發(fā)電機(jī)表面電位測(cè)試儀簡(jiǎn)介

通過(guò)檢測(cè)定子端部手包絕緣的密實(shí)性及相對(duì)絕緣強(qiáng)度。它可以彌補(bǔ)發(fā)電機(jī)定子繞組交、直流耐壓試驗(yàn)所發(fā)現(xiàn)不了的端部絕緣缺陷的不足。可以發(fā)現(xiàn)引線包絕緣不良，線圈鼻端絕緣包扎缺陷，絕緣盒填充泥填充不滿，綁扎滌玻繩固化不良及端部接頭處定子空心銅線焊接質(zhì)量不良造成的滲透等缺陷。發(fā)電機(jī)定子線圈端部表面電位測(cè)量是一項(xiàng)新的試驗(yàn)項(xiàng)目，線圈端部起到了監(jiān)督作用，進(jìn)一步提高了發(fā)電機(jī)安全運(yùn)行的可靠性。

1、輸入電阻100M

2、測(cè)試電壓：DC0-30KV

3、電壓精度：1.0%

1、試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)：發(fā)電機(jī)定子線圈端部絕緣判斷標(biāo)準(zhǔn)，是加2 倍的額定電壓，漏泄電流不大于1微安。

2、試驗(yàn)儀器：直流高壓發(fā)生裝置。

3、測(cè)試原理：將直流電壓加在定子線棒正常時(shí)由于線棒絕緣的體積電阻Ρρ 遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于表面電阻ρσ , 對(duì)地電壓很低， 若某一線棒絕緣存在缺陷,它的電壓分布將發(fā)生明顯的變化,絕緣存在缺陷時(shí), Ρρ 減小,絕緣壓降也降低,致使缺陷部位對(duì)地電壓增高。

4、測(cè)試方法：將繞組三相引出線用導(dǎo)線短路連接，直流高壓發(fā)生器加2倍電壓，用發(fā)電機(jī)電位外移試驗(yàn)儀測(cè)試電壓和電流。

5、發(fā)電機(jī)電位外移試驗(yàn)儀尾棒的地線一定與高壓發(fā)生裝置的地線接在一起。

1、錫箔紙纏包端部時(shí)，一定要包裹緊密，否則錫箔紙和絕緣表面會(huì)構(gòu)成電容，測(cè)量桿接觸時(shí)會(huì)有較大的放電電流,造成誤判斷。

2、端部包裹時(shí)最好分為線棒側(cè)和引水管側(cè)，間隔大于3厘米，電位高時(shí)便于查找是哪一側(cè)的問題，其實(shí)最主要的點(diǎn)是根部和錐部，中間部位測(cè)量意義不大。

3、測(cè)量桿串接的微安表最好用數(shù)字式微安表，即便于讀數(shù)又可電流大時(shí)保護(hù)表記。

4、端部接頭因?yàn)樵谠跈C(jī)殼下部，不易測(cè)量，最好提前用引線引出。

5、最重要的是記正確異常槽號(hào)，避免張冠李戴，切記切記。

6、發(fā)電機(jī)不通水的情況下進(jìn)行試驗(yàn)，要求先將定子冷卻水徹底吹凈。

等電位連接電阻測(cè)試儀產(chǎn)品特性：

1、等電位連接電阻測(cè)試儀3 1/2 LCD大屏幕數(shù)字顯示，三個(gè)量程。

2、等電位連接電阻測(cè)試儀采用“四端子”測(cè)試技術(shù)，消除引線電阻和 接觸引起的測(cè)量誤差。輸出恒流值大，測(cè)量穩(wěn)定性好。

3、等電位連接電阻測(cè)試儀有過(guò)電壓保護(hù)功能，不怕反生電動(dòng)勢(shì)沖擊。

4、等電位連接電阻測(cè)試儀測(cè)量穩(wěn)定。

5、等電位連接電阻測(cè)試儀輕便易操

等電位連接電阻測(cè)試儀技術(shù)參數(shù)：

1、等電位連接電阻測(cè)試儀測(cè)量范圍 （0～2）Ω;（0～20）Ω;（0～200）Ω

2、等電位連接電阻測(cè)試儀分辨率 0.01Ω (2Ω檔); 0.1Ω( 20Ω檔); 1Ω(200Ω檔)

