CMOS-ICJEDEC最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

JEDEC最低標(biāo)準(zhǔn)是電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）聯(lián)合電子器件工程委員會(huì)（JEDEC）主持下制定的CMOS集成電路的最大額定范圍和靜態(tài)參數(shù)的最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。下表即為JEDEC制定的CMOS集成電路的最大額定范圍：

電源電壓 VDD~VSS 18 ~ -0.5 V(DC)

直流輸入電流IIN 士10 mA(DC)

輸入電壓 VI VSS ≤VI ≤ VDD 0.5 V(DC)

器件功耗 PD 200 mw

工作溫度范圍 T -55~125(陶封)，-40~85（塑封) ℃

存儲(chǔ)溫度范圍 TSTG -65 ~ 150 ℃

CMOS-IC輸入/輸出信號(hào)規(guī)則

所有的CMOS電路的輸入端不能浮置，最好使用一個(gè)上拉或下拉電阻，以保護(hù)器件不受損害。

在某些應(yīng)用場(chǎng)合，輸入端要串入電阻，以限制流過保護(hù)二極管的電流不大于10mA。

輸入脈沖信號(hào)的上升和下降時(shí)間必須小于15us, 否則必須經(jīng)施密特電路整形后方可輸入CMOS開關(guān)電路。

避免CMOS電路直接驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管，否則可能導(dǎo)致CMOS電路的功耗超過規(guī)范值。

CMOS緩沖器或大電流驅(qū)動(dòng)器由于其本身的低輸出阻抗，必須注意這些電路采用大負(fù)載電容（≥500PF）時(shí)等效于輸出短路的情況。

CMOS電路的輸出不能并接成線邏輯狀態(tài)。因?yàn)閷?dǎo)通的PMOS管和導(dǎo)通的NMOS管的低輸出阻抗會(huì)將電源短路。2100433B

CMOS-IC造價(jià)信息

市場(chǎng)價(jià) 信息價(jià) 詢價(jià)
材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 市場(chǎng)價(jià)
（除稅）		 工程建議價(jià)
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)日期
進(jìn)口聚酯粉末標(biāo)準(zhǔn)格柵 120×0.5 查看價(jià)格 查看價(jià)格

雷諾爾

 m2 13% 佛山市南海雷諾爾裝飾材料有限公司
標(biāo)準(zhǔn)籃球架 籃球架伸臂1.8m 查看價(jià)格 查看價(jià)格

達(dá)創(chuàng)

 個(gè) 13% 河北達(dá)創(chuàng)體育器材有限公司
進(jìn)口聚酯粉末標(biāo)準(zhǔn)格柵 100×0.5 查看價(jià)格 查看價(jià)格

雷諾爾

 m2 13% 佛山市南海雷諾爾裝飾材料有限公司
進(jìn)口聚酯粉末標(biāo)準(zhǔn)格柵 150×0.5 查看價(jià)格 查看價(jià)格

雷諾爾

 m2 13% 佛山市南海雷諾爾裝飾材料有限公司
進(jìn)口聚酯粉末標(biāo)準(zhǔn)格柵 200×0.5 查看價(jià)格 查看價(jià)格

雷諾爾

 m2 13% 佛山市南海雷諾爾裝飾材料有限公司
標(biāo)準(zhǔn)黃銅閘閥 Z15W-16T DN15 段壓 查看價(jià)格 查看價(jià)格

個(gè) 13% 南寧標(biāo)一永享閥門機(jī)電有限公司(南寧廠商期刊)
克萊爾標(biāo)準(zhǔn)調(diào)節(jié)池TJ-35 TJ-35;材質(zhì):FRP+不銹鋼 查看價(jià)格 查看價(jià)格

克萊爾

 套 13% document.write(new Date(+new Date() - 24*60*60*1000).getFullYear()+'-'+(+new Date(+new Date() - 24*60*60*1000).getMonth()+1)+'-'+new Date(+new Date() - 24*60*60*1000).getDate());
克萊爾標(biāo)準(zhǔn)調(diào)節(jié)池TJ-60 TJ-60;材質(zhì):FRP+不銹鋼 查看價(jià)格 查看價(jià)格

