中文名 | 碳化硅單晶片平整度測試方法 | 外文名 | Test methods for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers |
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標(biāo)準(zhǔn)類別 | 方法 | 標(biāo)準(zhǔn)號 | GB/T 32278-2015 |
主要起草單位:北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司、中國科學(xué)院物理研究所。
主要起草人:陳小龍、鄭紅軍、張瑋、郭鈺。 2100433B
2015年12月10日,《碳化硅單晶片平整度測試方法》發(fā)布。
2017年1月1日,《碳化硅單晶片平整度測試方法》實(shí)施。
由于天然含量甚少,碳化硅主要多為人造。常見的方法是將石英砂與焦炭混合,利用其中的二氧化硅和石油焦,加入食鹽和木屑,置入電爐中,加熱到2000°C左右高溫,經(jīng)過各種化學(xué)工藝流程后得到碳化硅微粉。 碳化硅...
碳化硅 SiC >99% 8000元/噸 以上 SiC <98% 3800-4200元/噸價(jià)格近期來不是很穩(wěn)定,買賣都需慎重
最好的棕剛玉硬度是不是比碳化硅硬度會高一些。好的棕剛玉氧化鋁含量能達(dá)到96,所以硬度很高,由于它們的生產(chǎn)原材料不同,所以硬度也有差別,棕剛玉的莫氏硬度9.0.,而碳化硅則可以達(dá)到9.5,所以棕剛玉不能...
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北京佐思信息咨詢有限責(zé)任公司 Beijing OKOKOK Information Consulting Co.,Ltd 北京佐思 www.okokok.com.cn 地址:北京市海淀區(qū)長遠(yuǎn)天地 C座 3-502 #, 100080 碳化硅專利分析 -單晶,晶片和外延片制造研究報(bào)告 ——SiC Patent Analysis single crystal, wafer and epiwafer manufacturing 1772 patent families to support a $80M business in 2012 ? 1772 PATENT FAMILIES TO SUPPORT A $80M BUSINESS IN 2012? Despite a cumulative raw wafers + epi wafers market that won’t exceed
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公路路面平整度測試方法的探討——本文系統(tǒng)地歸納總結(jié)了我國目前主要的路面平整度測試方法,深入剖析了平整度測試中的幾個誤區(qū),明確了國際平整度指數(shù)(IRI)、顛簸累計(jì)值(VBI)、標(biāo)準(zhǔn)差等主要平整度評價(jià)指標(biāo)的實(shí)際意義,對工程技術(shù)人員更好地理解平整度檢測有一定...