《薄膜技術(shù)與薄膜材料》

第1章 真空技術(shù)基礎(chǔ)1

1.1 真空的基本知識1

1.1.1 真空定義1

1.1.2 真空度量單位2

1.1.3 真空區(qū)域劃分4

1.1.4 氣體與蒸氣6

1.2 真空的表征7

1.2.1 氣體分子運(yùn)動(dòng)論7

1.2.2 分子運(yùn)動(dòng)的平均自由程9

1.2.3 氣流與流導(dǎo)12

1.3 氣體分子與表面的相互作用13

1.3.1 碰撞于表面的分子數(shù)13

1.3.2 分子從表面的反射14

1.3.3 蒸發(fā)速率15

1.3.4 真空在薄膜制備中的作用16

習(xí)題17

第2章 真空泵與真空規(guī)19

2.1 真空泵19

2.1.1 油封機(jī)械泵20

2.1.2 擴(kuò)散泵24

2.1.3 吸附泵29

2.1.4 濺射離子泵30

2.1.5 升華泵32

2.1.6 低溫冷凝泵33

2.1.7 渦輪分子泵和復(fù)合渦輪泵34

2.1.8 干式機(jī)械泵36

2.2 真空測量儀器--總壓強(qiáng)計(jì)37

2.2.1 麥克勞真空規(guī)39

2.2.2 熱傳導(dǎo)真空規(guī)40

2.2.3 電離真空計(jì)--電離規(guī)41

2.2.4 蓋斯勒管46

2.2.5 隔膜真空規(guī)47

2.2.6 真空規(guī)的安裝方法48

2.3 真空測量儀器--分壓強(qiáng)計(jì)48

2.3.1 磁偏轉(zhuǎn)型質(zhì)譜計(jì)48

2.3.2 四極濾質(zhì)器（四極質(zhì)譜計(jì)）49

習(xí)題50

第3章 真空裝置的實(shí)際問題52

3.1 排氣的基礎(chǔ)知識52

3.2 材料的放氣53

3.3 排氣時(shí)間的估算56

3.4 實(shí)用的排氣系統(tǒng)57

3.4.1 離子泵系統(tǒng)57

3.4.2 擴(kuò)散泵系統(tǒng)57

3.4.3 低溫冷凝泵-分子泵系統(tǒng)57

3.4.4 殘留氣體59

3.5 檢漏60

3.5.1 檢漏方法60

3.5.2 檢漏的實(shí)際操作62

3.6 大氣溫度與濕度對裝置的影響63

3.7 烘烤用的內(nèi)部加熱器64

3.8 化學(xué)活性氣體的排氣65

3.8.1 主要裝置及存在的問題66

3.8.2 排氣系統(tǒng)及其部件66

習(xí)題68

第4章 氣體放電和低溫等離子體69

4.1 帶電粒子在電磁場中的運(yùn)動(dòng)69

4.1.1 帶電粒子在電場中的運(yùn)動(dòng)69

4.1.2 帶電粒子在磁場中的運(yùn)動(dòng)70

4.1.3 帶電粒子在電磁場中的運(yùn)動(dòng)71

4.1.4 磁控管和電子回旋共振73

4.2 氣體原子的電離和激發(fā)73

4.2.1 碰撞--能量傳遞過程74

4.2.2 電離--正離子的形成77

4.2.3 激發(fā)--亞穩(wěn)原子的形成80

4.2.4 回復(fù)--退激發(fā)光82

4.2.5 解離--分解為單個(gè)原子或離子84

4.2.6 附著--負(fù)離子的產(chǎn)生85

4.2.7 復(fù)合--中性原子或原子團(tuán)的形成85

4.2.8 離子化學(xué)--活性粒子間的化學(xué)反應(yīng)87

4.3 氣體放電發(fā)展過程89

4.3.1 由非自持放電過渡到自持放電的條件90

4.3.2 電離系數(shù)"para" label-module="para">

4.3.3 帕邢定律及點(diǎn)燃電壓的確定92

4.3.4 氣體放電伏安特性曲線93

4.4 低溫等離子體概述95

4.4.1 等離子體的定義95

4.4.2 等離子體的溫度96

4.4.3 帶電粒子的遷移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)97

4.4.4 等離子體的導(dǎo)電性99

4.4.5 等離子體的集體特性100

4.4.6 等離子體電位101

4.4.7 離子鞘層102

4.5 輝光放電103

4.6 弧光放電105

4.6.1 弧光放電類型105

4.6.2 弧光放電的基本特性106

4.7 高頻放電107

4.7.1 高頻功率的輸入方法107

4.7.2 離子捕集和電子捕集108

4.7.3 自偏壓109

