CMOS-IC主要封裝形式

雙列直插（DIP封裝）

扁平封裝（PLCC封裝）

CMOS-ICCMOS集成電路的性能特點(diǎn)

微功耗—CMOS電路的單門靜態(tài)功耗在毫微瓦（nw）數(shù)量級(jí)。

高噪聲容限—CMOS電路的噪聲容限一般在40%電源電壓以上。

寬工作電壓范圍—CMOS電路的電源電壓一般為1.5~18伏。

高邏輯擺幅—CMOS電路輸出高、低電平的幅度達(dá)到全電為VDD，邏輯“0”為VSS。

高輸入阻抗--CMOS電路的輸入阻抗大于108Ω,一般可達(dá)1010Ω。

高扇出能力--CMOS電路的扇出能力大于50。

低輸入電容--CMOS電路的輸入電容一般不大于5PF。

寬工作溫度范圍—陶瓷封裝的CMOS電路工作溫度范圍為

- 55℃~ 125 ℃；塑封的CMOS電路為 – 40 ℃ ~ 85 ℃。

為什么CMOS電路的直流功耗幾近于零？

CMOS-IC造價(jià)信息

市場價(jià) 信息價(jià) 詢價(jià)
材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 市場價(jià)
（除稅）		 工程建議價(jià)
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)日期
集成電路測試儀 1ST6500 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái) 13% 成都天大儀器設(shè)備有限公司
集成電路測試儀 1CT-33C 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái) 13% 成都天大儀器設(shè)備有限公司
集成電路測試儀 GVT-6600 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái) 13% 成都天大儀器設(shè)備有限公司
集成電路測試儀 GUT-660A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái) 13% 成都天大儀器設(shè)備有限公司
集成電路測試儀 SIMI-100 查看價(jià)格 查看價(jià)格

臺(tái) 13% 成都天大儀器設(shè)備有限公司
繼電器路電流集成電路 JL-20系列,JL-1B 查看價(jià)格 查看價(jià)格

德力西

 臺(tái) 13% 吉林省德力西機(jī)電設(shè)備有限公司
德力西牌繼電器路電流集成電路 JL-10系列,JL-1A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

德力西

 臺(tái) 13% 遼寧大連眾恒電力電子有限公司
德力西牌繼電器路電流集成電路 JL-10系列,JL-1A 查看價(jià)格 查看價(jià)格

德力西

 臺(tái) 13% 德力西集團(tuán)有限公司吉林市辦事處
材料名稱 規(guī)格/型號(hào) 除稅
信息價(jià)		 含稅
信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
電 機(jī)械用 查看價(jià)格 查看價(jià)格

kW·h 陽江市2022年10月信息價(jià)
電 機(jī)械用 查看價(jià)格 查看價(jià)格

kW·h 潮州市饒平縣2022年10月信息價(jià)
電 機(jī)械用 查看價(jià)格 查看價(jià)格

kW·h 陽江市2022年9月信息價(jià)
電 機(jī)械用 查看價(jià)格 查看價(jià)格

kW.h 陽江市陽西縣2022年9月信息價(jià)
電 機(jī)械用 查看價(jià)格 查看價(jià)格

kW.h 陽江市海陵島區(qū)2022年9月信息價(jià)
電 機(jī)械用 查看價(jià)格 查看價(jià)格

kW·h 潮州市饒平縣2022年8月信息價(jià)
電 機(jī)械用 查看價(jià)格 查看價(jià)格

kW·h 陽江市2022年8月信息價(jià)
電 機(jī)械用 查看價(jià)格 查看價(jià)格

kW.h 陽江市海陵島區(qū)2022年7月信息價(jià)
材料名稱 規(guī)格/需求量 報(bào)價(jià)數(shù) 最新報(bào)價(jià)
（元）		 供應(yīng)商 報(bào)價(jià)地區(qū) 最新報(bào)價(jià)時(shí)間
集成電路控制中心 800×800×1500|1臺(tái) 1 查看價(jià)格 百海（ 深圳） 水處理有限公司 廣東   2021-06-15
集成電路測試儀 1ST6500|7臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-11-02
集成電路測試儀 1CT-33C|4臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-08-05
集成電路測試儀 GUT-660A|9臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-07-31
集成電路測試儀 GVT-6600|4臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-04-07
集成電路在線測試系統(tǒng) TH2424|5832臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-10-22
集成電路測試儀 SIMI-100|3臺(tái) 1 查看價(jià)格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-03-31
無繩電話機(jī)集成電路 LM386-4|9857個(gè) 1 查看價(jià)格 北京宇光四達(dá)郵電工程技術(shù)有限公司 北京  北京市 2015-11-18

