薄膜沉積設(shè)備基本信息

中文名 薄膜沉積設(shè)備 產(chǎn)????地 美國(guó)
學(xué)科領(lǐng)域 物理學(xué)、材料科學(xué) 啟用日期 2008年04月10日
所屬類(lèi)別 工藝試驗(yàn)儀器 > 電子工藝實(shí)驗(yàn)設(shè)備 > 電真空器件工藝實(shí)驗(yàn)設(shè)備

金屬和氧化物薄膜生長(zhǎng)。

薄膜沉積設(shè)備造價(jià)信息

市場(chǎng)價(jià) 信息價(jià) 詢(xún)價(jià)
材料名稱(chēng) 規(guī)格/型號(hào) 市場(chǎng)價(jià)
（除稅）		 工程建議價(jià)
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)日期
HDPE薄膜 厚0.5mm 查看價(jià)格 查看價(jià)格

m2 13% 東莞市碩泰實(shí)業(yè)有限公司
HDPE薄膜 厚2mm 查看價(jià)格 查看價(jià)格

m2 13% 東莞市碩泰實(shí)業(yè)有限公司
PE薄膜 - 查看價(jià)格 查看價(jià)格

豐利廣源

 卷 13% 北京豐利廣源保溫建材有限公司
HDPE薄膜 1.5mm 查看價(jià)格 查看價(jià)格

m2 13% 廣州市波斯成機(jī)電設(shè)備有限公司
方格薄膜 0.1mm/50×50cm 查看價(jià)格 查看價(jià)格

張 13% 重慶南方測(cè)繪儀器有限公司
方格薄膜 0.1mm/40×50cm 查看價(jià)格 查看價(jià)格

張 13% 柳州市測(cè)光科技設(shè)備公司
HDPE薄膜 厚0.75mm 查看價(jià)格 查看價(jià)格

m2 13% 東莞市碩泰實(shí)業(yè)有限公司
PC薄膜/印刷面板薄膜/箱包PC薄膜 915*1830mm/YW55 聚碳酸酯 查看價(jià)格 查看價(jià)格

亞威

 kg 13% 揚(yáng)州亞威建材有限公司
材料名稱(chēng) 規(guī)格/型號(hào) 除稅
信息價(jià)		 含稅
信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
薄膜 種草用 查看價(jià)格 查看價(jià)格

m2 廣東2018年全年信息價(jià)
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m2 廣東2019年全年信息價(jià)
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薄膜 種草用，可降解，厚度0.01~0.015mm 查看價(jià)格 查看價(jià)格

m2 廣東2021年全年信息價(jià)
薄膜 種草用，可降解，厚度0.01~0.015mm 查看價(jià)格 查看價(jià)格

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m2 廣東2017年全年信息價(jià)
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材料名稱(chēng) 規(guī)格/需求量 報(bào)價(jià)數(shù) 最新報(bào)價(jià)
（元）		 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)地區(qū) 最新報(bào)價(jià)時(shí)間
薄膜 名稱(chēng) PV/OPP共擠薄膜 材質(zhì) PV/OPP 工藝 全自動(dòng)出筒機(jī)生產(chǎn)設(shè)備 是否提供加工定制 是|9136kg 1 查看價(jià)格 貴州思州雙贏包裝設(shè)備公司 貴州  黔東南州 2015-08-17
塑料薄膜 塑料薄膜|1m2 1 查看價(jià)格 超境物資 廣東  揭陽(yáng)市 2009-05-19
塑料薄膜 塑料薄膜|1m2 1 查看價(jià)格 陶瓷分公司 廣東  揭陽(yáng)市 2009-05-19
塑料薄膜 塑料薄膜|1726.15m2 2 查看價(jià)格 四川金蜀航科技有限責(zé)任公司 四川   2022-07-04
塑料薄膜 塑料薄膜|268m2 1 查看價(jià)格 四川興達(dá)塑料有限公司 四川  成都市 2016-11-16
溫室薄膜 溫室薄膜|95000m2 1 查看價(jià)格 廣州鑫華發(fā)實(shí)業(yè)有限公司 廣東  廣州市 2011-02-15
乙烯薄膜 0.6厚聚乙烯薄膜|600m2 2 查看價(jià)格 湖南盛業(yè)土工材料制造有限公司 湖南  長(zhǎng)沙市 2021-06-11
乙烯薄膜 0.1-0.15厚聚乙烯薄膜|7000m2 2 查看價(jià)格 湖北華坤包裝材料有限公司 湖北  孝感市 2021-07-07