4.8 低壓力、高密度等離子體放電110

4.8.1 微波的傳輸及微波放電111

4.8.2 微波ECR放電111

4.8.3 螺旋波等離子體放電113

4.8.4 感應(yīng)耦合等離子體放電114

習(xí)題115

第5章 薄膜生長與薄膜結(jié)構(gòu)117

5.1 薄膜生長概述117

5.2 吸附、表面擴(kuò)散與凝結(jié)118

5.2.1 吸附118

5.2.2 表面擴(kuò)散123

5.2.3 凝結(jié)124

5.3 薄膜的形核與生長126

5.3.1 形核與生長簡介126

5.3.2 毛吸理論（熱力學(xué)界面能理論）129

5.3.3 統(tǒng)計(jì)或原子聚集理論134

5.4 連續(xù)薄膜的形成137

5.4.1 奧斯瓦爾多（Ostwald）吞并過程137

5.4.2 熔結(jié)過程138

5.4.3 原子團(tuán)的遷移139

5.4.4 決定表面取向的Wullf理論139

5.5 薄膜的生長過程與薄膜結(jié)構(gòu)140

5.5.1 薄膜生長的晶帶模型140

5.5.2 纖維狀生長模型142

5.5.3 薄膜的缺陷144

5.5.4 薄膜形成過程的計(jì)算機(jī)模擬145

5.6 非晶態(tài)薄膜148

5.7 薄膜的基本性質(zhì)150

5.7.1 導(dǎo)電性150

5.7.2 電阻溫度系數(shù)（TCR) 151

5.7.3 薄膜的密度151

5.7.4 經(jīng)時(shí)變化152

5.7.5 電介質(zhì)膜152

5.8 薄膜的粘附力和內(nèi)應(yīng)力153

5.8.1 薄膜的粘附力153

5.8.2 薄膜的內(nèi)應(yīng)力154

5.8.3 提高粘附力的途徑155

5.9 電遷移156

習(xí)題158

第6章 真空蒸鍍159

6.1 概述159

6.2 鍍料的蒸發(fā)160

6.2.1 飽和蒸氣壓160

6.2.2 蒸發(fā)粒子的速度和能量164

6.2.3 蒸發(fā)速率和沉積速率165

6.3 蒸發(fā)源166

6.3.1 電阻加熱蒸發(fā)源166

6.3.2 電子束蒸發(fā)源170

6.4 蒸發(fā)源的蒸氣發(fā)射特性與基板配置173

6.4.1 點(diǎn)蒸發(fā)源173

6.4.2 小平面蒸發(fā)源174

6.4.3 實(shí)際蒸發(fā)源的發(fā)射特性及基板配置175

6.5 蒸鍍裝置及操作178

6.6 合金膜的蒸鍍179

6.6.1 合金蒸發(fā)分餾現(xiàn)象180

6.6.2 瞬時(shí)蒸發(fā)（閃爍蒸發(fā)）法181

6.6.3 雙源或多源蒸發(fā)法181

6.7 化合物膜的蒸鍍181

6.7.1 透明導(dǎo)電膜(ITO)--In"para" label-module="para">

6.7.2 反應(yīng)蒸鍍法182

6.7.3 三溫度法183

6.7.4 熱壁法183

6.8 脈沖激光熔射（PLA) 184

6.8.1 脈沖激光熔射的原理184

6.8.2 脈沖激光熔射設(shè)備185

6.8.3 脈沖激光熔射制作氧化物超導(dǎo)膜186

6.9 分子束外延技術(shù)187

6.9.1 分子束外延的原理及特點(diǎn)187

6.9.2 分子束外延設(shè)備188

6.9.3 分子束外延技術(shù)的發(fā)展動(dòng)向190

6.9.4 分子束外延的應(yīng)用191

習(xí)題192

第7章 離子鍍和離子束沉積193

7.1 離子鍍原理及方式193

7.1.1 離子鍍的原理193

7.1.2 不同的離子鍍方式194

7.1.3 離子轟擊在離子鍍過程中的作用198

7.1.4 離子鍍過程中的離化率問題202

7.1.5 離子鍍的蒸發(fā)源203

7.2 幾種典型的離子鍍方式204

7.2.1 活性反應(yīng)蒸鍍（ARE) 204

7.2.2 空心陰極放電離子鍍206

7.2.3 多弧離子鍍208

7.3 離子束沉積210

7.3.1 離子束沉積的原理210

7.3.2 直接引出式和質(zhì)量分離式212

7.3.3 離化團(tuán)束沉積215

7.3.4 離子束輔助沉積219

7.4 離子束混合222

7.4.1 離子束混合原理222

7.4.2 靜態(tài)混合223

7.4.3 動(dòng)態(tài)混合223

習(xí)題225

