硅片回收是新能源回收利用指專業(yè)機(jī)構(gòu)專業(yè)回收廢或過期原生多晶硅,125太陽能單晶電池片,156太陽能多晶片(整片,碎片),拋光片,頭尾料,半導(dǎo)體硅片,及稀有金屬
公司名稱 | 閩來新能源回收利用網(wǎng) | 總部地點(diǎn) | 昆山北門路1128號(hào) |
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成立時(shí)間 | 2002 | 經(jīng)營范圍 | 硅片回收 電池片回收 |
公司性質(zhì) | 合資企業(yè) | 公司口號(hào) | 閩來 |
年?duì)I業(yè)額 | 2000萬 | 員工數(shù) | 690 |
硅片回收技術(shù)硅片回收分類
硅料,硅片,太陽能電池片,單晶電池,多晶電池(整片碎片),125電池片,156電池片,單晶電池片,多晶電池片,半導(dǎo)體硅片,太陽能硅片,單晶硅片,多晶硅片,高效/低效太陽能電池片,崩邊缺角太陽能電池片,太陽能電池板組件,太陽能電池碎片,單晶碎電池片,多晶碎電池片,破碎電池片,碎硅片,電池?cái)U(kuò)散碎片,廢硅片,電池裸片,拋光片,光刻片,彩片,藍(lán)膜片,單晶硅棒,多晶硅錠,硅塊,原生多晶,頂側(cè)邊皮料,單晶邊皮,多晶邊皮,硅頭尾料,鍋底料,單晶硅,多晶硅等各類硅材料。硅片回收的準(zhǔn)備過程從硅單晶棒開始,到清潔的拋光片結(jié)束,以能夠在絕好的環(huán)境中使用。期間,從一單晶硅棒到加工成數(shù)片能滿足特殊要求的硅片要經(jīng)過很多流程和清洗步驟。除了有許多工藝步驟之外,整個(gè)過程幾乎都要在無塵的環(huán)境中進(jìn)行。硅片的加工從一相對(duì)較臟的環(huán)境開始,最終在10級(jí)凈空房內(nèi)完成。 硅片回收加工過程包括許多步驟。所有的步驟概括為三個(gè)主要種類:能修正物理性能如尺寸、形狀、平整度、或一些體材料的性能;能減少不期望的表面損傷的數(shù)量;或能消除表面沾污和顆粒。硅片加工的主要的步驟如表1.1的典型流程所示。硅片回收技術(shù)步驟的順序是很重要的,因?yàn)檫@些步驟的決定能使銀漿回收受到盡可能少的損傷并且可以減少硅片的沾污。在以下的章節(jié)中,每一步驟都會(huì)得到詳細(xì)介紹。
硅片回收技術(shù)切片、退火、倒角
硅片回收是閩來新能源回收利用由專業(yè)機(jī)構(gòu)專業(yè)回收廢或過期原生多晶硅,125太陽能單晶電池片,156太陽能多晶片(整片,碎片),拋光片,頭尾料,半導(dǎo)體硅片,及稀有金屬硅片回收工藝流程具體介紹如下:
切片:將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄硅片。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋,產(chǎn)生廢水和硅渣。
退火:雙工位熱氧化爐經(jīng)氮?dú)獯祾吆?,用紅外加熱至300~500℃,硅片表面和氧氣發(fā)生反應(yīng),使硅片表面形成二氧化硅保護(hù)層。
倒角:將退火的硅片進(jìn)行修整成圓弧形,防止硅片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生,增加磊晶層及光阻層的平坦度。此過程中產(chǎn)生的硅粉采用水淋,產(chǎn)生廢水和硅渣。
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因?yàn)閮烧邥?huì)反應(yīng)生成硅酸鈉(俗稱“泡花堿”)硅酸鈉又會(huì)和水反應(yīng)生成原硅酸
你說的是這個(gè)么 好象是很專業(yè)的 我就只能發(fā)這個(gè)了 不好意思 硅片 目前,在米粒大的硅片上,已能集成15.6萬個(gè)晶體管。這是何等精細(xì)的工程!這是多學(xué)科協(xié)同努力的結(jié)晶,是科學(xué)技術(shù)進(jìn)步的又一個(gè)里程碑。 微電...
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評(píng)分: 4.5
多線切割是當(dāng)前硅太陽能電池片生產(chǎn)的主要工藝。在線切割過程中約有1/2的晶體硅成為鋸屑進(jìn)入到切割砂漿。砂漿中的各種污染物并未進(jìn)入高純硅屑晶體內(nèi)部,因此可以期望通過物理分離、清洗等技術(shù)來提取獲得高純硅粉,而不需要通過高耗能的高溫化學(xué)或相變過程。綜述了硅片線切割過程、硅屑形成及廢砂漿特性,評(píng)述了從線切割廢砂漿中回收高純硅粉的研究現(xiàn)狀和進(jìn)展,包括本研究組近期的研究結(jié)果。
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評(píng)分: 4.8
H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O為半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)過程中三種去除硅片背面銅污染的化學(xué)清洗液。在單片濕法清洗機(jī)上采用這三種化學(xué)液對(duì)直徑300 mm具有類似于實(shí)際生產(chǎn)中銅污染的硅片進(jìn)行了清洗,結(jié)果發(fā)現(xiàn)H2SO4/H2O2/H2O在清洗過程中不對(duì)硅片表面的Si3N4膜產(chǎn)生損傷,但銅污染的去除效率較低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O對(duì)Si3N4膜產(chǎn)生微量刻蝕,從而去除擴(kuò)散至硅片內(nèi)部銅污染,從而顯示出較佳的去除效果。通過比較HF/H2O2/H2O中HF體積分?jǐn)?shù)與Si3N4膜刻蝕深度和清洗后銅原子濃度,HF的體積分?jǐn)?shù)為1.5%時(shí),可以使硅片表面銅原子濃度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的損失小于1 nm。