半導(dǎo)體器件物理

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中國半導(dǎo)體器件型號命名方法

半導(dǎo)體器件型號由五部分(場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。五個(gè)部分意義如下:

第一部分:用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管

第二部分:用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí):A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí):A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分:用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的類型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管(f1W)、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器)、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分:用數(shù)字表示序號

第五部分:用漢語拼音字母表示規(guī)格號

例如:3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管

日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法

日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個(gè)部分，其各部分的符號意義如下:

第一部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個(gè)pn結(jié)的其他器件、3-具有四個(gè)有效電極或具有三個(gè)pn結(jié)的其他器件、┄┄依此類推。

第二部分:日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊標(biāo)志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA注冊登記的半導(dǎo)體分立器件。

第三部分:用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場效應(yīng)管、K-N 溝道場效應(yīng)管、M-雙向可控硅。

第四部分:用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從"11"開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會(huì)JEIA登記的順序號;不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號;數(shù)字越大，越是產(chǎn)品。

第五部分: 用字母表示同一型號的改進(jìn)型產(chǎn)品標(biāo)志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進(jìn)產(chǎn)品。

美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法

美國晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下:

第一部分:用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、(無)-非軍用品。

第二部分:用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個(gè)pn結(jié)器件、n-n個(gè)pn結(jié)器件。

第三部分:美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊標(biāo)志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)(EIA)注冊登記。

第四部分:美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會(huì)登記的順序號。

第五部分:用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如:JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關(guān)三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標(biāo)志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。

國際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體器件型號命名方法

德國、法國、意大利、荷蘭、比利時(shí)等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會(huì)半導(dǎo)體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個(gè)基本部分組成，各部分的符號及意義如下:

第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6~1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復(fù)合材料及光電池使用的材料

第二部分:用字母表示器件的類型及主要特征。A-檢波開關(guān)混頻二極管、B-變?nèi)荻O管、C-低頻小功率三極管、D-低頻大功率三極管、E-隧道二極管、F-高頻小功率三極管、G-復(fù)合器件及其他器件、H-磁敏二極管、K-開放磁路中的霍爾元件、L-高頻大功率三極管、M-封閉磁路中的霍爾元件、P-光敏器件、Q-發(fā)光器件、R-小功率晶閘管、S-小功率開關(guān)管、T-大功率晶閘管、U-大功率開關(guān)管、X-倍增二極管、Y-整流二極管、Z-穩(wěn)壓二極管。

第三部分:用數(shù)字或字母加數(shù)字表示登記號。三位數(shù)字-代表通用半導(dǎo)體器件的登記序號、一個(gè)字母加二位數(shù)字-表示專用半導(dǎo)體器件的登記序號。

第四部分:用字母對同一類型號器件進(jìn)行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數(shù)進(jìn)行分檔的標(biāo)志。

除四個(gè)基本部分外，有時(shí)還加后綴，以區(qū)別特性或進(jìn)一步分類。常見后綴如下:

1、穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的第一部分是一個(gè)字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后綴第二部分是數(shù)字，表示標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值;后綴的第三部分是字母V，代表小數(shù)點(diǎn)，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標(biāo)稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。

2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的最大反向峰值耐壓值，單位是伏特。

3、晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標(biāo)出最大反向峰值耐壓值和最大反向關(guān)斷電壓中數(shù)值較小的那個(gè)電壓值。

如:BDX51-表示NPN硅低頻大功率三極管，AF239S-表示PNP鍺高頻小功率三極管。

《半導(dǎo)體器件:計(jì)算和電信中的應(yīng)用》從半導(dǎo)體基礎(chǔ)開始，介紹了電信和計(jì)算產(chǎn)業(yè)中半導(dǎo)體器件的發(fā)展現(xiàn)狀，在器件方面為電子工程提供了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。內(nèi)容涵蓋未來計(jì)算硬件和射頻功率放大器的實(shí)現(xiàn)方法，闡述了計(jì)算和電信的發(fā)展趨勢和系統(tǒng)要求對半導(dǎo)體器件的選擇、設(shè)計(jì)及工作特性的影響。

《半導(dǎo)體器件:計(jì)算和電信中的應(yīng)用》首先討論了半導(dǎo)體的基本特性;接著介紹了基本的場效應(yīng)器件MODFET和M0SFET，以及器件尺寸不斷縮小所帶來的短溝道效應(yīng)和面臨的挑戰(zhàn);最后討論了光波和無線電信系統(tǒng)中半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、特性及其工作條件。