IGBT高頻爐

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)芯片,產(chǎn)自于德國。是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
而IGBT高頻爐,便是基于這個芯片做出的加熱設(shè)備。具有省電節(jié)流的特點。

IGBT高頻爐基本信息

中文名 IGBT高頻爐 外文名 Insulated Gate Bipolar Transistor
產(chǎn)????地 德國 類????型 半導(dǎo)體器件

1.采用IGBT模塊,節(jié)能省電:比電子管式省電30%,比可控硅中頻省電20%;

2.性能穩(wěn)定:保護(hù)措施齊全,無后顧之憂;

3.加熱速度快:感應(yīng)加熱,無氧化層,變形小;

4.體積小:采用分體式結(jié)構(gòu),重量輕,移動安裝都方便;

5.環(huán)保:沒有污染、噪聲和粉塵;

6.適應(yīng)性強:能加熱各種各樣的工件;

7.溫度及加熱時間可精確控制,加工質(zhì)量高。

IGBT 為主要器件,功率電路以串聯(lián)振蕩為基本特征,控制電路以頻率自動跟蹤,多閉環(huán)控制為主要特點。該設(shè)備高集成化、模塊化。效率高、性能穩(wěn)定、安全可靠。

適用于:

1.各種高強度螺栓、螺母的熱鐓;

2.各種齒輪、鏈輪、軸類的淬火;

3.機床行業(yè)的機床床面導(dǎo)軌的淬火處理(車床、銑床、刨床、沖床等)

4 釬鋼、釬具的回火、鍛造、擠壓等的加熱。

5.直徑80以內(nèi)所有零件的透熱鍛造

IGBT高頻爐造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
(除稅)
工程建議價
(除稅)
行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報價日期
高頻 HTT-500KVA 直流電壓±DC180V- ±DC300VDC 尺寸(mm)長×寬×高1200×1100×2000 查看價格 查看價格

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高頻 HTT-60KVA 直流電壓±DC180V- ±DC300VDC 尺寸(mm)長×寬×高600×800×1250 查看價格 查看價格

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高頻 HTT-80KVA 直流電壓±DC180V- ±DC300VDC 尺寸(mm)長×寬×高600×800×1250 查看價格 查看價格

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高頻 HTT-150KVA 直流電壓±DC180V- ±DC300VDC 尺寸(mm)長×寬×高600×1100×2000 查看價格 查看價格

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高頻 HTT-250KVA 直流電壓±DC180V- ±DC300VDC 尺寸(mm)長×寬×高600×1100×2000 查看價格 查看價格

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高頻 HTT-400KVA 直流電壓±DC180V- ±DC300VDC 尺寸(mm)長×寬×高600×1100×2000 查看價格 查看價格

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高頻 HTT-600KVA 直流電壓 尺寸(mm)長×寬×高1200×1100×2000 查看價格 查看價格

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高頻 HTT-20KVA 直流電壓DC240V 標(biāo)機內(nèi)置電池配 置 尺寸(mm)長×寬×高592×250×826 查看價格 查看價格

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材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價
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行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
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加熱 箱式RJX-45-9 查看價格 查看價格

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臺班 廣州市2010年4季度信息價
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臺班 汕頭市2010年4季度信息價
材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
(元)
供應(yīng)商 報價地區(qū) 最新報價時間
IGBT 2MBI300VH-170-50|38塊 3 查看價格 蘇州藤野自動化控制有限公司 全國   2018-03-24
IGBT模塊 FF300R12KE3|6139個 1 查看價格 深圳市盛德信科技有限公司 廣東  深圳市 2015-08-10
微波 微波|24個 1 查看價格 深圳市大龍電器有限公司 全國   2020-03-15
布菲 420×420液壓304不銹鋼感應(yīng)餐(帶顯示器)|7套 1 查看價格 廣州市卓晉酒店用品有限公司 全國   2022-09-19
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(礦)渣 (礦)渣|12.86m3 1 查看價格 惠州市中和實業(yè)有限公司 廣東  廣州市 2012-04-18
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微波 微波|24個 1 查看價格 深圳市方太廚具有限公司 全國   2020-03-15

將工件放到感應(yīng)器內(nèi),感應(yīng)器一般是輸入中頻或高頻交流電 (1000-300000Hz或更高)的空心銅管。產(chǎn)生交變磁場在工件中產(chǎn)生出同頻率的感應(yīng)電流,這種感應(yīng)電流在工件的分布是不均勻的,在表面強,而在內(nèi)部很弱,到心部接近于0,利用這個集膚效應(yīng),可使工件表面迅速加熱,在幾秒鐘內(nèi)表面溫度上升到800-1000oC,而心部溫度升高很小。

IGBT高頻爐常見問題

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    頻率不同:中頻爐頻率低, 150~10000HZ之間,電流的投射深度深,所以廣泛運用于溫鍛或者熔煉,適合用于熔煉大件,相對速度會慢,但是某些稀有金屬的熔煉,由于導(dǎo)磁率偏低,也會使用高頻爐。高...