本底真空1E-8torr，3直流靶，1射頻靶，功率600W。

薄膜沉積設(shè)備常見(jiàn)問(wèn)題

薄膜沉積設(shè)備文獻(xiàn)

薄膜級(jí)PP薄膜級(jí)PP 薄膜級(jí)PP薄膜級(jí)PP

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評(píng)分： 4.6

TITAN PETCHEM (M) SDN. BHD. (Co. No. 154990 W) (Formerly known as Titan PP Polymers (M) Sdn. Bhd.) Product Data TITANPRO PM383 FOR BOPP FILM 薄膜級(jí) PP CHARACTER Polypropylene homopolymer. The base resin meets the requirements of the U.S. Food and Drug Administration as specified in 21 CFR 177.1520(a)(1)(i) and (c)1.1a. The adjuvants meet their respective FDA regulations and 21 CFR 177.15

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常壓化學(xué)氣相沉積法制備Ti_5Si_3薄膜及其鍍膜玻璃 常壓化學(xué)氣相沉積法制備Ti_5Si_3薄膜及其鍍膜玻璃

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評(píng)分： 4.7

以制備兼具陽(yáng)光控制和低輻射功能的鍍膜玻璃為目的,以硅烷與四氯化鈦為反應(yīng)前驅(qū)體,氮?dú)鉃楸Ｗo(hù)氣體和稀釋氣體,通過(guò)常壓化學(xué)氣相沉積法模擬玻璃浮法在線鍍膜工藝,在玻璃基板上成功制備了Ti5Si3薄膜,用X射線衍射、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡、四探針測(cè)阻儀和分光光度計(jì)對(duì)薄膜的相結(jié)構(gòu)、形貌、電學(xué)、光學(xué)性能進(jìn)行了表征。結(jié)果表明:薄膜為六方結(jié)構(gòu)的Ti5Si3晶相,晶相含量較高,晶粒尺寸為23nm,薄膜中的晶粒以200nm左右的多晶顆粒團(tuán)聚體形式存在。薄膜電阻率為122μΩ·cm,與Ti5Si3晶體的本征電阻率相當(dāng)。這種單層鍍膜玻璃的紅外反射率可高達(dá)92.1%,可見(jiàn)光區(qū)的透過(guò)率為25%,兼具陽(yáng)光控制和低輻射功能。

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將金屬薄層沉積到襯底或之前獲得的薄層的技術(shù)稱(chēng)為表面沉積。這里的"薄"是一個(gè)相對(duì)的概念，但大多數(shù)的沉積技術(shù)都可以將薄層厚度控制在幾個(gè)到幾十納米尺度的范圍內(nèi)，分子束外延技術(shù)可以得到單一原子層的結(jié)構(gòu)。

沉積技術(shù)在光學(xué)儀器(消反射膜，減反射膜，自清潔表面等)、電子技術(shù)(薄膜電阻，半導(dǎo)體，集成電路)、包裝和現(xiàn)代藝術(shù)都有應(yīng)用。在對(duì)薄膜厚度要求不高時(shí)，類(lèi)似于沉積的技術(shù)常常被使用。例如:用電解法提純銅，硅沉積，鈾的提純中都用到了類(lèi)似于化學(xué)氣象沉積的過(guò)程。