克萊爾

 套 13% 蘇州克萊爾環(huán)?？萍加邢薰?/a>
材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 除稅
信息價(jià)		 含稅
信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
提升架及水過濾器 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2012年3季度信息價(jià)
提升架及水過濾器 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2011年2季度信息價(jià)
提升架及水過濾器 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 廣州市2010年4季度信息價(jià)
提升架及水過濾器 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2010年4季度信息價(jià)
提升架及水過濾器 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 韶關(guān)市2008年6月信息價(jià)
提升架及水過濾器 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 韶關(guān)市2008年4月信息價(jià)
提升架及水過濾器 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 汕頭市2008年1季度信息價(jià)
提升架及水過濾器 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái)班 韶關(guān)市2008年3月信息價(jià)
材料名稱 規(guī)格/需求量 報(bào)價(jià)數(shù) 最新報(bào)價(jià)
（元）		 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)地區(qū) 最新報(bào)價(jià)時(shí)間
標(biāo)準(zhǔn)的SDK 提供標(biāo)準(zhǔn)的 SDK 進(jìn)行數(shù)據(jù)整合|1套 3 查看價(jià)格 浙江宇視科技有限公司 廣東   2021-06-22
19寸標(biāo)準(zhǔn)機(jī)柜含相關(guān)輔材配件 19寸標(biāo)準(zhǔn)機(jī)柜含相關(guān)輔材配件|1臺(tái) 1 查看價(jià)格 廣州天創(chuàng)天藝信息科技有限公司 全國(guó)   2021-06-18
斜面及不規(guī)則宣傳欄定制 斜面及不規(guī)則宣傳欄定制|25塊 1 查看價(jià)格 深圳市捷大廣告有限公司 廣東  廣州市 2019-11-28
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網(wǎng)線及相關(guān)設(shè)備 氣動(dòng)物流|5350m 1 查看價(jià)格 上海銀翼醫(yī)療實(shí)業(yè)有限公司 全國(guó)   2021-11-11
石粉及相關(guān) 石粉、6%水泥石粉、8%水泥石粉,10%水泥石粉|1200m3m3 1 查看價(jià)格 - 廣東  惠東市 2011-11-23

CMOS-IC集成電路特佂

主要封裝形式

雙列直插(DIP封裝)

扁平封裝(PLCC封裝)

CMOS集成電路的性能特點(diǎn)

微功耗-CMOS電路的單門靜態(tài)功耗在毫微瓦(nw)數(shù)量級(jí)。

高噪聲容限-CMOS電路的噪聲容限一般在40%電源電壓以上。

寬工作電壓范圍-CMOS電路的電源電壓一般為1.5~18伏。

高邏輯擺幅-CMOS電路輸出高、低電平的幅度達(dá)到全電為VDD，邏輯"0"為VSS。

高輸入阻抗--CMOS電路的輸入阻抗大于108Ω,一般可達(dá)1010Ω。

高扇出能力--CMOS電路的扇出能力大于50。

低輸入電容--CMOS電路的輸入電容一般不大于5PF。

寬工作溫度范圍-陶瓷封裝的CMOS電路工作溫度范圍為

- 55℃~ 125 ℃;塑封的CMOS電路為 – 40 ℃ ~ 85 ℃。

為什么CMOS電路的直流功耗幾近于零?

CMOS-IC主要封裝形式

雙列直插（DIP封裝）

扁平封裝（PLCC封裝）

CMOS-ICCMOS集成電路的性能特點(diǎn)

微功耗—CMOS電路的單門靜態(tài)功耗在毫微瓦（nw）數(shù)量級(jí)。

高噪聲容限—CMOS電路的噪聲容限一般在40%電源電壓以上。

寬工作電壓范圍—CMOS電路的電源電壓一般為1.5~18伏。

高邏輯擺幅—CMOS電路輸出高、低電平的幅度達(dá)到全電為VDD，邏輯“0”為VSS。

高輸入阻抗--CMOS電路的輸入阻抗大于108Ω,一般可達(dá)1010Ω。

高扇出能力--CMOS電路的扇出能力大于50。

低輸入電容--CMOS電路的輸入電容一般不大于5PF。

寬工作溫度范圍—陶瓷封裝的CMOS電路工作溫度范圍為

- 55℃~ 125 ℃；塑封的CMOS電路為 – 40 ℃ ~ 85 ℃。

為什么CMOS電路的直流功耗幾近于零？

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JEDEC最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

