碲鎘汞探測器

碲鎘汞探測器具有本征激發(fā)，高吸收系數(shù)、高量子效率、高探測率和響應波段等優(yōu)點，因而被廣泛應用于各民用及科研領域。

激光對紅外探測器的輻照效應及損傷機理的研究已經(jīng)成為科學研究的一項重要課題。國外在本領域的研究工作起于20世紀70年代。對于激光破壞光電探測器的永久性效應做了較深入的研究 。

碲鎘汞探測器(Mercury telluride detector)是指用碲鎘材料制備的光電轉(zhuǎn)換器件。該探測器屬本征探測器，有光導 。

(1) 碲鎘汞的電子有效質(zhì)量小而本征載流子濃度低，吸收系數(shù)大，量子效率高，因而制成的探測器噪聲低，探測率高。

(2) 電子遷移率高，響應譜帶寬。光伏型時間常數(shù)約為1μm、光導型的約為1μm，適合于激光架測。對于1.55μm的應用，即帶頂下一個譜帶寬度處存在分裂帶。利用這特性可獲得高性能二級管 。

針對線陣探測器損傷出現(xiàn)的反常響應現(xiàn)象，從探測器的芯片結(jié)構(gòu)、讀出電路結(jié)構(gòu)及工作原理等方面進行了深入研究。分析結(jié)果表明損傷致光敏芯片pn結(jié)耗盡層電阻變化是線陣探測器損傷單元出現(xiàn)反常響應現(xiàn)象的主要原因。損傷致使光敏材料載流子濃度發(fā)生變化，損傷單元pn結(jié)耗盡層寬度變化，進而耗盡層電阻發(fā)生大小變化，在相同偏壓下，耗盡層等效電阻分壓不同，進而導致受損單元輸出電壓出現(xiàn)高低不同的響應，所以探測器輸出電壓出現(xiàn)反常響應現(xiàn)象 。2100433B