硅化鉻合成方法

1.硅粉與鉻粉混合后，于900～1100℃的氫氣中焙燒，冷卻后即可?；蛘邔t粉和硅粉的混合物與二氧化硅粉和硅粉的混合物混合均勻，于氫氣流中焙燒，SiO2及Si粉形成的揮發(fā)性SiO同原料中的Na、K逸出，得到CrSi2。

2.鉻與硅粉在真空中或在氫氣保護下共熔或燒結(jié)可得到Cr3Si（立方晶體）熔點約1710℃，Cr5Si3(四方晶體，熔點約1600℃),CrSi（立方晶體，熔點約1600℃），CrSi2及Cr3Si2。

3.48.1份粒度為１100μｍ的鉻粉與51.9份粒度為50μｍ的硅粉混合，另外將3份粒度為10μｍ的ＳｉＯ２粉與1.5份硅粉混合。兩種混合物再混勻。1100℃氫氣流中焙燒1h，再在1430℃燒10min，ＳｉＯ２及Ｓｉ粉形成的揮發(fā)性ＳｉＯ同原料中的Ｎａ、Ｋ一起逸出，得到ＣｒＳｉ２燒結(jié)體，粉細，含Ｎａ僅

0.5×10-6，Ｋ0.1×10-6。

密封于陰涼干燥處。

1. 性狀：灰色立方晶體，六方晶系。

2. 密度（g/mL,25/4℃）：5.5

3. 相對蒸汽密度（g/mL,空氣=1）：無可用

4. 熔點（oC）：1475

5. 沸點（oC,常壓）：無可用

6. 沸點（oC,5.2kPa）： 無可用

7. 折射率： 無可用

8. 閃點（oC）： 無可用

9. 比旋光度（o）：無可用

10. 自燃點或引燃溫度（oC）：無可用

11. 蒸氣壓（kPa,25oC）：無可用

12. 飽和蒸氣壓（kPa,60oC）：無可用

13. 燃燒熱（KJ/mol）：無可用

14. 臨界溫度（oC）：無可用

15. 臨界壓力（KPa）：無可用

16. 油水（辛醇/水）分配系數(shù)的對數(shù)值：無可用

17. 爆炸上限（%,V/V）：無可用

18. 爆炸下限（%,V/V）： 無可用

19. 溶解性：不溶于水，溶于鹽酸、氫氟酸。

中文名稱:硅化鉻

英文名稱:Chromium silicide

別名:皮薩草

更多名稱:Pisa grass

CAS號:12018-09-6

分子式:H2CrSi2

分子量:110.183

用作陶瓷材料、高電阻薄膜材料。

CAS號：12018-09-6

MDL號：MFCD00168070

EINECS號：235-726-9

1、摩爾折射率：無可用

2、 摩爾體積（m3/mol）： 無可用

3、 等張比容（90.2K）：無可用

4、 表面張力（dyne/cm）：無可用

1、 疏水參數(shù)計算參考值（XlogP）：無可用

2、 氫鍵供體數(shù)量：0

3、 氫鍵受體數(shù)量：2

4、 可旋轉(zhuǎn)化學(xué)鍵數(shù)量：0

5、 拓撲分子極性表面積（TPSA）：0

6、 重原子數(shù)量：3

7、 表面電荷：0

8、 復(fù)雜度：8

9、 同位素原子數(shù)量：0

10、 確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：0

11、 不確定原子立構(gòu)中心數(shù)量：0

12、 確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：0

13、 不確定化學(xué)鍵立構(gòu)中心數(shù)量：0

14、 共價鍵單元數(shù)量：2

通常對水是不危害的，若無政府許可，勿將材料排入周圍環(huán)境。

遵照規(guī)格使用和儲存則不會分解。

硅化鉻薄膜電阻率高，電阻溫度系數(shù)小?；疑⒎骄w，六方晶系，a=04422nm，c=06351nm，熔點接近于1550℃，晶體內(nèi)的鍵連形式類似于Cr3Si，有金屬光澤，不溶于鹽酸、王水。

硅化鉻薄膜電阻率高，電阻溫度系數(shù)小。