單晶爐多晶鑄錠爐公司簡(jiǎn)介

宏業(yè)新能源關(guān)注企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展，將以嚴(yán)謹(jǐn)?shù)墓芾?、超卓的設(shè)備，著力打造民族品牌。我們著意于激情奔放、進(jìn)取不息的精神，以兼容并蓄、博采眾長(zhǎng)的虛懷，構(gòu)建宏業(yè)文化。我們始終恪守“質(zhì)量第一，誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)，開(kāi)拓創(chuàng)新，合作共贏”的企業(yè)理念。目標(biāo)是在新能源領(lǐng)域以最前沿核心技術(shù)成為國(guó)內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)中的領(lǐng)軍企業(yè)，為中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)在世界范圍內(nèi)的影響力做出貢獻(xiàn)。愿與國(guó)內(nèi)外企業(yè)同仁開(kāi)展廣泛的交流與合作，共創(chuàng)美好的未來(lái)。熱烈歡迎社會(huì)各界朋友，新老客戶(hù)蒞臨指導(dǎo)，洽談業(yè)務(wù)。

GTM-450/550型多晶鑄錠爐

GTM-450/550型多晶硅鑄錠爐融合了多種當(dāng)代新技術(shù)，裝料量大，能大幅提升產(chǎn)能。

由于采用獨(dú)特的陶瓷纖維 石墨硬氈雙重安全防護(hù)設(shè)計(jì)并有自動(dòng)漏硅感應(yīng)系統(tǒng)，可及時(shí)啟動(dòng)漏硅應(yīng)急措施。其卓越的安全性能，能大大降低事故隱患。

高性能的加熱系統(tǒng)，能保證結(jié)晶過(guò)程中硅材料的均勻性和一致性。

運(yùn)行過(guò)程采用PLC控制以及具有高速微處理器的檢測(cè)與處理元件，動(dòng)態(tài)檢測(cè)，高速響應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了全過(guò)程自動(dòng)控制和數(shù)據(jù)交換，具有安全高效、穩(wěn)定可靠、抗干擾性好、可靠性高等優(yōu)勢(shì)。其控制系統(tǒng)還配備了單相UPS裝置，可有效減少瞬時(shí)斷電所帶來(lái)的損失。

硅多晶鑄錠爐是生產(chǎn)太陽(yáng)能光伏發(fā)電領(lǐng)域的重要生產(chǎn)設(shè)備。GTM-450/550型是通過(guò)引進(jìn)德國(guó)技術(shù)，針對(duì)太陽(yáng)能電池市場(chǎng)需求而開(kāi)發(fā)的高性能多晶硅鑄錠設(shè)備。

硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備TDR-90型、TDR-95型

TDR-90型和TDR-95型單晶爐均是采用直拉（CZ）法生長(zhǎng)法的單晶生長(zhǎng)設(shè)備,即軟軸提拉型單晶爐,是在惰性氣體環(huán)境中以石墨電阻加熱器加熱,將硅半導(dǎo)體材料熔化,用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位單晶的設(shè)備.它可生產(chǎn)大規(guī)模集成電路所需要的高質(zhì)量單晶.TDR-90單晶生長(zhǎng)設(shè)備采用的是18-22英寸的熱系統(tǒng),TDR-95采用的是22寸熱場(chǎng)，TDR-90型熔料量為90kg,拉制6~8英寸的單晶，TDR-95型熔料量為100kg，拉制6~8英寸的單晶。

——采用高精度減速裝置，運(yùn)行穩(wěn)定，傳動(dòng)比準(zhǔn)確

——磁流體密封，保證了運(yùn)動(dòng)部件的高密封性

——CCD測(cè)徑控制，伊爾根測(cè)徑控制，為用戶(hù)提供了多種選擇。

——安全防爆閥設(shè)計(jì)，為設(shè)備的安全使用提供了保障

——高精度大功率加熱系統(tǒng)。

――成品率：≥70%2100433B

熔煉容量：10-300KG 電源功率：50-400KW 升溫速率：40℃/Min 爐溫均勻性：±5℃ 極限真空度：6.67×10-2Pa 壓升率： 0.01PaL/S 額定充氣壓力：0.05Mpa 鑄錠方式：下降定向凝固 伺服控制范圍：0.01mm-6mm/Min 定向凝固速率：0.03mm-0.5mm/Min 坩堝上升速度：80-100 mm/Min。

