批準(zhǔn)號(hào) |
69674032 |
項(xiàng)目名稱 |
高過載硅壓力傳感器中的應(yīng)力勻散技術(shù)研究 |
項(xiàng)目類別 |
面上項(xiàng)目 |
申請(qǐng)代碼 |
F0306 |
項(xiàng)目負(fù)責(zé)人 |
沈紹群 |
負(fù)責(zé)人職稱 |
副教授 |
依托單位 |
復(fù)旦大學(xué) |
研究期限 |
1997-01-01 至 1999-12-31 |
支持經(jīng)費(fèi) |
10(萬元) |
本項(xiàng)目研制了一種新型設(shè)計(jì)的應(yīng)力勻散技術(shù),它在硅三維結(jié)構(gòu)的少掩膜腐蝕技術(shù)基礎(chǔ)上,進(jìn)行理論分析和實(shí)驗(yàn)研究,獲得了實(shí)現(xiàn)硅膜區(qū)與邊框的交界處形成園弧形過渡區(qū)的理論計(jì)算和工藝技術(shù),對(duì)提高硅微機(jī)械加工器件的過載能力具有普遍的實(shí)用價(jià)值。利用該技術(shù),成功地開發(fā)了300Pa硅微壓傳感器,過載壓力達(dá)到140倍滿量程以上。根據(jù)國際聯(lián)網(wǎng)查新,該產(chǎn)品為國際領(lǐng)先。本項(xiàng)目與國家九五科技攻關(guān)“96-748傳感器技術(shù)”研究項(xiàng)目“硅微壓力傳感器”(編號(hào)96-748-02-01/02)結(jié)合,已通過驗(yàn)收和鑒定。 2100433B
一般的壓力傳感器,壓電式的貴些.應(yīng)變片式的價(jià)格便宜.分用多大量程的,大量程的貴,幾公斤,幾十公斤的價(jià)格在百元左右.
可借用法蘭閥門安裝子目
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CHNOP型擴(kuò)散硅壓力傳感器,采用了進(jìn)口擴(kuò)散硅充油芯片。
具有輸出信號(hào)大、精度高運(yùn)行穩(wěn)定、可靠性好等特點(diǎn)。
可廣泛應(yīng)用于石油化工、石化、機(jī)械、食品、建材、科研、航空等行業(yè)。
可選擇內(nèi)置式變送器,標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)0~10mA、4~20mA或0~5V輸出。
CHNOP型擴(kuò)散硅壓力傳感器,采用了進(jìn)口擴(kuò)散硅充油芯片。
具有輸出信號(hào)大、精度高運(yùn)行穩(wěn)定、可靠性好等特點(diǎn)。
可廣泛應(yīng)用于石油化工、石化、機(jī)械、食品、建材、科研、航空等行業(yè)。
可選擇內(nèi)置式變送器,標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)0~10mA、4~20mA或0~5V輸出。
量程 |
MPa |
2.0、3.0、5.0、10.~60.0、100 |
滿量程輸出 |
mv/V |
≥1,3 |
綜合精度 |
%F·S |
±,0,05~±,0,1 |
零點(diǎn)溫漂 |
%F·S/10℃ |
±,0,05 |
工作電源 |
VDC |
10 |
工作溫度 |
℃ |
-20~, 70 |
壓力介質(zhì) |
對(duì)不銹鋼無腐蝕性氣體,液體 |
|
過載壓力 |
%F·S |
150 |
絕緣電阻 |
MΩ |
≥5000 |
量程
MPa
2.0、3.0、5.0、10.~60.0、100
JKY型系列擴(kuò)散硅低、中壓力傳感器,該傳感器采用了進(jìn)口擴(kuò)散硅充油芯片,具有精度高、可靠性好、運(yùn)行穩(wěn)定等特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于對(duì)不銹鋼無腐蝕性的石油、化工、石化、機(jī)械、科研、建材、大專院校、食品等行業(yè)。
可選擇內(nèi)置式變送器,標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)0~10mA、4~20mA或0~5V輸出
技術(shù)參數(shù):
量程 KPa 2.0、4.0、6.0、……800
MPa 1.0、1.2、3.0、5.0、10.0、20
輸出 mV/V Mv4-20mA0-10mA0-5V0-10V任選
綜合精度 %F·S 0.3
零點(diǎn)溫漂 %F·S/10℃ ±0.2
工作電源 VDC 9V12V24V
工作溫度 ℃ -20~ 80(按客戶要求)
輸出方式 二線、三線、四線
過載壓力 %F·S 200
壓力介質(zhì) 與316不銹鋼兼容的氣體、液體
