功率靜電感應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)

SIT是介于雙極型功率晶體管(GTR)與功率場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET)之間的器件(性能方面更接近后者)，其開關(guān)頻率可在1MHz以上(可達100MHz)，80年代中期其容量已有10A/800V，和功率MOSFET差不多，適用于數(shù)千瓦以下的電力電子裝置上。

雖然SIT的概念早在1950年就被提出，功率SIT器件直至 70年代末方出現(xiàn)。SIT的工作電流密度要大于功率MOSFET，且其制造工藝也比后者容易，因而是一種很有前途的器件，有希望發(fā)展成100A/1000V級的大容量高頻器件。

另外，若將圖2中的SIT漏極的n型高摻雜半導(dǎo)體換成p型半導(dǎo)體,則器件變成靜電感應(yīng)晶閘管(又稱場控晶閘管)，簡稱SITH。它的工作電流密度及容量遠比SIT高，可達門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)的水平,其開關(guān)性能(尤其是開通速度)則優(yōu)于GTO，是80年代出現(xiàn)的性能最優(yōu)的大容量電力電子器件之一。

一種短溝道的功率場效應(yīng)晶體管。簡稱 SIT。為區(qū)別起見， 一般不把它歸入功率場效應(yīng)晶體管類。SIT通常采用 n溝道的結(jié)型場效應(yīng)結(jié)構(gòu)。圖1為這種SIT的符號，G、D、S分別代表柵極、漏極和源極。 SIT有平面型、埋溝型等幾種。圖2為平面型SIT的部分剖面結(jié)構(gòu)。該器件源極的n型半導(dǎo)體被柵極的p型半導(dǎo)體所圍，漏極電流IDS必須通過這一窄小的溝道。在柵極與源極間加大負電壓VGS時,會使上述溝道變窄以至消失，結(jié)果便在原溝道位置形成了一個阻止電子通過的位壘。漏極電壓VDS對這一位壘也有影響，但作用遠不如柵極明顯。改變柵極的電壓，便可控制流過源極和漏極間的電流。圖3是該器件的輸出特性，反映了柵極的控制作用和一定柵極電壓下漏極電流與電壓的關(guān)系。從圖3中可以看到，為截止漏極電流，需要柵極電壓有足夠的負值，較高的漏極電壓需要有更大負值的柵極電壓;一旦SIT導(dǎo)通，漏極和源極間相當于一個小電阻。

通常簡稱功率晶體管。 其中大容量型又稱巨型晶體管，簡稱GTR。功率晶體管一般為功率集成器件，內(nèi)含數(shù)十至數(shù)百個晶體管單元。圖1是功率晶體管的符號，其上e、b、c分別代表發(fā)射極、基極和集電極。按半導(dǎo)體的類型，器件被分成NPN型和PNP型兩種，硅功率晶體管多為前者。

靜電感應(yīng)晶體管SIT(Static Induction Transistor)誕生于1970年，實際上是一種結(jié)型場效應(yīng)晶體管。將用于信息處理的小功率SIT器件的橫向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)改為垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，即可制成大功率的SIT器件。SIT是一種多子導(dǎo)電的器件，其工作頻率與電力MOSFET相當，甚至超過電力MOSFET，而功率容量也比電力MOSFET大，因而適用于高頻大功率場合，目前已在雷達通信設(shè)備、超聲波功率放大、脈沖功率放大和高頻感應(yīng)加熱等某些專業(yè)領(lǐng)域獲得了較多的應(yīng)用。

但是SIT在柵極不加任何信號時是導(dǎo)通的，柵極加負偏壓時關(guān)斷，這被稱為正常導(dǎo)通型器件，使用不太方便。此外，SIT通態(tài)電阻較大，使得通態(tài)損耗也大，因而SIT還未在大多數(shù)電力電子設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用。

靜電感應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)形式主要有三種結(jié)構(gòu)形式:

埋柵結(jié)構(gòu)是典型結(jié)構(gòu)(圖2)，適用于低頻大功率器件;

表面電極結(jié)構(gòu)適用于高頻和微波功率SIT;

介質(zhì)覆蓋柵結(jié)構(gòu)是中國研制成功的，這種結(jié)構(gòu)既適用于低頻大功率器件，也適用于高頻和微波功率器件，其特點是工藝難度小、成品率高、成本低、適于大量生產(chǎn)。中國已研制出具有這種結(jié)構(gòu)的 SIT器件有:400兆赫，1~40瓦;1000兆赫,1~12瓦及1500兆赫，6瓦的SIT器件。另外，還制出600兆赫下耗散功率2.3瓦、噪聲系數(shù)小于3分貝的功率低噪聲SIT。