TSV
TSV的英文全拼是"Through Silicon Vias"，中文意思為"穿過硅片通道"。
-
選擇特殊符號
選擇搜索類型
請輸入搜索
TSV的英文全拼是"Through Silicon Vias"，中文意思為"穿過硅片通道"。
在建筑環(huán)境學(xué)的研究中，由于無法測量熱感覺，只能采用問卷的方式了解受試者對環(huán)境的熱感覺，即要求受試者按某種等級標(biāo)度(主要為Bedford標(biāo)度和ASHRAE標(biāo)度)來描述其熱感。
心理學(xué)研究表明一般人可以不混淆地區(qū)分感覺量級不超過七個，因此對熱感覺的評價指標(biāo)往往采用七個等級(見下表)，在進(jìn)行熱感覺實驗的時候，設(shè)置一些投票的方式來讓受試者說出自己的熱感覺，這種投票的方式叫做熱感覺投票 TSV，其內(nèi)容是一個與ASHRAE熱感覺標(biāo)度一致的七級分度指標(biāo)，分級往往為-3~+3。
Bedford和ASHRAE的七點標(biāo)度
貝氏標(biāo)度 | 貝氏標(biāo)度 | ASHRAE熱感覺標(biāo)度 | ASHRAE熱感覺標(biāo)度 |
7 | 過分暖和 | +3 | 熱 |
6 | 太暖和 | +2 | 暖 |
5 | 令人舒適的暖和 | +1 | 稍暖 |
4 | 舒適(不冷不熱) | 0 | 中性 |
3 | 令人舒適的涼快 | -1 | 稍涼 |
2 | 太涼快 | -2 | 涼 |
1 | 過分涼快 | -3 | 冷 |
英特爾公司首席技術(shù)官賈斯廷·拉特納表示，TSV技術(shù)是英特爾公司的工程師首先為未來的80核處理器產(chǎn)品開發(fā)的。這項技術(shù)的實質(zhì)，是每一個處理內(nèi)核通過一個TSV通道直接連接一顆256KB的內(nèi)存芯片(充當(dāng)了緩存)，隨著緩存數(shù)量的增加，這些緩存將可以替代另外的內(nèi)存芯片。
拉特納指出，雖然TSV技術(shù)是面向80核處理器開發(fā)的，不過這種技術(shù)可以應(yīng)用到其他處理器產(chǎn)品中。這樣導(dǎo)致的一種結(jié)果是，未來英特爾公司的處理器將直接內(nèi)置足夠多的內(nèi)存芯片，電腦廠商或者攢機(jī)用戶都無需再單獨購買內(nèi)存條。
在 Excel 中打開 TSV 或 CSV 文件
1. 在 Excel文件菜單上, 單擊打開。
2. 單擊以選中 TSV(為用制表符tab分隔的文件) 或 CSV (為用逗號,分隔的文件)文件。
3. 如果文件是逗號分隔, 單擊下一步， 然后繼續(xù)執(zhí)行步驟 4。 如果文件是制表符分隔, 單擊完成， 然后引用到下文 " 要保存將文件從 Excel 中 TSV 格式 " 部分。
4.分隔符區(qū)域, 中單擊以選擇逗號， 單擊以清除所有其他選定分隔符, 然后單擊下一步和完成。
TSV在半導(dǎo)體微電子領(lǐng)域，代表硅穿孔Through Si via。在3D IC封裝及MEMS封裝過程中，由于要使用到多層芯片互聯(lián)，因此需要打穿整個芯片的孔來實現(xiàn)電學(xué)連接。比較流行的兩種方法為先通孔(via first)與后通孔(via last)。
TSV(Thermal Sensation Vote)
硅片通道
通過硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合，目前被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進(jìn)展。
TSV是一種重要的開發(fā)技術(shù)，其利用短的垂直電連接或通過硅晶片的"通孔"，以建立從芯片的有效側(cè)到背面的電連接。TSV提供最短的互連路徑，為最終的3D集成創(chuàng)造了一條途徑。
TSV技術(shù)比引線鍵合和倒裝芯片堆疊提供更大的空間效率和更高的互連密度。當(dāng)結(jié)合微凸塊接合和先進(jìn)的倒裝芯片技術(shù)時，TSV技術(shù)能夠在更小的外形尺寸下實現(xiàn)更高水平的功能集成和性能。
半導(dǎo)體器件不斷響應(yīng)"更快，更便宜，更小"的需求。隨著消費電子產(chǎn)品越來越復(fù)雜和更緊湊，預(yù)計設(shè)備將在更小的維度上以更高的速度提供更多的功能。過去，這些要求通過摩爾定律和現(xiàn)在的"更多摩爾"驅(qū)動的電路及其部件的小型化已經(jīng)在很大程度上得到滿足。然而，近年來，以導(dǎo)線鍵合和倒裝芯片堆疊形式的3D集成已經(jīng)進(jìn)入了主流半導(dǎo)體制造，以解決物理擴(kuò)展的局限性，同時提供更好的性能和功能。
"硅片通道"(TSV)正在成為3D集成的一種方法，為設(shè)計人員提供了比引線鍵合和倒裝芯片堆疊更自由，更高的密度和空間利用率。
在TSV中，兩個或多個垂直堆疊的芯片通過穿過堆疊的垂直互連(即跨越兩個或更多個相鄰芯片之間的接口)并且用作集成電路的組件而被連接。