單晶爐是一種在惰性氣體（氮?dú)狻⒑鉃橹鳎┉h(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位單晶的設(shè)備。

購(gòu)買(mǎi)技術(shù)主要要求

1.單晶爐裝料量（單臺(tái)機(jī)產(chǎn)能多少） 2. 能拉多長(zhǎng)、幾寸的硅棒 3. 拉制晶棒的成品率是多少4拉出硅棒品質(zhì)（少子壽命、電阻率、碳氧含量、位錯(cuò)密度） 5設(shè)備制造工藝控制保證 6自動(dòng)化控制程度 7設(shè)備主要關(guān)鍵部件的配置等 。

單晶爐型號(hào)定義

單晶爐型號(hào)有兩種命名方式，一種為投料量，一種為爐室直徑。比如85爐，是指主爐筒的直徑大小，120、150等型號(hào)是由裝料量來(lái)決定的

單晶爐主要需要控制的方面

一、晶體直徑（尺寸）

二、溫度（功率控制）

三、原料（硅料）

四、泄漏率，氬氣質(zhì)量等

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單晶爐熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與仿真

單晶直徑在生長(zhǎng)過(guò)程中可受到溫度，提拉速度與轉(zhuǎn)速，坩堝跟蹤速度與轉(zhuǎn)速，保護(hù)氣體的流速等因素的影響。其中溫度主要決定能否成晶，而速度將直接影響到晶體的內(nèi)在質(zhì)量，而這種影響卻只能在單晶拉出后通過(guò)檢測(cè)才能獲知。溫度分布合適的熱場(chǎng)，不僅單晶生長(zhǎng)順利，而且品質(zhì)較高；如果熱場(chǎng)的溫度分布不是很合理,生長(zhǎng)單晶的過(guò)程中容易產(chǎn)生各種缺陷,影響質(zhì)量，情況嚴(yán)重的出現(xiàn)變晶現(xiàn)象生長(zhǎng)不出來(lái)單晶。因此在投資單晶生長(zhǎng)企業(yè)的前期，一定要根據(jù)生長(zhǎng)設(shè)備，配置出最合理的熱場(chǎng)，從而保證生產(chǎn)出來(lái)的單晶的品質(zhì)。在晶體生長(zhǎng)分析與設(shè)計(jì)中，實(shí)驗(yàn)與數(shù)值仿真是相輔相成的，其過(guò)程可以分為兩個(gè)部分：

（1）在第一階段,利用引上法晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)來(lái)進(jìn)行數(shù)值模擬參數(shù)的調(diào)整。

（2）在第二階段,利用數(shù)值模擬是用來(lái)確定最佳的晶體生長(zhǎng)工藝參數(shù)。

數(shù)值仿真是用來(lái)獲得廉價(jià)的，完整的和全面細(xì)節(jié)的結(jié)晶過(guò)程，以此方法用來(lái)預(yù)測(cè)晶體生長(zhǎng),改善晶體生長(zhǎng)技術(shù)。數(shù)值模擬是當(dāng)實(shí)驗(yàn)的費(fèi)用太昂貴或無(wú)法常規(guī)進(jìn)行時(shí)一種非常有用或必不可少的方法。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)于無(wú)經(jīng)驗(yàn)人員，可以形象化展示熔體流動(dòng)的歷史點(diǎn)缺陷和熱應(yīng)力細(xì)節(jié)。所以數(shù)值仿真是一種達(dá)到較高生產(chǎn)率和較好滿足市場(chǎng)對(duì)晶體直徑，質(zhì)量要求的最好辦法。面向過(guò)程的仿真軟件FEMAG為用戶(hù)提供了可以深入研究的數(shù)值工具,用戶(hù)通過(guò)有效的計(jì)算機(jī)模擬可以設(shè)計(jì)和優(yōu)化工作流程。通過(guò)對(duì)單晶爐熱場(chǎng)的仿真計(jì)算，優(yōu)化設(shè)計(jì)單晶爐的機(jī)械結(jié)構(gòu)，在拉晶過(guò)程中以仿真結(jié)果設(shè)定合理的理論拉晶曲線，就可以在實(shí)際生產(chǎn)中是完全可以生長(zhǎng)出合格的單晶棒。