中文名 | 電弧法選擇性合成半導(dǎo)體型單壁碳納米管的研究 | 項(xiàng)目類別 | 青年科學(xué)基金項(xiàng)目 |
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項(xiàng)目負(fù)責(zé)人 | 黃毅 | 依托單位 | 南開大學(xué) |
半導(dǎo)體型單壁碳納米管是迄今為止最好的半導(dǎo)體材料之一,可望取代現(xiàn)有的硅基半導(dǎo)體。但是,傳統(tǒng)合成方法所獲得的單壁碳納米管是半導(dǎo)體型和金屬型的混合物,嚴(yán)重限制了其在微電子等領(lǐng)域的應(yīng)用。本項(xiàng)目發(fā)展了改進(jìn)的電弧法,有效地控制了單壁碳納米管的結(jié)構(gòu)及電子性質(zhì),實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體型單壁碳納米管的選擇性生長(zhǎng)。首先,設(shè)計(jì)并合成了新的催化劑體系,實(shí)現(xiàn)了對(duì)單壁碳納米管的管徑及其分布的有效控制。接下來,通過在載氣內(nèi)添加二氧化碳等弱氧化性物質(zhì)有效地抑制了金屬型單壁碳納米管的生長(zhǎng),考察了添加弱氧化性物質(zhì)的種類和含量對(duì)單壁碳納米管生長(zhǎng)過程的影響,成功地實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體型單壁碳納米管的選擇性生長(zhǎng),并明確了其選擇性生長(zhǎng)機(jī)理。最后,深入研究了碳納米管的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)關(guān)系,探索了半導(dǎo)體型單壁碳納米管在光催化等方面的應(yīng)用。 2100433B
半導(dǎo)體型單壁碳納米管(SWNTs)是迄今為止最好的半導(dǎo)體材料之一,可望取代現(xiàn)有的硅基半導(dǎo)體。但由于合成的半導(dǎo)體型SWNTs中總伴生大量的金屬型SWNTs而造成SWNT場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能降低。本課題研究利用金屬型SWNTs反應(yīng)性能較強(qiáng)、更易失去電子,而半導(dǎo)體型SWNTs較穩(wěn)定的性質(zhì)差異,通過在電弧法合成SWNTs的過程中在載氣中引入弱氧化性物質(zhì)或含氧物質(zhì),如二氧化碳、一氧化碳、甲醇等,抑制金屬型SWNTs的生長(zhǎng),從而選擇性合成半導(dǎo)體型SWNTs。并且由于SWNTs的管徑越小金屬型與半導(dǎo)體型SWNTs的反應(yīng)活性差異越大,擬通過控制催化劑的組成和顆粒大小來合成小管徑的SWNT,進(jìn)一步提高半導(dǎo)體型SWNTs的選擇性。
碳納米管的獨(dú)特結(jié)構(gòu)決定了它具有許多特殊的物理和化學(xué)性質(zhì)。組成碳納米管的 C=C 共價(jià)鍵是自然界最穩(wěn)定的化學(xué)鍵,所以使得碳納米管具有非常優(yōu)異的力學(xué)性能。
碳納米管的導(dǎo)電性比氧化鎳好。碳納米管于1991年被發(fā)現(xiàn),管徑大小為納米級(jí),其管壁結(jié)構(gòu)類似石墨,所以導(dǎo)電性好,比表面積大,具有優(yōu)異的力學(xué),電學(xué),熱學(xué)性能。
單壁碳納米管的雖然是單壁,但因?yàn)槌涉I時(shí)的碳原子軌道雜化,使得單壁碳納米管的管壁厚度與碳原子的直徑直徑相差較大。根據(jù)文獻(xiàn)(B. I. Yakobson, et al. Phys. Rev. Lett.,...
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單壁碳納米管具有優(yōu)異的電子學(xué)特性,是制備新一代高性能集成電路的重要材料.碳納米管芯片之路存在諸多挑戰(zhàn),包括直徑和手性的控制生長(zhǎng)方法、金屬性和半導(dǎo)體性單壁碳納米管的分離方法、器件加工與集成方法等.這些課題從本質(zhì)上講大多屬于化學(xué)問題,因此碳納米管芯片研究為化學(xué)家們提供了新的機(jī)遇與挑戰(zhàn).過去10年來,我們圍繞單壁碳納米管的軸向能帶工程這一研究思路,開展了一系列碳納米管芯片的基礎(chǔ)探索工作,發(fā)展了若干有效的單壁碳納米管局域能帶的調(diào)控方法,包括溫度階躍生長(zhǎng)法、脈沖供料生長(zhǎng)法、基底調(diào)控法以及形變調(diào)控法等.本文系統(tǒng)地闡述了這些局域能帶調(diào)控方法,為使讀者對(duì)該領(lǐng)域的研究進(jìn)展有一個(gè)較為全面的了解,文中對(duì)其他課題組開展的代表性工作也給予了綜述性介紹.