第8章 濺射鍍膜227

8.1 離子濺射227

8.1.1 荷能粒子與表面的相互作用227

8.1.2 濺射產(chǎn)額及其影響因素229

8.1.3 濺射原子的能量分布和角分布238

8.2 濺射鍍膜方式242

8.2.1 直流二極濺射246

8.2.2 三極和四極濺射247

8.2.3 射頻濺射249

8.2.4 磁控濺射--低溫高速濺射251

8.2.5 濺射氣壓接近零的零氣壓濺射259

8.2.6 自濺射--深且超微細(xì)孔中的埋入262

8.2.7 RF-DC結(jié)合型偏壓濺射267

8.2.8 ECR濺射268

8.2.9 對向靶濺射269

8.2.10 離子束濺射沉積270

8.3 濺射鍍膜的實(shí)例273

8.3.1 Ta及其化合物膜的濺射沉積273

8.3.2 Al及Al合金膜的濺射沉積277

8.3.3 氧化物的濺射沉積：超導(dǎo)膜和ITO透明導(dǎo)電膜278

習(xí)題282

第9章 化學(xué)氣相沉積（CVD) 284

9.1 化學(xué)氣相沉積（CVD）概述284

9.1.1 定義284

9.1.2 CVD薄膜沉積過程285

9.1.3 主要的生成反應(yīng)286

9.1.4 CVD的類型及裝置289

9.1.5 CVD的應(yīng)用290

9.2 熱CVD292

9.2.1 熱CVD的原理及特征292

9.2.2 熱CVD裝置和反應(yīng)器294

9.2.3 常壓CVD (NPCVD) 296

9.2.4 減壓CVD(LPCVD)296

9.3 等離子體CVD(PCVD)298

9.3.1 PCVD的特征及應(yīng)用298

9.3.2 PCVD裝置301

9.3.3 高密度等離子體（HDP) CVD305

9.4 光CVD(photo CVD)306

9.4.1 激光化學(xué)氣相沉積306

9.4.2 光化學(xué)氣相沉積307

9.5 有機(jī)金屬CVD (MOCVD) 309

9.6 金屬CVD312

9.6.1 W-CVD312

9.6.2 Al-CVD313

9.6.3 Cu-CVD315

9.6.4 阻擋層--TiN-CVD316

9.7 半球形晶粒多晶Si-CVD (HSG-CVD) 317

9.8 鐵電體的CVD318

9.9 低介電常數(shù)薄膜的CVD321

習(xí)題321

第10章 干法刻蝕323

10.1 干法刻蝕與濕法刻蝕323

10.1.1 刻蝕技術(shù)簡介323

10.1.2 濕法刻蝕326

10.1.3 干法刻蝕328

10.2 等離子體刻蝕--激發(fā)反應(yīng)氣體刻蝕333

10.2.1 原理333

10.2.2 裝置334

10.3 反應(yīng)離子刻蝕（RIE) 335

10.3.1 原理及特征335

10.3.2 各種反應(yīng)離子刻蝕方法337

10.3.3 裝置343

10.3.4 軟件343

10.3.5 Cu的刻蝕347

10.4 反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE) 348

10.4.1 聚焦離子束（FIB）設(shè)備及刻蝕加工349

10.4.2 束徑1"para" label-module="para">

10.4.3 大束徑離子束設(shè)備及RIBE352

10.5 氣體離化團(tuán)束（GCIB）加工技術(shù)354

10.5.1 GCIB加工原理354

10.5.2 GCIB設(shè)備355

10.5.3 GCIB加工的優(yōu)點(diǎn)356

10.5.4 GCIB在微細(xì)加工中的應(yīng)用357

10.6 微機(jī)械加工359

10.7 干法刻蝕用離子源的開發(fā)361

習(xí)題362

第11章 平坦化技術(shù)363

11.1 平坦化技術(shù)的必要性363

11.2 平坦化技術(shù)概要364

11.3 不發(fā)生凹凸的薄膜生長366

11.3.1 選擇生長366

11.3.2 回流埋孔（濺射平坦化）366

11.3.3 通過埋入氧化物實(shí)現(xiàn)平坦化367

11.4 沉積同時(shí)進(jìn)行加工防止凹凸發(fā)生的薄膜生長368

11.4.1 偏壓濺射368

11.4.2 去除法（lift-off) 368

11.5 薄膜生長后經(jīng)再加工實(shí)現(xiàn)平坦化369

