功率因數(shù)的數(shù)值介于0與1之間,它是有功功率(單位W)與視在功率(單位VA)的比值,比值越高則電器本身的效能越好,反之比數(shù)越低,則表示電器無(wú)功功率越大,相同功率時(shí),電流越大,輸電線上消耗能源越大,也就越耗電。2100433B
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針對(duì)現(xiàn)今LED驅(qū)動(dòng)電源功率因子低導(dǎo)致效率低,輸出紋波大導(dǎo)致LED燈頻閃嚴(yán)重的問(wèn)題,研制了一種高功率因子低紋波LED驅(qū)動(dòng)電源。該電源由基于有源PFC芯片UCC28019的BOOST電路和兩路并聯(lián)的BUCK電路組成,實(shí)現(xiàn)對(duì)功率因子的校正和降低紋波功能,從而提高了LED驅(qū)動(dòng)電源的效率并增加了其使用壽命。測(cè)試結(jié)果表明該LED驅(qū)動(dòng)電源功率因子高達(dá)0.998、效率高達(dá)87.8%,最大紋波只有1%。得了預(yù)期的結(jié)果,這對(duì)現(xiàn)代化農(nóng)業(yè)的發(fā)展是大有益處的。
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通過(guò)對(duì)錘式破碎機(jī)空載啟動(dòng)功率的影響因子進(jìn)行仿真分析,得出破碎軸組空載消耗設(shè)計(jì)的指導(dǎo)性理論,主要對(duì)破碎軸組轉(zhuǎn)動(dòng)慣量和破碎機(jī)啟動(dòng)時(shí)長(zhǎng)2個(gè)影響因子進(jìn)行分析,最終擬合出指導(dǎo)性的計(jì)算公式和理論。
提升熱電材料ZT值的方法一般有兩種,一為提高其功率因子(S2σ),或降低其熱傳導(dǎo)系數(shù)(κ)。影響功率因子的物理機(jī)制包括散射參數(shù)、能態(tài)密度、載流子遷移率及費(fèi)米能級(jí)等四項(xiàng)。前三項(xiàng)一般被認(rèn)為是材料的本質(zhì)性質(zhì),只能依靠更好更純的樣品來(lái)改進(jìn),而實(shí)驗(yàn)上能控制功率因子的物理量為通過(guò)改變摻雜濃度來(lái)調(diào)整費(fèi)米能級(jí)以達(dá)到最大的S2σ值。固體材料熱傳導(dǎo)系數(shù)(κ)包括了晶格熱傳導(dǎo)系數(shù)(κL)及電子熱傳導(dǎo)系數(shù)(κe),即κ=κL κe。熱電材料之熱傳導(dǎo)大部份是通過(guò)晶格來(lái)傳導(dǎo)。晶格熱傳導(dǎo)系數(shù)(κL)正比于樣品定容比熱(CV)、聲速及平均自由程度等三個(gè)物理量。同樣,前二個(gè)物理量是材料的本質(zhì),無(wú)法改變。而平均自由程則隨材料中雜質(zhì)或晶界的多寡而改變,納米結(jié)構(gòu)的塊材之特征在于具有納米層級(jí)或具有部份納米層級(jí)的微結(jié)構(gòu),當(dāng)晶粒大小減小到納米尺寸時(shí)就會(huì)產(chǎn)生新的界面,此界面上的局部原子排列為短程有序,有異于一般均質(zhì)晶體的長(zhǎng)程有序狀態(tài)或是玻璃物質(zhì)的無(wú)序狀態(tài),因此材料的性質(zhì)不再僅僅由晶格上原子間的作用來(lái)決定,而必須考慮界面的貢獻(xiàn)。
Whall和Parker首先提出二維多層膜結(jié)構(gòu)。因量子井效應(yīng)對(duì)熱電材料傳輸性質(zhì)的影響,多屬于半導(dǎo)體的熱電材料,若經(jīng)MBE(分子束外延)或CVD(化學(xué)氣相沉積)長(zhǎng)成多層膜(或稱超晶格)的結(jié)構(gòu)后,其能帶結(jié)構(gòu)會(huì)因量子效應(yīng)而使材料能隙加大,再加上膜與膜的界面亦會(huì)影響到樣品的熱傳導(dǎo)系數(shù),故將熱電材料薄膜化后可預(yù)期會(huì)大幅改變其ZT值。例如,Koga研究團(tuán)隊(duì)理論預(yù)測(cè)在室溫下Si(1.5nm)/Ge(2.0nm)的超晶格結(jié)構(gòu)(于Si0.5Ge0.5基座),其ZT值要比Si塊材大70倍。