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通過分子動(dòng)力學(xué)模擬,對(duì)單壁碳納米管中穩(wěn)態(tài)機(jī)械波的激發(fā)條件進(jìn)行了詳細(xì)的研究。利用所施加的周期性機(jī)械外力,使單壁碳納米管產(chǎn)生局部徑向形變,該形變將以單壁碳納米管的管壁為彈性媒質(zhì)傳播開去,從而在單壁碳納米管中形成機(jī)械波;機(jī)械波產(chǎn)生的條件依賴于單壁碳納米管波動(dòng)系統(tǒng)能量的維持和受迫振動(dòng)區(qū)域形變方向的控制;穩(wěn)定機(jī)械波形成的最佳條件是碳納米管的形變度和受迫振動(dòng)頻率之間的最優(yōu)匹配,以及由此形成的單壁碳納米管在周期性外力作用下產(chǎn)生的共振。
2020年度國(guó)家自然科學(xué)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)項(xiàng)目。
主要完成人:
李彥(北京大學(xué))
楊烽(北京大學(xué))
楊娟(北京大學(xué))
褚海斌(北京大學(xué))
金鐘(北京大學(xué))
電弧通常分為三個(gè)區(qū)域:陰極區(qū)、弧柱區(qū)、陽極區(qū)
電弧中的電流從微觀上看是電子及正離子在電場(chǎng)作用下移動(dòng)的結(jié)果,其中電子的移動(dòng)構(gòu)成電流的主要部分。陰極的作用是發(fā)射大量電子,在電場(chǎng)的作用下趨向陽極方向從而構(gòu)成陰極區(qū)的電流。
電弧的陰極區(qū)對(duì)電弧的發(fā)生和物理過程具有重要的意義,形成電弧放電的大部分電子是在陰極區(qū)產(chǎn)生或由陰極本身發(fā)射的。電弧放電時(shí),實(shí)際上并不是整個(gè)陰極全部參加放電過程,陰極表面的放電只集中在幾個(gè)很小的區(qū)域,這個(gè)小區(qū)域稱為陰極斑點(diǎn),它是一個(gè)非常集中,面積很小的光亮區(qū)域,其電流密度很大.是電弧放電中強(qiáng)大電子流的來源。
陰極發(fā)射電子的機(jī)制有兩種:熱發(fā)射和場(chǎng)致發(fā)射。
陰極表面電于發(fā)射只形成陰極區(qū)的電流,弧柱部分導(dǎo)電需要在弧柱區(qū)域也能出現(xiàn)大量自由電子,這就需要使弧柱區(qū)的氣體原子游離。氣體原子游離的方式通常有電場(chǎng)游離和熱游離兩種。
與可逆化學(xué)反應(yīng)相似。在電弧中一方面由于熱游離使得正離子與電子不斷增多。同時(shí)也存在去游離的作用,使正離子和電子減少。去游離包括復(fù)合和擴(kuò)散兩種方式。
弧柱的特性和物理過程對(duì)電弧起著重要的作用。開關(guān)電弧中主要研究的就是弧柱的特性。
可把陽極分為被動(dòng)型和主動(dòng)型兩種。
在被動(dòng)型中。陽極只起收集電子的作用。在主動(dòng)型中,陽極不但收集電子而且產(chǎn)生金屬蒸氣,因而也可以向弧柱提供帶電粒子。
陽極表面也存在陽極斑點(diǎn)。
上述三個(gè)區(qū)域?qū)﹄娀〉淖饔靡螂娀〉那闆r不同而不同。對(duì)于長(zhǎng)度只有幾個(gè)毫米的電弧。電弧電壓主要由陰極區(qū)壓降和陽極區(qū)壓降組成,其中的物理過程對(duì)電弧起主要作用。這種電弧稱為短弧。而對(duì)于長(zhǎng)度較大的電弧,弧柱則起主要作用,陰極、陽極的過程不起主要作用甚至可以忽略,這種電弧稱為長(zhǎng)弧。在開關(guān)中的電弧一般屬于長(zhǎng)弧。