使用襯底尺寸200mm*200mm;襯底溫度最高為350℃,溫度均勻性正負(fù)5℃;可用于沉積SiO2,SiNx薄膜;薄膜均勻性正負(fù)5%;可接入6路工藝氣體;傳送腔室最終壓力小于10Pa;反應(yīng)腔室最終壓力小于2Pa。
主要用于制備SiO2、SiNx薄膜。
等離子體聚合物在結(jié)構(gòu)上與普通的聚合物顯著不同,它能形成含有活性基團(tuán)的高度交聯(lián)的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),從而具有良好的均勻性及對(duì)基質(zhì)的附著性[1,2].有關(guān)采用等離子體聚合膜的TSM傳感器的報(bào)道不多[3,4],本室已...
國(guó)內(nèi)外企業(yè)利用低溫等離子體技術(shù)在環(huán)保方面開(kāi)發(fā)出了“低溫等離子體有機(jī)廢氣凈化設(shè)備”、“低溫等離子體廢水凈化設(shè)備”及“低溫等離子體汽車(chē)尾氣凈化技術(shù)”。1、低溫等離子體在保鮮、殺菌、除臭等方面產(chǎn)品開(kāi)發(fā),目前...
低溫等離子體物理與技術(shù)經(jīng)歷了一個(gè)由60年代初的空間等離子體研究向80年代和90年代以材料為導(dǎo)向研究領(lǐng)域的大轉(zhuǎn)變,高速發(fā)展的微電子科學(xué)、環(huán)境科學(xué)、能源與材料科學(xué)等,為低溫等離子體科學(xué)發(fā)展帶來(lái)了新的機(jī)遇和...
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評(píng)分: 4.5
介紹了采用90°螺旋管的過(guò)濾真空弧等離子體沉成膜系統(tǒng),對(duì)磁過(guò)濾管道的傳輸特性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究,實(shí)驗(yàn)觀察到,弧源聚焦磁場(chǎng)和過(guò)濾管道正偏壓越高,過(guò)濾管道的傳輸效率越高,但聚焦磁場(chǎng)高過(guò)一定閾值時(shí),會(huì)出現(xiàn)起弧不穩(wěn)現(xiàn)象,此閾值的大小同過(guò)濾管道磁場(chǎng)及偏壓的大小有關(guān),過(guò)濾管道正偏壓在40 ̄60V范圍內(nèi),管道磁場(chǎng)在7 ̄11mT時(shí)傳輸效率較高,偏壓越高達(dá)到最佳傳輸效率所需的過(guò)濾管道磁場(chǎng)越高。
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評(píng)分: 4.7
以制備兼具陽(yáng)光控制和低輻射功能的鍍膜玻璃為目的,以硅烷與四氯化鈦為反應(yīng)前驅(qū)體,氮?dú)鉃楸Wo(hù)氣體和稀釋氣體,通過(guò)常壓化學(xué)氣相沉積法模擬玻璃浮法在線(xiàn)鍍膜工藝,在玻璃基板上成功制備了Ti5Si3薄膜,用X射線(xiàn)衍射、場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡、四探針測(cè)阻儀和分光光度計(jì)對(duì)薄膜的相結(jié)構(gòu)、形貌、電學(xué)、光學(xué)性能進(jìn)行了表征。結(jié)果表明:薄膜為六方結(jié)構(gòu)的Ti5Si3晶相,晶相含量較高,晶粒尺寸為23nm,薄膜中的晶粒以200nm左右的多晶顆粒團(tuán)聚體形式存在。薄膜電阻率為122μΩ·cm,與Ti5Si3晶體的本征電阻率相當(dāng)。這種單層鍍膜玻璃的紅外反射率可高達(dá)92.1%,可見(jiàn)光區(qū)的透過(guò)率為25%,兼具陽(yáng)光控制和低輻射功能。
低溫成膜,溫度對(duì)基片影響小,可制備厚膜,膜層成分均勻;等離子體對(duì)基片有清洗作用;該設(shè)備主要應(yīng)用等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù),用來(lái)制作SiO2、SiN4、非品Si等介電、半導(dǎo)體及金屬膜。
直徑450*H400mm,真空極限優(yōu)于6.7*10-5Pa,頻率13.56MHz.低溫成,溫度對(duì)基片影響小,可制備厚膜,膜層成分均勻,等離子體對(duì)基片有清洗作用。
薄膜材料。