11.5.1 涂布平坦化369

11.5.2 激光平坦化369

11.5.3 回流平坦化369

11.5.4 蝕刻平坦化370

11.5.5 陽極氧化與離子注入370

11.6 埋入技術(shù)實(shí)例370

11.7 化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）技術(shù)372

11.8 氣體離化團(tuán)束（GCIB）加工平坦化373

11.9 大馬士革法(Damascene)布線及平坦化374

11.10 平坦化技術(shù)與光刻制版術(shù)376

11.11 IC多層布線已進(jìn)展到第四代378

習(xí)題382

第12章 表面改性及超硬膜383

12.1 表面改性383

12.1.1 何謂表面改性383

12.1.2 表面改性的手段384

12.1.3 表面改性的應(yīng)用387

12.2 超硬膜用于切削刀具388

12.2.1 超硬膜的獲得及應(yīng)用388

12.2.2 如何選擇鍍層-基體系統(tǒng)390

12.2.3 超硬鍍層改善刀具切削性能的機(jī)理393

習(xí)題396

第13章 能量及信號變換用薄膜與器件397

13.1 能量變換薄膜與器件397

13.1.1 光電變換薄膜材料397

13.1.2 光熱變換薄膜材料401

13.1.3 熱電變換薄膜材料403

13.1.4 熱電子發(fā)射薄膜材料405

13.1.5 固體電解質(zhì)薄膜材料405

13.1.6 超導(dǎo)薄膜器件407

13.2 傳感器409

13.2.1 傳感器的種類及材料409

13.2.2 薄膜傳感器舉例412

13.3 金剛石薄膜的應(yīng)用415

13.3.1 金剛石薄膜的開發(fā)現(xiàn)狀416

13.3.2 三極管及二極管417

13.3.3 傳感器418

13.3.4 聲表面波器件419

13.3.5 場發(fā)射平板顯示器419

習(xí)題422

第14章 半導(dǎo)體器件、記錄和存儲(chǔ)用薄膜技術(shù)與薄膜材料424

14.1 半導(dǎo)體器件424

14.1.1 半導(dǎo)體集成電路元件中所用薄膜的種類和形成方法424

14.1.2 MOS器件及晶圓的大型化426

14.1.3 化合物半導(dǎo)體器件430

14.2 記錄與存儲(chǔ)431

14.2.1 光盤432

14.2.2 磁盤434

14.2.3 磁頭435

習(xí)題438

第15章 平板顯示器中的薄膜技術(shù)與薄膜材料442

15.1 平板顯示器442

15.2 液晶顯示器442

15.2.1 AM-LCD442

15.2.2 采用a-Si∶H TFT的AM-LCD448

15.2.3 TFT-LCD性能的改進(jìn)和提高449

15.2.4 采用poly-Si TFT的AM-LCD以及低溫poly-Si TFT制作技術(shù)451

15.2.5 LCD顯示屏的封裝技術(shù)455

15.3 等離子體平板顯示器458

15.3.1 等離子體平板顯示器的工作原理458

15.3.2 PDP的主要部件及材料459

15.3.3 MgO薄膜461

15.3.4 放電胞及障壁結(jié)構(gòu)461

15.3.5 PDP顯示器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展464

15.4 有機(jī)電致發(fā)光顯示器(OLED)465

15.4.1 有機(jī)EL顯示的工作原理465

15.4.2 有機(jī)EL顯示器的特征467

15.4.3 小分子系和高分子系有機(jī)EL顯示器468

15.4.4 有機(jī)EL顯示器的結(jié)構(gòu)及制作工藝469

15.4.5 有機(jī)EL顯示器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展471

習(xí)題472

第16章 太陽電池中的薄膜技術(shù)與薄膜材料475

16.1 太陽電池的原理和薄膜太陽電池的優(yōu)勢475

16.1.1 太陽電池原理475

16.1.2 太陽電池的種類477

16.1.3 薄膜太陽電池的優(yōu)勢477

16.2 太陽電池和光伏發(fā)電的最新進(jìn)展478

16.2.1 開發(fā)現(xiàn)狀478

16.2.2 太陽電池開發(fā)路線圖和促進(jìn)開發(fā)、引入的對策480