沉積技術(shù)根據(jù)其使用的主要原理可分為兩大類(lèi):物理沉積和化學(xué)沉積。

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化學(xué)氣相沉積是制備各種薄膜材料的一種重要和普遍使用的技術(shù)，利用這一技術(shù)可以在各種基片上制備元素及化合物薄膜。化學(xué)氣相沉積相對(duì)于其他薄膜沉積技術(shù)具有許多優(yōu)點(diǎn)：它可以準(zhǔn)確地控制薄膜的組分及摻雜水平使其組分具有理想化學(xué)配比；可在復(fù)雜形狀的基片上沉積成膜；由于許多反應(yīng)可以在大氣壓下進(jìn)行，系統(tǒng)不需要昂貴的真空設(shè)備；化學(xué)氣相沉積的高沉積溫度會(huì)大幅度改善晶體的結(jié)晶完整性；可以利用某些材料在熔點(diǎn)或蒸發(fā)時(shí)分解的特點(diǎn)而得到其他方法無(wú)法得到的材料；沉積過(guò)程可以在大尺寸基片或多基片上進(jìn)行。

化學(xué)氣相沉積的明顯缺點(diǎn)是化學(xué)反應(yīng)需要高溫；反應(yīng)氣體會(huì)與基片或設(shè)備發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；在化學(xué)氣相沉積中所使用的設(shè)備可能較為復(fù)雜，且有許多變量需要控制。

化學(xué)氣相沉積有較為廣泛的應(yīng)用，例如利用化學(xué)氣相沉積，在切削工具上獲得的TiN或SiC涂層，通過(guò)提高抗磨性可大幅度提高刀具的使用壽命；在大尺寸基片上，應(yīng)用化學(xué)氣相沉積非晶硅可使太陽(yáng)能電池的制備成本降低；化學(xué)氣相沉積獲得的TiN可以成為黃金的替代品從而使裝飾寶石的成本降低。而化學(xué)氣相沉積的主要應(yīng)用則是在半導(dǎo)體集成技術(shù)中的應(yīng)用，例如：在硅片上的硅外延沉積以及用于集成電路中的介電膜如氧化硅、氮化硅的沉積等。

沉積反應(yīng)一、一般化學(xué)氣相沉積反應(yīng)

在化學(xué)氣相沉積中，氣體與氣體在包含基片的真空室中相混合。在適當(dāng)?shù)臏囟认?，氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)將反應(yīng)物沉積在基片表面，最終形成固態(tài)膜。在所有化學(xué)氣相沉積過(guò)程中所發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)是非常重要的。在薄膜沉積過(guò)程中可控制的變量有氣體流量、氣體組分、沉積溫度、氣壓、真空室?guī)缀螛?gòu)型等。因此，用于制備薄膜的化學(xué)氣相沉積涉及三個(gè)基本過(guò)程：反應(yīng)物的輸運(yùn)過(guò)程，化學(xué)反應(yīng)過(guò)程，去除反應(yīng)副產(chǎn)品過(guò)程。廣義上講，化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的設(shè)計(jì)可分成常壓式和低壓式，熱壁式和冷壁式。常壓式反應(yīng)器運(yùn)行的缺點(diǎn)是需要大流量攜載氣體、大尺寸設(shè)備，膜被污染的程度高；而低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)可以除去攜載氣體并在低壓下只使用少量反應(yīng)氣體，此時(shí)，氣體從一端注入，在另一端用真空泵排出。因此，低壓式反應(yīng)器已得到廣泛應(yīng)用和發(fā)展。在熱壁式反應(yīng)器中，整個(gè)反應(yīng)器需要達(dá)到發(fā)生化學(xué)反應(yīng)所需的溫度，基片處于由均勻加熱爐所產(chǎn)生的等溫環(huán)境下；而在冷壁式反應(yīng)器中，只有基片需要達(dá)到化學(xué)反應(yīng)所需的溫度，換句話(huà)說(shuō)，加熱區(qū)只局限于基片或基片架。