除了二維的多層膜/超晶格結(jié)構(gòu)外,一維的量子線結(jié)構(gòu)也開始慢慢受到注意,研究者欲通過(guò)一維量子線更強(qiáng)的量子局限化效應(yīng)來(lái)進(jìn)一步提升熱電材料之ZT值。例如,將熔融的熱電材料Bi、Sb及Bi2Te3經(jīng)高壓注入多孔隙材料如陽(yáng)極氧化鋁或云母,可形成直徑約8nm,長(zhǎng)度約10m的納米線。目這些納米量子線陣列的量測(cè)都還在起步的階段。上述的二維或一維納米結(jié)構(gòu)都因有基座或多孔隙材料的存在而使熱電材料熱傳導(dǎo)系數(shù)的測(cè)量或?qū)嶋H應(yīng)用產(chǎn)生相當(dāng)?shù)睦щy。
綜上所述,用熱電材料制成納米線,薄膜與超晶格,確能提升熱電勢(shì)S與熱電效率,使得ZT值難以提升這一困境的突破綻露了一線曙光,亦再次帶動(dòng)了全球研究熱電材料的熱潮,而且由理論或?qū)嶒?yàn)方面均已證實(shí),具有納米結(jié)構(gòu)的熱電材料要比塊材有更好的熱電性質(zhì)。因此,近全世界正投入大量人力、物力于熱電材料的研發(fā)上,希望能制造出高ZT值的熱電材料。
磁控電抗器用作無(wú)功補(bǔ)償可以平滑的調(diào)節(jié)輸出的無(wú)功,比一般的無(wú)功補(bǔ)償設(shè)備具有更多的作用。
(1) 提高功率因子,降低網(wǎng)損,可以使功率因子達(dá)到0.9-0.99的要求
(2) 阻尼系統(tǒng)振蕩,提高阻尼極限,提高輸電線傳輸能力
(3) 提高電網(wǎng)的電壓穩(wěn)定能力
(1) 穩(wěn)定端點(diǎn)電壓(防止電壓過(guò)高或過(guò)低),提高變壓器與輸電線以及其他電器設(shè)備的壽命。
(2) 消除諧波污染,提高系統(tǒng)安全系數(shù),延長(zhǎng)設(shè)備壽命,降低系統(tǒng)損耗
(3) 降低異步電機(jī)啟動(dòng)、電弧爐運(yùn)行等本地電網(wǎng)沖擊,提高系統(tǒng)安全性,對(duì)于弱電網(wǎng)尤其如此。
(4) 消除電壓閃變,專門針對(duì)閃變?cè)O(shè)計(jì)的算法,將電壓閃變降至最低水平,提高用戶電能質(zhì)量。
(5) 擴(kuò)容。在很多場(chǎng)合安裝動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償裝置,可以實(shí)現(xiàn)1.2-1.5倍的擴(kuò)容,大幅節(jié)約擴(kuò)容開支。
(6) 提高功率因子??梢允构β室蜃舆_(dá)到0.9-0.99的要求,降低網(wǎng)損,降低無(wú)功損耗,節(jié)省電費(fèi)開支,適 用于電力系統(tǒng)龐大網(wǎng)損非常嚴(yán)重的用戶。
大功率LED燈具優(yōu)劣選購(gòu)技巧,大功率LED市場(chǎng)價(jià)格廝殺的惡性競(jìng)爭(zhēng),大批不合格產(chǎn)品的的上市已經(jīng)違背了大功率LED節(jié)能、長(zhǎng)壽命、環(huán)保等真正的價(jià)值,如何區(qū)分大功率LED 燈具的優(yōu)劣,應(yīng)從以下幾方面著手:
1看整體“燈具的功率因子”:功率因子低,說(shuō)明使用的驅(qū)動(dòng)電源、電路設(shè)計(jì)不好,會(huì)大大降低燈具的使用壽命,功率因子低,使用再好燈珠的燈具壽命也不會(huì)長(zhǎng)。
2看“燈具散熱條件-材料、結(jié)構(gòu)”:大功率燈具散熱也是非常重要的,同樣功率因子的燈具和同品質(zhì)的燈珠,如果散熱條件不好,燈珠在高溫下工作,光衰會(huì)很大,燈具壽命會(huì)減少。
3看“燈珠品質(zhì)”:燈珠品質(zhì)決定于芯片品質(zhì)和封裝技術(shù)。
4看燈具使用的驅(qū)動(dòng)電源,電源的使用壽命相對(duì)燈具的其他部分來(lái)說(shuō),壽命要短很多,電源的壽命影響燈具的整體壽命,燈珠的理論壽命在5-10萬(wàn)小時(shí),而電源的壽命在0.2-3萬(wàn)小時(shí),電源的設(shè)計(jì)與材料選擇會(huì)決定電源的使用壽命。
5看光效:同樣的燈珠功率,光效越高,亮度越高,同樣的照明亮度,耗電越小,越節(jié)能。
6看電源效率,電源效率越高越好,越高,說(shuō)明電源本身的功耗越小,輸出的功率越大。
7是看是否符合安全標(biāo)準(zhǔn)?我國(guó)大功率LED燈具安全標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)出臺(tái),請(qǐng)按國(guó)家規(guī)定的安全標(biāo)準(zhǔn)選擇大功率LED燈具。
8是看做工是否精細(xì)。
一個(gè)品質(zhì)好的大功率LED燈具,除上面提到的幾個(gè)主要方面外,還要根據(jù)不同的使用環(huán)境,有不同的技術(shù)要求,如防潮、防塵、防磁、防雷擊等。