3、等電位連接電阻測(cè)試儀最大誤差 (0.1～200)Ω ±（3%RDG 1d）

4、等電位連接電阻測(cè)試儀測(cè)試電流 200mA (2Ω檔); 200mA( 20Ω檔); 20mA(200Ω檔)

5、等電位連接電阻測(cè)試儀整機(jī)耗電 不大于170mA

6、等電位連接電阻測(cè)試儀耐壓 AC5kV 　50Hz 　1min

7、工作溫度及濕度 0℃～40℃; <85%RH

8、電源 : 機(jī)內(nèi)電池（ 12V 1.3AH）供電

9、尺寸 260mm（ L ）× 135mm（ W ）× 70mm（ D ）

10、重量 ≈1kg

擴(kuò)展閱讀：2100433B 解讀詞條背后的知識(shí) 德國(guó)GMC高美測(cè)儀 高美測(cè)儀（天津）科技有限公司官方帳號(hào),科技領(lǐng)域創(chuàng)作者

德國(guó)GMC高美測(cè)儀保護(hù)導(dǎo)體低電阻等電位測(cè)試儀

產(chǎn)品特點(diǎn)01、帶30米電纜的電纜盤02、接觸電阻測(cè)量，測(cè)量范圍：0.00…20.0Ω03、連續(xù)性的聲音報(bào)警信號(hào)（r<1Ω）04、干擾電壓的聲音和光學(xué)指示檢測(cè)05、干擾電壓顯示：8…400 V06、根據(jù)DIN EN 61557-4/VDE 0413-4自動(dòng)極性反轉(zhuǎn)07、...

1) 理想、清潔半導(dǎo)體表面：理想表面產(chǎn)生表面能級(jí)(表面態(tài))的原因是塔姆(Tamm)首先提出的,他認(rèn)為晶體的周期性勢(shì)場(chǎng)在表面處發(fā)生中斷引起了附加能級(jí).因此,這種表面能級(jí)稱為塔姆表面能級(jí)或塔姆能級(jí)(Tamm Level).塔姆曾計(jì)算了半無(wú)限克龍尼克–潘納模型情形,證明在一定條件下每個(gè)表面原子在禁帶中對(duì)應(yīng)一個(gè)表面能級(jí).上述結(jié)論可推廣到三維情形,可以證明,在三維晶體中,仍是每個(gè)表面原子對(duì)應(yīng)禁帶中一個(gè)表面能級(jí),這些表面能級(jí)組成表面能帶.因單位面積上的原子數(shù)約為,故單位面積上的表面態(tài)數(shù)也具有相同的數(shù)量級(jí).表面態(tài)的概念還可以從化學(xué)鍵的方面來(lái)說(shuō)明.以硅晶體為例,因晶格在表面處突然終止,在表面的最外層的每個(gè)硅原子將有一個(gè)未配對(duì)的電子,即有一個(gè)未飽和的鍵.這個(gè)鍵稱為懸掛鍵,與之對(duì)應(yīng)的電子能態(tài)就是表面態(tài).因每平方厘米表面約有個(gè)原子,故相應(yīng)的懸掛鍵數(shù)也應(yīng)為約個(gè).表面態(tài)的存在是肖克萊等首先從實(shí)驗(yàn)上發(fā)現(xiàn)的.以后有人在超真空對(duì)潔凈硅表面進(jìn)行測(cè)量,證實(shí)表面態(tài)密度與上述理論結(jié)果相符。

2) 實(shí)際表面：在表面處還存在由于晶體缺陷或吸附原子等原因引起的表面態(tài)這種表面態(tài)的特點(diǎn)是其數(shù)值(表面態(tài)密度)與表面經(jīng)過(guò)的處理方法及所處的環(huán)境有關(guān)。