí)這種現(xiàn)象更為嚴(yán)重。為此，仿造了集成電路的方法，在晶閘管同一硅片上做出一個(gè)放大觸發(fā)信號(hào)用的小晶閘管?？刂茦O觸發(fā)小晶閘管后，小晶閘管的初始導(dǎo)通電流將橫向經(jīng)過硅片流向主晶閘管陰極，觸發(fā)主晶閘管。從而實(shí)際強(qiáng)觸發(fā)，加速了元件的導(dǎo)通，提高了耐電流上升率的能力。

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