下面是在化學(xué)氣相沉積過(guò)程中所經(jīng)常遇到的一些典型的化學(xué)反應(yīng)。

1．分解反應(yīng)

早期制備Si膜的方法是在一定的溫度下使硅烷SiH4分解，這一化學(xué)反應(yīng)為：

SiH4（g） ——→Si（s） 2H2（g）

許多其他化合物氣體也不是很穩(wěn)定，因而利用其分解反應(yīng)可以獲得金屬薄膜：

Ni（CO）4（g）——→Ni（s） 4CO（g）

Til2（g）——→Ti（s） 2I（g）

2．還原反應(yīng)

一個(gè)最典型的例子是H還原鹵化物如SICl4獲得Si膜：

SiCl4（g） 2H2（g）——→Si（s） 4HCl（g）

其他例子涉及鎢和硼的鹵化物：

WCl6（g） 3H2（g）——→W（s） 6HCl（g）

WF6（g） 3H2（g）——→W（s） 6HF（g）

2BCl3（g） 3H2（g）——→2B（g） 6HCI（g）

氯化物是更常用的鹵化物，這是因?yàn)槁然锞哂休^大的揮發(fā)性且容易通過(guò)部分分餾而鈍化。氫的還原反應(yīng)對(duì)于制備像Al、Ti等金屬是不適合的，這是因?yàn)檫@些元素的鹵化物較穩(wěn)定。

3．氧化反應(yīng)

SiO2通常由SiH4的氧化制得，其發(fā)生的氧化反應(yīng)為：

SiH4（g） O2（g）——→SiO2（s） 2H2（g）反應(yīng)可以在450℃較低的溫度下進(jìn)行。

常壓下的化學(xué)氣相反應(yīng)沉積的優(yōu)點(diǎn)在于它對(duì)設(shè)備的要求較為簡(jiǎn)單，且相對(duì)于低壓化學(xué)氣相反應(yīng)沉積系統(tǒng)，它的價(jià)格較為便宜。但在常壓下反應(yīng)時(shí)，氣相成核數(shù)將由于使用的稀釋惰性氣體而減少。

SiCl4和GeCl4的直接氧化需要高溫：

SiCl4（g） O2（g）——→SiOz（s） 2Cl2（g）

GeCl4（g） O2（g）——→GeO2（s） 2Cl2（g）

由氯化物的水解反應(yīng)可氧化沉積Al：

Al2Cl6（g） 2CO2（g） 3H2（g）——→Al2O3（s） 6HCl（g） 3CO（g）

4．氮化反應(yīng)和碳化反應(yīng)

氮化硅和氮化硼是化學(xué)氣相沉積制備氮化物的兩個(gè)重要例子：

3SiH4（g） 4NH3（g）——→Si3N4（s） 12H2（g）

下列反應(yīng)可獲得高沉積率：

3SiH2Cl2（g） 4NH3（g）——→Si3N4（s） 6HCI（g） 6H2（g）

BCl3（g） NH3（g）——→BN（s） 3HCl（g）

化學(xué)氣相沉積方法得到的膜的性質(zhì)取決于氣體的種類(lèi)和沉積條件(如溫度等)。例如，在一定的溫度下，氮化硅更易形成非晶膜。在碳?xì)錃怏w存在情況下，使用氯化還原化學(xué)氣相沉積方法可以制得TiC：

TiCl4（g） CH4（g）——→TiC（s） 4HCl（g）

CH3SiCl3的熱分解可產(chǎn)生碳化硅涂層：

CH3SiCl3（g）——→SiC（s） 3HCl（g）

5．化合反應(yīng)