JEDEC最低標(biāo)準(zhǔn)是電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)聯(lián)合電子器件工程委員會(huì)(JEDEC)主持下制定的CMOS集成電路的最大額定范圍和靜態(tài)參數(shù)的最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。下表即為JEDEC制定的CMOS集成電路的最大額定范圍:

電源電壓 VDD~VSS 18 ~ -0.5 V(DC)

直流輸入電流IIN 士10 mA(DC)

輸入電壓 VI VSS ≤VI ≤ VDD+0.5 V(DC)

器件功耗 PD 200 mw

工作溫度范圍 T -55~125(陶封)，-40~85(塑封) ℃

存儲(chǔ)溫度范圍 TSTG -65 ~ 150 ℃

輸入/輸出信號(hào)規(guī)則

所有的CMOS電路的輸入端不能浮置，最好使用一個(gè)上拉或下拉電阻，以保護(hù)器件不受損害。

在某些應(yīng)用場(chǎng)合，輸入端要串入電阻，以限制流過保護(hù)二極管的電流不大于10mA。

輸入脈沖信號(hào)的上升和下降時(shí)間必須小于15us, 否則必須經(jīng)施密特電路整形后方可輸入CMOS開關(guān)電路。

避免CMOS電路直接驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管，否則可能導(dǎo)致CMOS電路的功耗超過規(guī)范值。

CMOS緩沖器或大電流驅(qū)動(dòng)器由于其本身的低輸出阻抗，必須注意這些電路采用大負(fù)載電容(≥500PF)時(shí)等效于輸出短路的情況。

CMOS電路的輸出不能并接成線邏輯狀態(tài)。因?yàn)閷?dǎo)通的PMOS管和導(dǎo)通的NMOS管的低輸出阻抗會(huì)將電源短路。

CMOS-ICCMOS－IC的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)及規(guī)則文獻(xiàn)

CCD和CMOS圖像傳感器性能比較 CCD和CMOS圖像傳感器性能比較

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頁數(shù)： 3頁

評(píng)分： 4.4

CCD和CMOS圖像傳感器性能比較

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CMOS工藝兼容的溫濕度傳感器 CMOS工藝兼容的溫濕度傳感器

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頁數(shù)： 7頁

評(píng)分： 4.4

設(shè)計(jì)并制備了一個(gè)CMOS工藝兼容的溫濕度傳感器,討論了感濕理論模型并用COVENTOR軟件進(jìn)行了模擬,給出了具體的結(jié)構(gòu)參數(shù)及工藝制作步驟,最后對(duì)溫濕度傳感器進(jìn)行了測(cè)量,對(duì)理論值和實(shí)際測(cè)量值做了比較并給出了分析結(jié)果.結(jié)果表明,傳感器在25℃時(shí)的靈敏度為0.015pF/%RH,從15%RH～95%RH,電容實(shí)際變化量為1.23pF.

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金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為 CMOS-IC( Complementary MOS Integrated Circuit)。

目前使用最最廣泛的晶體管是CMOS晶體管，CMOS晶體管特點(diǎn)是什么?首先CMOS晶體管功耗和抗干擾能力優(yōu)于同時(shí)期的TTL器件，而且速度和TTL器件相當(dāng)，所以CMOS取代TTL是大勢(shì)所趨，我們看到目前集成電路上的晶體管還有幾乎所有PLD器件都是采用CMOS技術(shù)，這一點(diǎn)就說明了CMOS的大行其道。

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N溝MOS晶體管簡(jiǎn)介

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu) 成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。

由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時(shí)，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。

NMOS集成電路是N溝道MOS電路，NMOS集成電路的輸入阻抗很高，基本上不需要吸收電流，因此，CMOS與NMOS集成電路連接時(shí)不必考慮電流的負(fù)載問題。NMOS集成電路大多采用單組正電源供電，并且以5V為多。CMOS集成電路只要選用與NMOS集成電路相同的電源，就可與NMOS集成電路直接連接。不過，從NMOS到CMOS直接連接時(shí)，由于NMOS輸出的高電平低于CMOS集成電路的輸入高電平，因而需要使用一個(gè)(電位)上拉電阻R，R的取值一般選用2~100KΩ。

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mos晶體管簡(jiǎn)介

?MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu) 成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC

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