硅化鉻存儲(chǔ)方法

密封于陰涼干燥處。

1. 性狀：灰色立方晶體，六方晶系。

2. 密度（g/mL,25/4℃）：5.5

3. 相對(duì)蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：無(wú)可用

4. 熔點(diǎn)（oC）：1475

5. 沸點(diǎn)（oC,常壓）：無(wú)可用

6. 沸點(diǎn)（oC,5.2kPa）： 無(wú)可用

7. 折射率： 無(wú)可用

8. 閃點(diǎn)（oC）： 無(wú)可用

9. 比旋光度（o）：無(wú)可用

10. 自燃點(diǎn)或引燃溫度（oC）：無(wú)可用

11. 蒸氣壓（kPa,25oC）：無(wú)可用

12. 飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：無(wú)可用

13. 燃燒熱（KJ/mol）：無(wú)可用

14. 臨界溫度（oC）：無(wú)可用

15. 臨界壓力（KPa）：無(wú)可用

16. 油水（辛醇/水）分配系數(shù)的對(duì)數(shù)值：無(wú)可用

17. 爆炸上限（%,V/V）：無(wú)可用

18. 爆炸下限（%,V/V）： 無(wú)可用

19. 溶解性：不溶于水，溶于鹽酸、氫氟酸。

中文名稱:硅化鉻

英文名稱:Chromium silicide

別名:皮薩草

更多名稱:Pisa grass

CAS號(hào):12018-09-6

分子式:H2CrSi2

分子量:110.183

1.硅粉與鉻粉混合后，于900～1100℃的氫氣中焙燒，冷卻后即可?；蛘邔t粉和硅粉的混合物與二氧化硅粉和硅粉的混合物混合均勻，于氫氣流中焙燒，SiO2及Si粉形成的揮發(fā)性SiO同原料中的Na、K逸出，得到CrSi2。

2.鉻與硅粉在真空中或在氫氣保護(hù)下共熔或燒結(jié)可得到Cr3Si（立方晶體）熔點(diǎn)約1710℃，Cr5Si3(四方晶體，熔點(diǎn)約1600℃),CrSi（立方晶體，熔點(diǎn)約1600℃），CrSi2及Cr3Si2。

3.48.1份粒度為１100μｍ的鉻粉與51.9份粒度為50μｍ的硅粉混合，另外將3份粒度為10μｍ的ＳｉＯ２粉與1.5份硅粉混合。兩種混合物再混勻。1100℃氫氣流中焙燒1h，再在1430℃燒10min，ＳｉＯ２及Ｓｉ粉形成的揮發(fā)性ＳｉＯ同原料中的Ｎａ、Ｋ一起逸出，得到ＣｒＳｉ２燒結(jié)體，粉細(xì)，含Ｎａ僅

0.5×10-6，Ｋ0.1×10-6。

用作陶瓷材料、高電阻薄膜材料。

CAS號(hào)：12018-09-6

MDL號(hào)：MFCD00168070

EINECS號(hào)：235-726-9

1、摩爾折射率：無(wú)可用

2、 摩爾體積（m3/mol）： 無(wú)可用

3、 等張比容（90.2K）：無(wú)可用

4、 表面張力（dyne/cm）：無(wú)可用

1、 疏水參數(shù)計(jì)算參考值（XlogP）：無(wú)可用

2、 氫鍵供體數(shù)量：0

3、 氫鍵受體數(shù)量：2

4、 可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量：0

5、 拓?fù)浞肿訕O性表面積（TPSA）：0

6、 重原子數(shù)量：3

7、 表面電荷：0

8、 復(fù)雜度：8

9、 同位素原子數(shù)量：0

10、 確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：0

11、 不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：0

12、 確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：0

13、 不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：0

14、 共價(jià)鍵單元數(shù)量：2

通常對(duì)水是不危害的，若無(wú)政府許可，勿將材料排入周圍環(huán)境。

遵照規(guī)格使用和儲(chǔ)存則不會(huì)分解。

硅化鉻薄膜電阻率高，電阻溫度系數(shù)小。灰色立方晶體，六方晶系，a=04422nm，c=06351nm，熔點(diǎn)接近于1550℃，晶體內(nèi)的鍵連形式類似于Cr3Si，有金屬光澤，不溶于鹽酸、王水。

硅化鉻薄膜電阻率高，電阻溫度系數(shù)小。