CMOS-IC集成電路特佂

主要封裝形式

雙列直插(DIP封裝)

扁平封裝(PLCC封裝)

CMOS集成電路的性能特點(diǎn)

微功耗-CMOS電路的單門靜態(tài)功耗在毫微瓦(nw)數(shù)量級(jí)。

高噪聲容限-CMOS電路的噪聲容限一般在40%電源電壓以上。

寬工作電壓范圍-CMOS電路的電源電壓一般為1.5~18伏。

高邏輯擺幅-CMOS電路輸出高、低電平的幅度達(dá)到全電為VDD，邏輯"0"為VSS。

高輸入阻抗--CMOS電路的輸入阻抗大于108Ω,一般可達(dá)1010Ω。

高扇出能力--CMOS電路的扇出能力大于50。

低輸入電容--CMOS電路的輸入電容一般不大于5PF。

寬工作溫度范圍-陶瓷封裝的CMOS電路工作溫度范圍為

- 55℃~ 125 ℃;塑封的CMOS電路為 – 40 ℃ ~ 85 ℃。

為什么CMOS電路的直流功耗幾近于零?

CMOS-ICJEDEC最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

JEDEC最低標(biāo)準(zhǔn)是電子工業(yè)協(xié)會(huì)（EIA）聯(lián)合電子器件工程委員會(huì)（JEDEC）主持下制定的CMOS集成電路的最大額定范圍和靜態(tài)參數(shù)的最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。下表即為JEDEC制定的CMOS集成電路的最大額定范圍：

電源電壓 VDD~VSS 18 ~ -0.5 V(DC)

直流輸入電流IIN 士10 mA(DC)

輸入電壓 VI VSS ≤VI ≤ VDD 0.5 V(DC)

器件功耗 PD 200 mw

工作溫度范圍 T -55~125(陶封)，-40~85（塑封) ℃

存儲(chǔ)溫度范圍 TSTG -65 ~ 150 ℃

CMOS-IC輸入/輸出信號(hào)規(guī)則

所有的CMOS電路的輸入端不能浮置，最好使用一個(gè)上拉或下拉電阻，以保護(hù)器件不受損害。

在某些應(yīng)用場合，輸入端要串入電阻，以限制流過保護(hù)二極管的電流不大于10mA。

輸入脈沖信號(hào)的上升和下降時(shí)間必須小于15us, 否則必須經(jīng)施密特電路整形后方可輸入CMOS開關(guān)電路。

避免CMOS電路直接驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管，否則可能導(dǎo)致CMOS電路的功耗超過規(guī)范值。

CMOS緩沖器或大電流驅(qū)動(dòng)器由于其本身的低輸出阻抗，必須注意這些電路采用大負(fù)載電容（≥500PF）時(shí)等效于輸出短路的情況。

CMOS電路的輸出不能并接成線邏輯狀態(tài)。因?yàn)閷?dǎo)通的PMOS管和導(dǎo)通的NMOS管的低輸出阻抗會(huì)將電源短路。2100433B

CMOS-ICCMOS集成電路的特佂常見問題

JEDEC最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

JEDEC最低標(biāo)準(zhǔn)是電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)聯(lián)合電子器件工程委員會(huì)(JEDEC)主持下制定的CMOS集成電路的最大額定范圍和靜態(tài)參數(shù)的最低工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。下表即為JEDEC制定的CMOS集成電路的最大額定范圍:

電源電壓 VDD~VSS 18 ~ -0.5 V(DC)

直流輸入電流IIN 士10 mA(DC)