16.2.3 對今后材料及技術(shù)開發(fā)的展望482

16.3 硅系薄膜太陽電池484

16.3.1 薄膜Si的材料特性484

16.3.2 薄膜Si太陽電池的制作工藝485

16.3.3 薄膜Si太陽電池的高效率化技術(shù)487

16.3.4 今后的課題489

16.4 CdTe太陽電池489

16.4.1 CdTe太陽電池的特征489

16.4.2 CdTe太陽電池的構(gòu)造和制作方法490

16.4.3 今后的展望492

16.5 CIGS太陽電池492

16.5.1 CIGS太陽電池的結(jié)構(gòu)及特長493

16.5.2 CIGS光吸收層的制膜法494

16.5.3 高效率化的措施495

16.5.4 集成型組件工程496

16.5.5 撓性CIGS太陽電池497

16.5.6 今后的課題499

16.6 超高效率多串結(jié)III-V族化合物半導(dǎo)體太陽電池499

16.6.1 多串結(jié)太陽電池實(shí)現(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率的可能性500

16.6.2 如何實(shí)現(xiàn)多串結(jié)太陽電池的高效率化501

16.6.3 多串結(jié)太陽電池高效率化的進(jìn)展歷程502

16.6.4 作為宇宙用太陽電池的實(shí)用化502

16.6.5 以低價(jià)格化為目標(biāo)的集光型太陽電池503

16.6.6 多串結(jié)太陽電池的未來發(fā)展504

16.7 有機(jī)薄膜型太陽電池505

16.7.1 下一代太陽電池的希望505

16.7.2 有機(jī)系太陽電池的特征505

16.7.3 發(fā)電原理與元件結(jié)構(gòu)505

16.7.4 高分子有機(jī)薄膜太陽電池506

16.7.5 小分子系有機(jī)薄膜太陽電池508

16.7.6 有機(jī)薄膜太陽電池的未來發(fā)展508

16.8 色素增感(染料敏化)太陽電池509

16.8.1 何謂色素增感（染料敏化）太陽電池509

16.8.2 電池構(gòu)造及發(fā)電機(jī)制510

16.8.3 電池制作方法511

16.8.4 增感色素的結(jié)構(gòu)512

16.8.5 太陽電池特性513

16.8.6 關(guān)于耐久性514

16.8.7 新的研究開發(fā)要素514

16.8.8 特長和可能的用途515

16.8.9 面向?qū)嵱没恼n題和今后展望515

習(xí)題516

第17章 白光LED固體照明與薄膜技術(shù)518

17.1 半導(dǎo)體固體發(fā)光器件的基礎(chǔ)--發(fā)光過程518

17.2 發(fā)光二極管和藍(lán)光LED519

17.2.1 III-V族化合物半導(dǎo)體LED519

17.2.2 藍(lán)光LED芯片的結(jié)構(gòu)及制作方法522

17.3 白光LED固體照明器件523

17.3.1 白光LED發(fā)光的幾種實(shí)現(xiàn)方式523

17.3.2 白光LED的結(jié)構(gòu)和構(gòu)成要素525

17.3.3 白光LED的發(fā)光效率526

17.4 激光二極管526

習(xí)題527

參考文獻(xiàn)529作者書系532

薄膜及微細(xì)加工技術(shù)的應(yīng)用范圍極為廣泛，從大規(guī)模集成電路、電子元器件、平板顯示器、信息記錄與存儲(chǔ)、MEMS、傳感器、白光LED固體照明、太陽能電池到材料的表面改性等，涉及高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域。本書內(nèi)容包括真空技術(shù)基礎(chǔ)、薄膜制備、微細(xì)加工、薄膜材料及應(yīng)用等4大部分，涉及薄膜技術(shù)與薄膜材料的各個(gè)方面，知識全面，脈絡(luò)清晰。全書共17章，文字通俗易懂，并配有大量圖解，每章后面附有習(xí)題，有利于對基本概念和基礎(chǔ)知識的理解、掌握與運(yùn)用。本書可作為材料、機(jī)械、精密儀器、化工、能源、微電子、計(jì)算機(jī)、物理、化學(xué)、光學(xué)等學(xué)科本科生及研究生教材，對于從事相關(guān)行業(yè)的科技工作者與工程技術(shù)人員，也具有極為難得的參考價(jià)值。

