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備案號：2355-19922100433B

半導(dǎo)體集成電路CF3080型跨導(dǎo)運算放大器詳細規(guī)范造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
（除稅）		 工程建議價
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報價日期
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材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價		 含稅
信息價		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
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臺 廣東2022年3季度信息價
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臺 廣東2022年1季度信息價
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臺 廣東2021年3季度信息價
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臺 廣東2019年2季度信息價
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臺 廣東2019年1季度信息價
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臺 廣東2022年2季度信息價
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臺 廣東2021年4季度信息價
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臺 廣東2021年1季度信息價
材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
（元）		 供應(yīng)商 報價地區(qū) 最新報價時間
半導(dǎo)體陶瓷 將面板旋轉(zhuǎn)到任一半導(dǎo)體上,旋轉(zhuǎn)按鈕縮小、放大,觀察陶瓷.|1項 1 查看價格 鴻瑞工美(深圳)實業(yè)有限公司 全國   2022-10-24
半導(dǎo)體陶瓷 將面板旋轉(zhuǎn)到任一半導(dǎo)體上,旋轉(zhuǎn)按鈕縮小、放大,觀察陶瓷.|1項 1 查看價格 安徽東一特電子技術(shù)有限公司 全國   2022-09-16
半導(dǎo)體陶瓷 將面板旋轉(zhuǎn)到任一半導(dǎo)體上,旋轉(zhuǎn)按鈕縮小、放大,觀察陶瓷.|1項 1 查看價格 安徽盛鴻展覽工程有限公司 全國   2022-08-15
半導(dǎo)體陶瓷 將面板旋轉(zhuǎn)到任一半導(dǎo)體上,旋轉(zhuǎn)按鈕縮小、放大,觀察陶瓷.|1項 1 查看價格 合肥金諾數(shù)碼科技股份有限公司 全國   2022-09-14
集成電路控制中心 800×800×1500|1臺 1 查看價格 百海（ 深圳） 水處理有限公司 廣東   2021-06-15
集成電路測試儀 1ST6500|7臺 1 查看價格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-11-02
集成電路測試儀 1CT-33C|4臺 1 查看價格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-08-05
集成電路測試儀 GUT-660A|9臺 1 查看價格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-07-31

半導(dǎo)體集成電路CF3080型跨導(dǎo)運算放大器詳細規(guī)范簡介常見問題

半導(dǎo)體集成電路CF3080型跨導(dǎo)運算放大器詳細規(guī)范簡介文獻

半導(dǎo)體集成電路課程教學(xué)大綱 半導(dǎo)體集成電路課程教學(xué)大綱

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評分： 4.3

大學(xué)生電腦主頁 - dxs diannao .com –大學(xué)生喜歡的都在這里 大學(xué)生電腦主頁 —— dxs diannao .com —— 大學(xué)生的百事通 《半導(dǎo)體集成電路》課程教學(xué)大綱 （包括《集成電路制造基礎(chǔ)》和《集成電路原理及設(shè)計》兩門課程） 集成電路制造基礎(chǔ)課程教學(xué)大綱 課程名稱：集成電路制造基礎(chǔ) 英文名稱： The Foundation of Intergrate Circuit Fabrication 課程類別：專業(yè)必修課 總學(xué)時： 32 學(xué)分： 2 適應(yīng)對象：電子科學(xué)與技術(shù)本科學(xué)生 一、課程性質(zhì)、目的與任務(wù)： 本課程為高等學(xué)校電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)本科生必修的一門工程技術(shù)專業(yè)課。半導(dǎo)體科 學(xué)是一門近幾十年迅猛發(fā)展起來的重要新興學(xué)科，是計算機、雷達、通訊、電子技術(shù)、自動 化技術(shù)等信息科學(xué)的基礎(chǔ)， 而半導(dǎo)體工藝主要討論集成電路的制造、 加工技術(shù)以及制造中涉 及的原材料的制備， 是

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跨導(dǎo)運算放大器及其Spice電路模型的構(gòu)建 跨導(dǎo)運算放大器及其Spice電路模型的構(gòu)建

