中文名 | 磁控濺射硅靶材及綁定靶材 | 外文名 | Magnetron sputtering silicon targets and bound targets |
---|---|---|---|
標(biāo)椎編號(hào) | T/CAS 304—2018 | 國民經(jīng)濟(jì)分類 | C381 電機(jī)制造 |
發(fā)布日期 | 2018年05月29日 | 實(shí)施日期 | 2018年05月29日 |
青島藍(lán)光晶科新材料有限公司、大工(青島)新能源材料技術(shù)研究院有限公司、河北東同光電科技有限公司、大連理工大學(xué)。
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了磁控濺射硅靶材的分類及牌號(hào)、原料、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、供貨狀態(tài)及訂貨單(或合同)內(nèi)容。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體等電子器件用的各種磁控濺射硅靶材。2100433B
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了磁控濺射硅靶材的分類及牌號(hào)、原料、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、供貨狀態(tài)及訂貨單(或合同)內(nèi)容。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體等電子器件用的各種磁控濺射硅靶材。
靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料,用于高能激光武器中,不同功率密度、不同輸出波形、不同波長(zhǎng)的激光與不同的靶材相互作用時(shí),會(huì)產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系...
關(guān)于ito靶材的綁定技術(shù)、不是制造ito而是綁定技術(shù)。
綁定其實(shí)就是焊接的一種,可以理解為釬焊或者擴(kuò)散焊,但要求在真空爐中進(jìn)行焊接,在需要綁定的兩種材料之間加上焊料(一般為低熔點(diǎn)的高純金屬銦),加壓加溫,最終焊接成型,管狀I(lǐng)TO應(yīng)該可以考慮套管或者其他類似...
ITO靶材是高純?nèi)趸熀投趸a粉末按照重量比9/1或95/5(最常用)混合均勻后,加壓燒結(jié)成陶瓷片狀,再加工成靶材成品,用作濺射鍍制TCO透明導(dǎo)電薄膜,由于氧化銦價(jià)格較高,所以I...
張磊、姜大川、崔娜、李鵬廷、譚毅、顧正、石爽、康明生、朱輝、郄奕、張衛(wèi)、姚玉杰、陳良杰、李云飛、王登科。
格式:pdf
大?。?span id="nfxv9cj" class="single-tag-height">378KB
頁數(shù): 4頁
評(píng)分: 4.8
鋅 概況(Survey): 鋅( Zinc )是一種化學(xué)元素,它的化學(xué)符號(hào)是 Zn,它的原子序數(shù)是 30。 性狀(Character ): 鋅是一種淺 灰色的過渡金屬。鋅是一種青白色、光亮、具有反磁性的金屬,雖然一般用作商品 的鋅都經(jīng)過加工,這些特性已不再鮮明。 物理性質(zhì)( Physical property): 狀態(tài):固態(tài) 密度(接近室溫) :7.14 g·cm-3 熔點(diǎn)時(shí)液體密度 :6.57 g·cm-3 熔點(diǎn) :692.68 K,419.53 °C,787.15 °F 沸點(diǎn) :1180 K,907 °C,1665 °F 熔化熱 :7.32 kJ·mol-1 汽化熱 :123.6 kJ·mol-1 原子性質(zhì)( Atomic properties ): 氧化態(tài) :+2, +1, 0 (兩性氧化物) 電負(fù)性 :1.65(鮑林標(biāo)度) 原子半徑 :134 pm 共價(jià)半徑 :12
格式:pdf
大?。?span id="xud29q5" class="single-tag-height">378KB
頁數(shù): 3頁
評(píng)分: 4.3
將三柱靶磁控濺射鍍膜機(jī)應(yīng)用于工藝品裝飾鍍生產(chǎn)中,開發(fā)多種鍍膜工藝并進(jìn)行了批量生產(chǎn),實(shí)踐證明:三柱靶磁控濺射鍍膜技術(shù)結(jié)合特制的襯底漆和保護(hù)面漆涂裝工藝,能夠在工藝品上獲得合格的裝飾層。拓展該技術(shù)在工藝品行業(yè)的應(yīng)用,可有效減輕傳統(tǒng)電鍍對(duì)環(huán)境的污染。
材質(zhì)分類
金屬靶材
鎳靶Ni、鈦靶Ti、鋅靶Zn、鉻靶Cr、鎂靶Mg、鈮靶Nb、錫靶Sn、鋁靶Al、銦靶In、鐵靶Fe、鋯鋁靶ZrAl、鈦鋁靶TiAl、鋯靶Zr、鋁硅靶AlSi、硅靶Si、銅靶Cu、鉭靶Ta、鍺靶Ge、銀靶Ag、鈷靶Co、金靶Au、釓靶Gd、鑭靶La、釔靶Y、鈰靶Ce、不銹鋼靶、鎳鉻靶NiCr、鉿靶Hf、鉬靶Mo、鐵鎳靶FeNi、鎢靶、W等。
陶瓷靶材
ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶,、二氧化鉿靶,二硼化鈦靶,二硼化鋯靶,三氧化鎢靶,三氧化二鋁靶五氧化二鉭,五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶,氮化硅靶,氮化硼靶,氮化鈦靶,碳化硅靶,鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。
合金靶材
鐵鈷靶FeCo、鋁硅靶AlSi、鈦硅靶TiSi、鉻硅靶CrSi、鋅鋁靶ZnAl、鈦鋅靶材TiZn、鈦鋁靶TiAl、鈦鋯靶TiZr、鈦硅靶TiSi、鈦鎳靶TiNi、鎳鉻靶NiCr、鎳鋁靶NiAl、鎳釩靶NiV、鎳鐵靶NiFe等。
適用于直流二極濺射、三極濺射、四級(jí)濺射、射頻濺射、對(duì)向靶濺射、離子束濺射、磁控濺射等,可鍍制反光膜、導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體薄膜、電容器薄膜、裝飾膜、保護(hù)膜、集成電路、顯示器等,相對(duì)其它靶材,銅靶材的價(jià)格較低,所以銅靶材是在能滿足膜層的功能前提下的首選靶材料。
適用于直流二極濺射、三極濺射、四級(jí)濺射、射頻濺射、對(duì)向靶濺射、離子束濺射、磁控濺射等,可鍍制反光膜、導(dǎo)電膜、半導(dǎo)體薄膜、電容器薄膜、裝飾膜、保護(hù)膜、集成電路、顯示器等,相對(duì)其它靶材,鋁靶材的價(jià)格較低,所以鋁靶材是在能滿足膜層的功能前提下的首選靶材料。