由有機(jī)金屬化合物可以沉積得到Ⅲ～V族化合物：

Ga(CH3)3（g） AsH3（g）——→GaAs（s） 3CH4（g）

如果系統(tǒng)中有溫差，當(dāng)源材料在溫度T1時(shí)與輸運(yùn)氣體反應(yīng)形成易揮發(fā)物時(shí)就會(huì)發(fā)生化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)。當(dāng)沿著溫度梯度輸運(yùn)時(shí)，揮發(fā)材料在溫度T2(T1>T2)時(shí)會(huì)發(fā)生可逆反應(yīng)，在反應(yīng)器的另一端出現(xiàn)源材料：

6GaAs（g） 6HCI（g）?As4（g） As2（g）) 6GaCI（g） 3H2（g）（T1正反應(yīng)，T2逆反應(yīng)）

在逆反應(yīng)以后，所獲材料處于高純態(tài)。

沉積反應(yīng)二、化學(xué)氣相沉積制備薄膜的傳統(tǒng)方法

下表給出了化學(xué)氣相沉積制備薄膜時(shí)所使用的化學(xué)氣體以及沉積條件。

膜

反應(yīng)氣體

沉積溫度/℃

基底

ZnO

（C2H5）2Zn和O2

200~500

玻璃

Ge

GeH4

500~900

Si

SnO2

SnCl2和O2

350~500

玻璃

Nb/Ge

NbCl5和GeCl4

800和900

氧化鋁

BN

BCl3和NH3

600~1000

SiO2和藍(lán)寶石

TiB2

H2，Ar，TiCl4和B2H5

600~900

石墨

BN

BCl3和NH3

250~700

Cu

a-Si ：H

Si2H4

380~475

Si

CdTe

CdTe和HCl

550~650

CdTe（110）

Si

SiH4

570~640

Si（001）

W

WF6，Si和H2

300

熱氧化Si片

Si3N4

SiH2Cl2:：NH3=1:3

800

n型Si(111)

B

B10H14

600~1200

350~700

Al2O3和Si

Ta片

Si

SiH4

775

Si片

TiSn2

SiH4和TiCl4

650~700

Si片

W

WF6和Si

400

多晶Si

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電沉積

電沉積（Electrodeposition）是一種制備化合物薄膜的常用方式?，F(xiàn)以沉積碲化鎘薄膜為例介紹它的基本特征。

電解液是含有鎘鹽和氧化亞碲的酸性水溶液，典型的組分是CdSO4和HTeO2 。電解與沉積的反應(yīng)式為：

HTeO2 3H 4e-—→Te 2H2O

Cd2 Te 2e- —→ CdTe

上面兩個(gè)反應(yīng)同時(shí)在陰極表面上進(jìn)行。陰極則是有透明導(dǎo)電膜或有硫化鎘薄膜的襯底。陰極的電位為-0.2～ -0.5 V(相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)甘汞電極)，這個(gè)值略低于金屬鎘的沉積電位。為了讓電沉積過(guò)程持續(xù)進(jìn)行，還要把純鎘棒和純碲棒放置在電解槽內(nèi)。這樣可以延長(zhǎng)電解液的使用壽命，一般在半年左右。使用壽命主要決定于電解液的組分、濃度變化和雜質(zhì)的增加。

在沉積過(guò)程中，溶液須加熱并要保持一定的溫度(如在70～90℃之間)。溶液還須攪拌，常用的方式是利用塑料泵讓電解液循環(huán)，充分的攪拌是制備大面積均勻薄膜的關(guān)鍵。受TeO2溶解度的制約，HTeO2 在溶液中的濃度較低。因此，沉積速率基本上由HTeO2 的濃度決定。于是，薄膜的沉積速率也較低，大約為1～2 μm/h。電沉積的主要參數(shù)包括溶液的組分、pH值、溫度、HTeO2 的濃度、陰極電位、陽(yáng)極電位和攪拌。電沉積的另一個(gè)特點(diǎn)是在沉積過(guò)程中加入摻雜劑可實(shí)現(xiàn)共—電沉淀（Co-Electrodeposition），從而獲得n型或p型的樣品，也可以獲得三元系的薄膜。2100433B

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