堆疊和硅片通道連接(類似或不同)裸片:可以創(chuàng)建高性能器件。
雖然可以使用常規(guī)引線鍵合技術(shù)組合兩個管芯，但是耦合損耗將降低數(shù)據(jù)交換的速度，從而降低性能。
TSV解決了引線接合的數(shù)據(jù)交換問題，并提供了其他一些有吸引力的優(yōu)點，包括管芯之間更短的互連，減少水平布線引起的損耗，并消除緩沖區(qū)浪費的空間和功耗(通過冗長的電路推動信號的中繼器)。
TSV還可以減少電路中的電氣寄生耦合現(xiàn)象，提高設(shè)備切換速度。此外，TSV可以提供比引線鍵合更高的輸入/輸出密度。
本項目研究三維集成電路銅和碳納米管束TSV的解析模型、電磁模型、互連信號完整性方面的關(guān)鍵基礎(chǔ)科學(xué)問題。針對銅TSV和碳納米管束TSV技術(shù)，考慮TSV的長度、直徑、介電厚度和間距等因素，建立三維集成電路TSV通孔的電阻、電感、電容的解析模型，研究TSV結(jié)構(gòu)參數(shù)和材料參數(shù)對其回波損耗、插入損耗等電磁參數(shù)的影響，建立精確的TSV等效集總模型和的基于TSV的隔離集總模型。研究插入冗余TSV和緩沖器的三維互連線延時與功耗的解析模型，提出同步改善互連延時與信號反射系數(shù)的TSV尺寸與布局優(yōu)化算法。綜合考慮三維集成電路的耦合、延時與功耗的約束，研究應(yīng)用多級路由技術(shù)實現(xiàn)三維集成電路的TSV密度優(yōu)化分配技術(shù)，為三維集成技術(shù)應(yīng)用于未來集成電路設(shè)計提供必要的理論和技術(shù)基礎(chǔ)。
本項目針對銅TSV和碳納米管TSV技術(shù)，考慮不同TSV材料、長度、直徑、介電厚度和間距等因素，建立三維集成電路TSV通孔的電阻、電感、電容的解析模型及熱模型；考慮層間通孔和互連焦耳熱，獲得三維集成電路的熱解析模型和頂層互連線的熱解析模型，考慮三維集成電路的面積、通信帶寬和溫度的約束，應(yīng)用多級路由技術(shù)實現(xiàn)三維集成電路熱通孔最優(yōu)化分配技術(shù)，為三維集成技術(shù)應(yīng)用于未來集成電路設(shè)計提供必要的理論基礎(chǔ)。
隨著傳統(tǒng)二維集成電路技術(shù)系統(tǒng)芯片的信號失真、延遲等問題日益嚴(yán)重，三維集成電路技術(shù)就成為被用來解決縮短連線、多級集成、改善性能和降低功耗等問題的有效方法之一，三維集成技術(shù)已經(jīng)被國際上公認(rèn)為集成電路技術(shù)的未來發(fā)展方向，也是摩爾定律繼續(xù)有效的有力保證。 基于銅TSV技術(shù)，電學(xué)特性方面研究了考慮MOS效應(yīng)的錐形TSV的電容特性，同時分析了錐形TSV底部直徑、介電層厚度、介電常數(shù)、TSV高度、摻雜濃度等參數(shù)對錐形TSV電容特性的影響；研究了溫度對TSV寄生電阻的影響，考慮趨膚效應(yīng)，建立了溫度相關(guān)TSV寄生電阻模型，分析了頻率和TSV結(jié)構(gòu)參數(shù)對寄生電阻的影響。結(jié)果表明，隨著頻率和TSV半徑的增加，電阻溫度系數(shù)減??；采用保角變換法建立錐形TSV電容解析模型，結(jié)果表明氧化層電容和襯底電容的誤差率分別為1%和3%，驗證了模型的準(zhǔn)確性，側(cè)面傾角為零時，模型可以應(yīng)用到圓柱形TSV結(jié)構(gòu)；提出了屏蔽差分硅通孔(Shield Differential Through-Silicon Via, SDTSV)結(jié)構(gòu)并建立了它的等效電路模型，深入分析了SDTSV的電磁特性；建立了毫米波應(yīng)用的空氣隙TSV等效電路模型、錐形TSV寄生電感模型。熱特性方面，研究了Cu和SiO2填充同軸TSV的熱性能，分析了金屬層厚度、介電層厚度、TSV高度等因素對同軸TSV熱性能的影響，結(jié)果表明金屬的填充尺寸對TSV熱性能影響較大；提出一種降低同軸TSV阻止區(qū)的方法，建立了同軸和同軸環(huán)形TSV熱應(yīng)力解析模型，分析了銅的塑性、TSV材料及結(jié)構(gòu)參數(shù)的影響。結(jié)果表明，同軸環(huán)形TSV與同軸TSV相比，阻止區(qū)減小了22%。 基于碳納米管TSV技術(shù)，提出一種考慮溫度效應(yīng)多壁碳納米管互連電導(dǎo)率模型；建立了單壁碳納米管束TSV的等效電路，并在局部互連、層間互連、全局互連層面與銅TSV進(jìn)行了分析對比，結(jié)果表明單壁碳納米管束作為TSV互連具有明顯優(yōu)勢；提出了無畸變TSV的概念，給出了無畸變TSV的設(shè)計要求和一種設(shè)計方法；研究了單壁碳納米管基TSV熱-機(jī)械特性。 本項目的研究成果為三維集成電路技術(shù)的應(yīng)用提供必要的理論基礎(chǔ)。
三維集成電路的TSV建模和信號完整性關(guān)鍵技術(shù)研究中文摘要