本書系統(tǒng)闡述了薄膜材料與薄膜技術(shù)的基本理論和基本知識,重點(diǎn)介紹了薄膜材料的真空制備技術(shù)、薄膜的化學(xué)和物理沉積方法、薄膜的形成和生長原理、薄膜的表征、對目前廣泛研究和應(yīng)用的幾種主要薄膜材料進(jìn)行了介紹、評論和展望。

本書適合于從事材料研究的科研技術(shù)人員、相關(guān)專業(yè)的大專院校師生閱讀和參考,同時(shí)也可作為研究生教材使用。

薄膜技術(shù)與薄膜材料，書名，關(guān)于薄膜及微細(xì)加工技術(shù)的應(yīng)用范圍，從大規(guī)模集成電路、電子元器件、平板顯示器、信息記錄與存儲(chǔ)、MEMS、傳感器、太陽能電池，到材料的表面改性等，涉及高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域。本書內(nèi)容包括真空技術(shù)基礎(chǔ)、薄膜制備、微細(xì)加工、薄膜材料及應(yīng)用、薄膜成分與結(jié)構(gòu)分析等5大部分，涉及薄膜技術(shù)與薄膜材料的各個(gè)方面，知識全面，脈絡(luò)清晰。全書共17章，文字通俗易懂，并配有大量圖解，有利于對基本知識的理解、掌握與運(yùn)用。

對于從事相關(guān)行業(yè)的科技工作者與工程技術(shù)人員，本書具有極為難得的參考價(jià)值，同時(shí)也是其他感興趣讀者了解薄膜材料與技術(shù)在高新技術(shù)中應(yīng)用的一本很好的入門書籍。

第1章 薄膜與高新技術(shù)

第2章 真空技術(shù)基礎(chǔ)

2.1　真空的基本知識

2.2　真空的表征

2.3　氣體分子與表面的相互作用

第3章 真空泵與真空規(guī)

3.1　真空泵

3.2　真空測量儀器——總壓強(qiáng)計(jì)

第4章 真空裝置的實(shí)際問題

4.1　排氣的基礎(chǔ)知識

4.2　材料的放氣

4.3　排氣時(shí)間的估算

4.4　實(shí)用的排氣系統(tǒng)

4.5　檢漏

4.6　大氣溫度與濕度對裝置的影響

4.7　烘烤用的內(nèi)部加熱器

4.8　化學(xué)活性氣體的排氣

第5章 氣體放電和低溫等離子體

5.1　帶電粒子在電磁場中的運(yùn)動(dòng)

5.2　氣體原子的電離和激發(fā)

5.3　氣體放電發(fā)展過程

5.4　低溫等離子體概述

5.5　輝光放電

5.6　弧光放電

5.7　高頻放電

5.8　磁控放電

5.9　低壓力、高密度等離子體放電

第6章 薄膜生長與薄膜結(jié)構(gòu)

6.1　薄膜生長概述

6.2　吸附、表面擴(kuò)散與凝結(jié)

6.3　薄膜的形核與生長

6.4　連續(xù)薄膜的形成

6.5　薄膜的生長過程與薄膜結(jié)構(gòu)

6.6　非晶態(tài)薄膜

6.7　薄膜的基本性質(zhì)

6.8　薄膜的粘附力和內(nèi)應(yīng)力

6.9　電遷移

第7章 表面結(jié)構(gòu)與薄膜的外延生長

7.1　理想表面結(jié)構(gòu)

7.2　清潔表面結(jié)構(gòu)

7.3　實(shí)際表面結(jié)構(gòu)

7.4　薄膜的外延生長

7.5　影響薄膜外延的因素

第8章 薄膜沉積的共性問題

8.1　成膜工藝與膜材料簡介

8.2　源和膜的成分——如何得到所需要的膜成分

8.3　附著強(qiáng)度——如何提高膜層的附著強(qiáng)度

8.4　臺階涂敷,繞射著膜率,孔底涂敷——如何在大凹凸表面沉積厚度均勻的膜層

8.5　等離子體及其在薄膜沉積中的作用——膜質(zhì)的改善、新技術(shù)的開發(fā)