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頁數(shù)： 26頁

評分： 4.8

山東科技大學(xué)工程碩士學(xué)位論文 跨導(dǎo)運算放大器及其 Spice電路模型的構(gòu)建 2.1 CMOS 模擬集成電路基本單元 2.1.1 MOS 場效應(yīng)管的基本結(jié)構(gòu) 絕緣柵場效應(yīng)管又叫作 MOS 場效應(yīng)管，意為金屬 -氧化物 -半導(dǎo)體場效應(yīng)管。圖 2.1 為 MOS 場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和電路符號。圖中的 N型硅襯底是雜質(zhì)濃度低的 N型硅薄片。 在它上面再制作兩個相距很近的 P區(qū)，分別引為漏極和源極， 而由金屬鋁構(gòu)成的柵極則 是通過二氧化硅絕緣層與 N型襯底及 P型區(qū)隔離。這也是絕緣柵 MOS 場效應(yīng)管名稱的 由來。因為柵極與其它電極隔離， 所以柵極是利用感應(yīng)電荷的多少來改變導(dǎo)電溝道去控 制漏源電流的。 MOS場效應(yīng)管的導(dǎo)電溝道由半導(dǎo)體表面場效應(yīng)形成。 柵極加有負電壓， 而 N 型襯底加有正電壓。由于鋁柵極和 N型襯底間電場的作用，使絕緣層下面的 N 型 襯底表面的電子被排斥，而帶正電的空穴被吸引到表面上

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備案號：2355-1992

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跨阻（轉(zhuǎn)移電阻），也常常被稱為互阻，是跨導(dǎo)的雙重性。它是指兩個輸出點電壓變化與兩個輸入點電流變化的比值，記為rm：

跨阻國際單位就是歐姆，就像阻力一樣。

跨阻（或轉(zhuǎn)移阻抗）是互阻的交流等效，是互導(dǎo)的二元。

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半導(dǎo)體集成電路參考書目

基本資料

書 名: 現(xiàn)代半導(dǎo)體集成電路

作 者:楊銀堂 劉簾曦

出版社: 電子工業(yè)出版社

出版時間: 2009年04月

ISBN: 9787121082542

開本: 16開

定價: 28.00 元

內(nèi)容簡介

《現(xiàn)代半導(dǎo)體集成電路》全面介紹了現(xiàn)代半導(dǎo)體集成電路的基礎(chǔ)知識、分析與設(shè)計方法。全書共分為5個部分，第一部分(第1~2章)為集成電路的基礎(chǔ)知識，主要介紹各種集成器件的結(jié)構(gòu)和模型、集成電路的典型工藝。第二部分(第3~5章)為雙極集成電路，包括TTL、ECL及IIL邏輯門及邏輯擴展、雙極差分放大器及雙極運放電路等。第三部分(第6~8章)為CMOS數(shù)字集成電路，分為CMOS基本邏輯電路、CMOS數(shù)字子系統(tǒng)和現(xiàn)代半導(dǎo)體存儲器、第四部分(第9~13章)為CMOS模擬集成電路，包括基本模擬電路單元、運算放大器、開關(guān)電容電器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器和鎖相環(huán)。第五部分(第14~16章)為半導(dǎo)體集成電路設(shè)計的共性知識，介紹了集成電路的版圖設(shè)計、可靠性設(shè)計、可測性設(shè)計和SOC的設(shè)計方法學(xué)、軟硬件協(xié)同設(shè)計及仿真等。每章后面都附有習(xí)題?！冬F(xiàn)代半導(dǎo)體集成電路》可作為大專院校微電子學(xué)、電子科學(xué)與技術(shù)、電子信息工程等本科專業(yè)的教材，也可供有關(guān)專業(yè)的本科生，研究生和工程技術(shù)人員閱讀參考。

圖書目錄

第1章 集成電路器件與模型

第2章 集成電路制造技術(shù)

第3章 晶體管一晶體管邏輯(TTL)電路

第4章 發(fā)射極耦合邏輯與集成注入邏輯電路

第5章 雙極模擬集成電路

第6章 CMOS基本邏輯電路

第7章 CMOS數(shù)字電路子系統(tǒng)

第8章 現(xiàn)代半導(dǎo)體存儲器

第9章 CMOS基本模擬電路

第10章CMOS運算放大器

第11章 CMOS開關(guān)電容電路

第12章 CMOS數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器

第13章 CMOS鎖相環(huán)(PLL)

第14章 集成電路版圖設(shè)計

第15章 集成電路可靠性設(shè)計與可測性設(shè)計

第16章 片上系統(tǒng)(SoC)設(shè)計初步

其他文獻

1. C. Mead and L. Conway,Introduction to VLSI System, Addison-Wesley, London, 1978.

2. 復(fù)旦大學(xué)微電子教研室編著:《半導(dǎo)體集成電路》,上海人民出版社，上海，1980。

3. P.Richnian,MOS Field-Effect Transistor and Integrated Circuit, John Wiley & Sons, New York,1973.

4. M. L. Toptev, Thick-film Microelectronics,VanNostrand Reinhold Co., New York, 1971.

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