材質(zhì)
合金鋼
縲紋接口 M20×1.5或M12×11/4管螺紋(按客戶要求)
壓力傳感器有很多參數(shù)指標(biāo),其中有一項(xiàng)是過載保護(hù),過載就是負(fù)荷過大,超過了設(shè)備本身的額定負(fù)載,產(chǎn)生的現(xiàn)象是電流過大,用電設(shè)備發(fā)熱,線路長期過載會(huì)降低線路絕緣水平,甚至燒毀傳感器設(shè)備或線路;過載保護(hù)就是即使負(fù)荷超過了額定負(fù)載也不會(huì)出現(xiàn)燒壞線路的情況,但是也有一個(gè)度,一般是150%的范圍內(nèi),而且不能持續(xù)過載工作。
過載保護(hù)是每種傳感器都要考慮的,因?yàn)樵谑褂眠^程中可能會(huì)出現(xiàn)測(cè)量值大于量程的情況,只有設(shè)計(jì)了過載保護(hù)的傳感器才能更好的使用,也才能使用得更久。具體每種傳感器的過載保護(hù)是如何設(shè)計(jì)的,過載范圍是多少都是不同的,所以不管是買哪種傳感器一定要了解它的過載保護(hù)是多少,這樣才能更好的方便使用,在未來使用過程中也不會(huì)出現(xiàn)由于過載燒壞電路的情況。以上便是為大家介紹壓力傳感器的過載后果和保護(hù)方法。壓力傳感器有很多形式,每種結(jié)構(gòu)形式的過載保護(hù)設(shè)計(jì)方法也是各不相同的,眾多方法都有各自的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),采用MEMS 技術(shù)的小量程、高靈敏壓力傳感器通常有平膜、島膜、梁膜等結(jié)構(gòu),在設(shè)計(jì)過載保護(hù)時(shí),一般采用凸臺(tái)等方法實(shí)現(xiàn),形成方法有背部刻蝕技術(shù)、硅直接鍵合技術(shù)、玻璃刻蝕技術(shù)等。然而這些結(jié)構(gòu)一般都有一個(gè)很大的局限性就是腔體尺寸較大,進(jìn)一步提高靈敏度受到限制,而且降低了硅片利用率,增加了制造工藝的復(fù)雜度,提高了生產(chǎn)成本。
目前,小量程、高靈敏壓力傳感器的研究熱點(diǎn)集中在犧牲層結(jié)構(gòu)壓力傳感器,這主要是因?yàn)闋奚鼘咏Y(jié)構(gòu)壓力傳感器彈性膜片很薄,厚度可做到2 μm,甚至更薄。在這樣薄的結(jié)構(gòu)上,如果采用擴(kuò)散硅或多晶硅薄膜作為犧牲層結(jié)構(gòu)壓力傳感器的應(yīng)變電阻,其厚度相對(duì)較大,對(duì)彈性膜片應(yīng)力分布影響很大,不利于犧牲層結(jié)構(gòu)壓力傳感器的性能優(yōu)化,因此采用多晶硅納米薄膜制作應(yīng)變電阻更能發(fā)揮犧牲層技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。在分析壓力傳感器的總誤差時(shí),首先要考慮每一個(gè)誤差的來源,分析導(dǎo)致這些誤差的因素,然后想辦法減少這些誤差,提高傳感器總的性能。當(dāng)計(jì)算—壓力傳感器的總誤差時(shí),應(yīng)使用下列定義的誤差。為決定你已選擇壓力傳感器特定誤差的程度,參見在這目錄中該傳感器的規(guī)格說明。
在特定用戶應(yīng)用中,有些標(biāo)稱的指標(biāo)可以減少或消除的,例如,如果一壓力傳感器用在規(guī)定溫度范圍的一半內(nèi),那么溫度誤差可以減少一半,如果使用自動(dòng)調(diào)零技術(shù),零點(diǎn)偏置和零飄誤差可以消除。零點(diǎn)偏置是同時(shí)加在膜片兩側(cè)上的相同壓力時(shí)傳感器輸出。量程是輸出端點(diǎn)之間的代數(shù)差。通常二端點(diǎn)是零和滿刻度。零點(diǎn)溫度偏移是由溫度變化引起的壓力傳感器零點(diǎn)變化。零點(diǎn)偏移不是可預(yù)測(cè)的誤差,因?yàn)槊恳粋€(gè)器件可以向上或向下偏移,溫度變化將引起整個(gè)輸出曲線沿電壓軸向上或向下偏移。
靈敏度溫度偏移是由溫度變化引起的壓力傳感器靈敏度變化,溫度變化將引起傳感器輸出曲線的斜率變化。線性誤差是在期望壓力范圍傳感器輸出曲線與一標(biāo)定直線的偏差,計(jì)算線性誤差的一個(gè)方法是最小二乘方,它從數(shù)學(xué)上提供對(duì)數(shù)據(jù)點(diǎn)的最佳配合直線。另一方法是末端基點(diǎn)線性度(T.B.L.)或端點(diǎn)線性度。T.B.L.由在輸出曲線上二端數(shù)據(jù)點(diǎn)之間畫一直線(L1)決定。
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