輸入電壓 VI VSS ≤VI ≤ VDD+0.5 V(DC)

器件功耗 PD 200 mw

工作溫度范圍 T -55~125(陶封)，-40~85(塑封) ℃

存儲(chǔ)溫度范圍 TSTG -65 ~ 150 ℃

輸入/輸出信號(hào)規(guī)則

所有的CMOS電路的輸入端不能浮置，最好使用一個(gè)上拉或下拉電阻，以保護(hù)器件不受損害。

在某些應(yīng)用場合，輸入端要串入電阻，以限制流過保護(hù)二極管的電流不大于10mA。

輸入脈沖信號(hào)的上升和下降時(shí)間必須小于15us, 否則必須經(jīng)施密特電路整形后方可輸入CMOS開關(guān)電路。

避免CMOS電路直接驅(qū)動(dòng)雙極型晶體管，否則可能導(dǎo)致CMOS電路的功耗超過規(guī)范值。

CMOS緩沖器或大電流驅(qū)動(dòng)器由于其本身的低輸出阻抗，必須注意這些電路采用大負(fù)載電容(≥500PF)時(shí)等效于輸出短路的情況。

CMOS電路的輸出不能并接成線邏輯狀態(tài)。因?yàn)閷?dǎo)通的PMOS管和導(dǎo)通的NMOS管的低輸出阻抗會(huì)將電源短路。

CMOS-ICCMOS集成電路的特佂文獻(xiàn)

CMOS集成電路的閉鎖特性和閉鎖窗口分析 CMOS集成電路的閉鎖特性和閉鎖窗口分析

格式：pdf

大?。?span id="t0saihp" class="single-tag-height">574KB

頁數(shù)： 6頁

評分： 4.5

由于布局結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性,CMOS集成電路可能存在多個(gè)潛在的寄生閉鎖路徑。各個(gè)閉鎖路徑因觸發(fā)劑量率和閉鎖維持電壓、閉鎖維持電流不同而相互影響,可能產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)閉鎖窗口。在詳細(xì)分析CMOS集成電路閉鎖特性的基礎(chǔ)上,建立了"三徑"閉鎖模型,對閉鎖窗口現(xiàn)象進(jìn)行了合理解釋。

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CMOS集成電路排氣扇節(jié)電自動(dòng)控制 CMOS集成電路排氣扇節(jié)電自動(dòng)控制

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大小：574KB

頁數(shù)： 2頁

評分： 4.4

本文采用低功耗CMOS集成電路構(gòu)成排氣扇節(jié)電自動(dòng)控制電路,比采用分立元件組成的線路更為簡單、可靠性高、易于制作、稍作調(diào)試即可正常工作。 1.工作原理電路原理如圖1所示,做成的電氣箱如圖2所示。A為CMOS可編程定時(shí)集成電路

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金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為 CMOS-IC( Complementary MOS Integrated Circuit)。

目前使用最最廣泛的晶體管是CMOS晶體管，CMOS晶體管特點(diǎn)是什么?首先CMOS晶體管功耗和抗干擾能力優(yōu)于同時(shí)期的TTL器件，而且速度和TTL器件相當(dāng)，所以CMOS取代TTL是大勢所趨，我們看到目前集成電路上的晶體管還有幾乎所有PLD器件都是采用CMOS技術(shù)，這一點(diǎn)就說明了CMOS的大行其道。

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N溝MOS晶體管簡介

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu) 成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。

由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時(shí)，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。

NMOS集成電路是N溝道MOS電路，NMOS集成電路的輸入阻抗很高，基本上不需要吸收電流，因此，CMOS與NMOS集成電路連接時(shí)不必考慮電流的負(fù)載問題。NMOS集成電路大多采用單組正電源供電，并且以5V為多。CMOS集成電路只要選用與NMOS集成電路相同的電源，就可與NMOS集成電路直接連接。不過，從NMOS到CMOS直接連接時(shí)，由于NMOS輸出的高電平低于CMOS集成電路的輸入高電平，因而需要使用一個(gè)(電位)上拉電阻R，R的取值一般選用2~100KΩ。

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mos晶體管簡介

?MOS晶體管金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu) 成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC

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