中文名 | 高壓晶體爐 TDR-GY系列液封直拉法高壓晶體爐 [1]? | 標(biāo)準(zhǔn)號 | JB/T 10789-2007 |
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批準(zhǔn)發(fā)布部門 | 國家發(fā)展和改革委員會 | 發(fā)布日期 | 2007-08-28 |
實施日期 | 2008-02-01 |
備案信息
備案號:21734-20072100433B
1、性質(zhì)不同:低壓鍋爐出口蒸汽壓力小于或等于2.45MPa的鍋爐。中壓鍋爐出口蒸汽壓力為2.94——4.90MPa的鍋爐。高壓鍋爐出口蒸汽壓力為7.84—10.8MPa的鍋爐。2、蒸汽溫度不同:低壓鍋...
操作高壓令克的順序: ①停電操作時,應(yīng)先拉中間相,后拉兩邊相。送電時則先合兩邊相,后合中間相。停電時先拉中相的原因主要是考慮到中相切斷時的電流要小于邊相(電路一部分負(fù)荷轉(zhuǎn)由兩相承擔(dān)),因而電弧...
主要根據(jù)電壓等級來區(qū)分:在我國先建成的線路中,1kV以上為高壓線路;330kV至750kV的線路為超高壓輸電線路(包含±500kV的直流線路);±800的直流輸電線路及1000kV的交流輸電線路為特高...
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頁數(shù): 5頁
評分: 4.4
對某廠生產(chǎn)的300mm人造石英晶體高壓釜進(jìn)行了應(yīng)力應(yīng)變實體測試,實測結(jié)果與理論計算結(jié)果比較吻合。對結(jié)果進(jìn)行了分析,得出了沿釜體外壁軸向應(yīng)力與周向應(yīng)力的分布規(guī)律,給出了典型點軸向、周向εP關(guān)系圖。
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評分: 4.7
研制了高壓水自動清掃爐門裝置,可徹底清除焦?fàn)t爐門上耐火磚及不銹鋼刀邊上的焦油及焦碳等結(jié)垢,保證爐門與焦?fàn)t本體的密封性,杜絕爐內(nèi)有害氣體及煙塵的外泄,達(dá)到了保護(hù)環(huán)境、降低操作工人的勞動強(qiáng)度、改善焦?fàn)t現(xiàn)場工作環(huán)境的效果。
由于Ⅲ一V族化合物半導(dǎo)體中的磷化銦、磷化鎵等在熔點時具有很高的離解壓,因此從熔體中生長單晶的工藝變得十分困難。自從出現(xiàn)液封直拉法后,又進(jìn)一步改進(jìn)爐子的機(jī)械結(jié)構(gòu)強(qiáng)度,解決了由于爐內(nèi)充高壓惰性氣氛帶來的高壓氣體密封問題。采用氧化硼為密封劑,進(jìn)行磷化鎵等直拉單晶生長,這種技術(shù)稱為高壓液封直拉法。
目前用于制備磷化鎵的高壓單晶爐可充100-200大氣壓的惰性氣體。這種工藝的拉晶技術(shù)大體上和液封直拉法相同,只是因為爐內(nèi)惰性氣體壓力很大,因此引起強(qiáng)烈的對流,從而給單晶生長帶來更多的困難。但它目前仍然是從熔體中生長大直徑磷化物單晶的最好方法之一。
高壓液封直拉法是用高壓單晶爐拉制GaAs單晶,拉晶時爐內(nèi)惰性氣體壓力為3-6兆帕,B2O3覆蓋層的厚度為10-20毫米。由于其合成溫度低,時間短,則可有效地控制硅及其他雜質(zhì)的污染,使半絕緣GaAs堆晶的遷移率大幅度提高。而且,這一方法還可制取較大直徑的圓形<100>晶片。工藝中控制砷/鎵比是獲得半絕緣不摻雜質(zhì)單晶的關(guān)鍵。
高壓液封直拉法,可提高單晶純度,擴(kuò)大<100>單晶圓片直徑,簡化生產(chǎn)工藝,降低成本。比水平法和常壓直拉法的單晶,更能符合微波場效應(yīng)器件和超高速大容量集成電路的需要。
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