8.6　基板的傳輸機(jī)構(gòu)

8.7　膜層中的針孔和超凈工作間

第9章 真空蒸鍍

9.1　概述

9.2　鍍料的蒸發(fā)

9.3　蒸發(fā)源

9.4　蒸發(fā)源的蒸氣發(fā)射特性與基板配置

9.5　蒸鍍裝置及操作

9.6　合金膜的蒸鍍

9.7　化合物膜的蒸鍍

9.8　脈沖激光熔射（PLA）

9.9　分子束外延技術(shù)

第10章 離子鍍和離子束沉積

10.1　離子鍍的原理

10.2　離子鍍的類型及特點(diǎn)

10.3　離子束沉積

10.4　離子束混合

第11章 濺射鍍膜

11.1　離子濺射

11.2　濺射鍍膜方式

11.3　磁控濺射源

11.4　濺射鍍膜的實(shí)例

第12章 化學(xué)氣相沉積（CVD）

12.1　熱氧化、氮化

12.2　熱CVD

12.3　等離子體CVD（PCVD）

12.4　光CVD（photo CVD）

12.5　有機(jī)金屬CVD（MOCVD）

12.6　金屬CVD585

12.7　半球形晶粒多晶Si"para" label-module="para">

12.8　鐵電體的CVD

12.9　低介電常數(shù)薄膜的CVD

第13章 干法刻蝕

13.1　干法刻蝕與濕法刻蝕

13.2　等離子體刻蝕——激發(fā)反應(yīng)氣體刻蝕

13.3　反應(yīng)離子刻蝕（RIE）

13.4　反應(yīng)離子束刻蝕（RIBE）

13.5　氣體離化團(tuán)束（GCIB）加工技術(shù)

13.6　微機(jī)械加工

13.7　干法刻蝕用離子源的開發(fā)

第14章 平坦化技術(shù)

14.1　平坦化技術(shù)的必要性

14.2　平坦化技術(shù)概要

14.3　不發(fā)生凹凸的薄膜生長

14.4　沉積同時(shí)進(jìn)行加工防止凹凸發(fā)生的薄膜生長

14.5　薄膜生長后經(jīng)再加工實(shí)現(xiàn)平坦化

14.6　埋入技術(shù)實(shí)例

14.7　化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）技術(shù)

14.8　氣體離化團(tuán)束（GCIB）加工平坦化

14.9　鑲嵌法布線及平坦化

14.10　平坦化技術(shù)與光刻制版術(shù)

第15章 薄膜材料

15.1　金屬薄膜材料

15.2　無機(jī)、陶瓷薄膜材料

15.3　有機(jī)、聚合物薄膜材料

15.4　半導(dǎo)體薄膜材料

第16章 薄膜材料的應(yīng)用

16.1　表面改性

16.2　超硬膜用于切削刀具

16.3　能量變換薄膜與器件

16.4　傳感器

16.5　半導(dǎo)體器件

16.6　記錄與存儲(chǔ)

16.7　平板顯示器

16.8　金剛石薄膜的應(yīng)用

16.9　太陽能電池

16.10　發(fā)光器件

第17章 薄膜材料的評價(jià)表征及物性測定

17.1　薄膜材料評價(jià)表征的特殊性

17.2　薄膜材料評價(jià)表征方法及其選擇

17.3　薄膜材料的評價(jià)表征

17.4　相關(guān)技術(shù)和裝置

17.5　薄膜材料評價(jià)表征舉例

17.6　薄膜材料的物性測定

附錄A 各種元素的溫度—蒸氣壓特性

附錄B 元素的電離電位

附錄C 物理常數(shù)表

附錄D（新舊）常用計(jì)量單位對照與換算

附錄E 能量換算表、壓力換算表及氣體的性質(zhì)表

附錄F 半導(dǎo)體大規(guī)模集成電路的發(fā)展預(yù)測

附錄G 示屏的圖像分辨率等級、圖像分辨率（像素?cái)?shù)）和寬高比

附錄H 元素周期表

附錄I 薄膜技術(shù)與薄膜材料領(lǐng)域常用縮略語注釋

參考文獻(xiàn)