單晶爐多晶鑄錠爐產(chǎn)品簡介

GTM-450/550型多晶鑄錠爐

GTM-450/550型多晶硅鑄錠爐融合了多種當(dāng)代新技術(shù)，裝料量大，能大幅提升產(chǎn)能。

由于采用獨特的陶瓷纖維 石墨硬氈雙重安全防護設(shè)計并有自動漏硅感應(yīng)系統(tǒng)，可及時啟動漏硅應(yīng)急措施。其卓越的安全性能，能大大降低事故隱患。

高性能的加熱系統(tǒng)，能保證結(jié)晶過程中硅材料的均勻性和一致性。

運行過程采用PLC控制以及具有高速微處理器的檢測與處理元件，動態(tài)檢測，高速響應(yīng)，實現(xiàn)了全過程自動控制和數(shù)據(jù)交換，具有安全高效、穩(wěn)定可靠、抗干擾性好、可靠性高等優(yōu)勢。其控制系統(tǒng)還配備了單相UPS裝置，可有效減少瞬時斷電所帶來的損失。

硅多晶鑄錠爐是生產(chǎn)太陽能光伏發(fā)電領(lǐng)域的重要生產(chǎn)設(shè)備。GTM-450/550型是通過引進德國技術(shù)，針對太陽能電池市場需求而開發(fā)的高性能多晶硅鑄錠設(shè)備。

硅單晶生長設(shè)備TDR-90型、TDR-95型

TDR-90型和TDR-95型單晶爐均是采用直拉（CZ）法生長法的單晶生長設(shè)備,即軟軸提拉型單晶爐,是在惰性氣體環(huán)境中以石墨電阻加熱器加熱,將硅半導(dǎo)體材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設(shè)備.它可生產(chǎn)大規(guī)模集成電路所需要的高質(zhì)量單晶.TDR-90單晶生長設(shè)備采用的是18-22英寸的熱系統(tǒng),TDR-95采用的是22寸熱場，TDR-90型熔料量為90kg,拉制6~8英寸的單晶，TDR-95型熔料量為100kg，拉制6~8英寸的單晶。

——采用高精度減速裝置，運行穩(wěn)定，傳動比準確

——磁流體密封，保證了運動部件的高密封性

——CCD測徑控制，伊爾根測徑控制，為用戶提供了多種選擇。

——安全防爆閥設(shè)計，為設(shè)備的安全使用提供了保障

——高精度大功率加熱系統(tǒng)。

――成品率：≥70%2100433B

宏業(yè)新能源關(guān)注企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展，將以嚴謹?shù)墓芾?、超卓的設(shè)備，著力打造民族品牌。我們著意于激情奔放、進取不息的精神，以兼容并蓄、博采眾長的虛懷，構(gòu)建宏業(yè)文化。我們始終恪守“質(zhì)量第一，誠信經(jīng)營，開拓創(chuàng)新，合作共贏”的企業(yè)理念。目標是在新能源領(lǐng)域以最前沿核心技術(shù)成為國內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)中的領(lǐng)軍企業(yè)，為中國光伏產(chǎn)業(yè)在世界范圍內(nèi)的影響力做出貢獻。愿與國內(nèi)外企業(yè)同仁開展廣泛的交流與合作，共創(chuàng)美好的未來。熱烈歡迎社會各界朋友，新老客戶蒞臨指導(dǎo)，洽談業(yè)務(wù)。

熔煉容量：10-300KG 電源功率：50-400KW 升溫速率：40℃/Min 爐溫均勻性：±5℃ 極限真空度：6.67×10-2Pa 壓升率： 0.01PaL/S 額定充氣壓力：0.05Mpa 鑄錠方式：下降定向凝固 伺服控制范圍：0.01mm-6mm/Min 定向凝固速率：0.03mm-0.5mm/Min 坩堝上升速度：80-100 mm/Min。

單晶爐是一種在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長無錯位單晶的設(shè)備。

購買技術(shù)主要要求

1.單晶爐裝料量（單臺機產(chǎn)能多少） 2. 能拉多長、幾寸的硅棒 3. 拉制晶棒的成品率是多少4拉出硅棒品質(zhì)（少子壽命、電阻率、碳氧含量、位錯密度） 5設(shè)備制造工藝控制保證 6自動化控制程度 7設(shè)備主要關(guān)鍵部件的配置等 。

單晶爐型號定義

單晶爐型號有兩種命名方式，一種為投料量，一種為爐室直徑。比如85爐，是指主爐筒的直徑大小，120、150等型號是由裝料量來決定的

單晶爐主要需要控制的方面

一、晶體直徑（尺寸）

二、溫度（功率控制）

三、原料（硅料）

四、泄漏率，氬氣質(zhì)量等

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單晶爐熱場的設(shè)計與仿真

單晶直徑在生長過程中可受到溫度，提拉速度與轉(zhuǎn)速，坩堝跟蹤速度與轉(zhuǎn)速，保護氣體的流速等因素的影響。其中溫度主要決定能否成晶，而速度將直接影響到晶體的內(nèi)在質(zhì)量，而這種影響卻只能在單晶拉出后通過檢測才能獲知。溫度分布合適的熱場，不僅單晶生長順利，而且品質(zhì)較高；如果熱場的溫度分布不是很合理,生長單晶的過程中容易產(chǎn)生各種缺陷,影響質(zhì)量，情況嚴重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長不出來單晶。因此在投資單晶生長企業(yè)的前期，一定要根據(jù)生長設(shè)備，配置出最合理的熱場，從而保證生產(chǎn)出來的單晶的品質(zhì)。在晶體生長分析與設(shè)計中，實驗與數(shù)值仿真是相輔相成的，其過程可以分為兩個部分：

（1）在第一階段,利用引上法晶體生長實驗來進行數(shù)值模擬參數(shù)的調(diào)整。

（2）在第二階段,利用數(shù)值模擬是用來確定最佳的晶體生長工藝參數(shù)。

數(shù)值仿真是用來獲得廉價的，完整的和全面細節(jié)的結(jié)晶過程，以此方法用來預(yù)測晶體生長,改善晶體生長技術(shù)。數(shù)值模擬是當(dāng)實驗的費用太昂貴或無法常規(guī)進行時一種非常有用或必不可少的方法。舉例來說，對于無經(jīng)驗人員，可以形象化展示熔體流動的歷史點缺陷和熱應(yīng)力細節(jié)。所以數(shù)值仿真是一種達到較高生產(chǎn)率和較好滿足市場對晶體直徑，質(zhì)量要求的最好辦法。面向過程的仿真軟件FEMAG為用戶提供了可以深入研究的數(shù)值工具,用戶通過有效的計算機模擬可以設(shè)計和優(yōu)化工作流程。通過對單晶爐熱場的仿真計算，優(yōu)化設(shè)計單晶爐的機械結(jié)構(gòu)，在拉晶過程中以仿真結(jié)果設(shè)定合理的理論拉晶曲線，就可以在實際生產(chǎn)中是完全可以生長出合格的單晶棒。