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IGBT高頻爐文獻(xiàn)

IGBT并聯(lián)技術(shù)詳解 IGBT并聯(lián)技術(shù)詳解

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評分: 4.4

IGBT 并聯(lián)技術(shù)技術(shù)詳解 IGBT 并聯(lián)均流問題 影響靜態(tài)均流的因素 1、并聯(lián) IGBT 的直流母 線側(cè)連接點的電阻分量,因 此需要盡量對稱; 2、 IGBT 芯片的 Vce(sat) 和二極管芯片的 VF的差異,因此盡量采取同一批次的產(chǎn)品。 3、 IGBT 模塊所處的溫度差異,設(shè)計機械結(jié)構(gòu)及風(fēng)道時需要考慮; 4、 IGBT 模塊所處的磁場差異; 5、柵極電壓 Vge 的差異。 影響動態(tài)均流的因素 1、 IGBT 模塊的開通門檻電壓 VGEth 的差異, VGEth 越高, IGBT 開通時刻越晚, 不同模塊會有差異; 2、每個并聯(lián)的 IGBT 模塊的直流母線雜散電感 L 的差異; 3、門極電壓 Vge 的差異; 4、門極回路中的雜散電感量的差異; 5、 IGBT 模塊所處溫度的差異; 6、 IGBT 模塊所處的磁場的差異。 IGBT 芯片溫度對均流的影響 IGBT 芯片的溫度對于動態(tài)均

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高頻爐利用隧道烘箱排濕風(fēng)的節(jié)能方案探討 高頻爐利用隧道烘箱排濕風(fēng)的節(jié)能方案探討

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頁數(shù): 4頁

評分: 4.5

探討了玻璃纖維高頻爐利用隧道烘箱排濕風(fēng),實現(xiàn)節(jié)能減排的方法。此方法利用隧道烘箱排濕風(fēng)具有高溫和低濕度的特點,將經(jīng)過了灰塵過濾器和浸潤劑揮發(fā)物過濾器的排濕風(fēng)引入高頻爐內(nèi),替代高頻爐原用的蒸汽加熱方式節(jié)約能源,減少熱空氣排放。

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IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時,所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時,開關(guān)損耗增大,使原件發(fā)熱加劇,因此,選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開關(guān)時,由于開關(guān)損耗增大,發(fā)熱加劇,選用時應(yīng)該降等使用。

IGBT Modules 在使用中的注意事項

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分,當(dāng)必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后,再觸摸;在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模塊;盡量在底板良好接地的情況下操作。

在應(yīng)用中有時雖然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超過柵極最大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號,以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。

此外,在柵極-發(fā)射極間開路時,若在集電極與發(fā)射極間加上電壓,則隨著集電極電位的變化,由于集電極有漏電流流過,柵極電位升高,集電極則有電流流過。這時,如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓,則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。

在使用IGBT的場合,當(dāng)柵極回路不正?;驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài)),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會損壞,為防止此類故障,應(yīng)在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。

在安裝或更換IGBT模塊時,應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻,最好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇,當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,而發(fā)生故障。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,一般在散熱片上靠近 IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,當(dāng)溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。

一、熱處理:各種金屬的局部或整體淬火、退火、回火、透熱;

二、熱 成 型 :整件鍛打、局部鍛打、熱鐓、熱軋;

三、焊 接:各種金屬制品釬焊、各種刀具刀片、鋸片鋸齒的焊接、鋼管、銅管焊接、同種異種金屬焊接;

四、金屬熔煉:金、銀、銅、鐵、鋁等金屬的(真空)熔煉、鑄造成型及蒸發(fā)鍍膜;

五、高頻爐其它應(yīng)用:半導(dǎo)體單晶生長、熱配合、瓶口熱封、牙膏皮熱封、粉末涂裝、金屬植入塑料等。

一個理想的 igbt 驅(qū)動器應(yīng)具有以下基本性能: (1)動態(tài)驅(qū)動能力強 ,能為 igbt 柵極提供具有陡峭前后沿的驅(qū)動脈沖。當(dāng) igbt 在硬開關(guān)方式下工作時 ,會在開通及關(guān)斷過程中產(chǎn)生較大的開關(guān)損耗。這個過程越長 ,開關(guān)損耗越大。器件工作頻率較高時 ,開關(guān)損耗甚至?xí)蟠蟪^ igbt 通態(tài)損耗 ,造成管芯溫升較高。 這種情況會大大限制 igbt 的開關(guān)頻率和輸出能力 ,同時對 igbt的安全工作構(gòu)成很大威脅。 igbt的開關(guān)速度與其柵極控制信號的變化速度密切相關(guān)。igbt 的柵源特性呈非線性電容性質(zhì) ,因此 ,驅(qū)動器須具有足夠的瞬時電流吞吐能力 ,才能使 igbt 柵源電壓建立或消失得足夠快 ,從而使開關(guān)損耗降至較低的水平。 另一方面 ,驅(qū)動器內(nèi)阻也不能過小 ,以免驅(qū)動回路的雜散電感與柵極電容形成欠阻尼振蕩。同時 ,過短的開關(guān)時間也會造成主回路過高的電流尖峰 ,這既對主回路安全不利 ,也容易在控制電路中造成干擾。 ( 2) 能向 igbt提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。 igbt導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān) ,在漏源電流一定的情況下 , u 越高 , u 就越低 ,gs ds器件的導(dǎo)通損耗就越小 ,這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是 并非越高越好 一般, ugs ,不允許超過 原因是一旦發(fā)生過流或短路20v , ,柵壓越高 則電流幅值越高 損壞的可能, ,igbt性就越大。通常 ,綜合考慮取 +15v 為宜。 (3) 能向 igbt 提供足夠的反向柵壓。在igbt關(guān)斷期間 ,由于電路中其它部分的工作 ,會在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號。這些信號輕則會使本該截止的 igbt 處于微通狀態(tài) ,增加管子的功耗 ,重則將使逆變電路處于短路直通狀態(tài)。因此 ,最好給應(yīng)處于截止?fàn)顟B(tài)的igbt加一反向柵壓(幅值一般為 5~15v) ,使igbt在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時仍能可靠截止。 (4)有足夠的輸入輸出電隔離能力。在許多設(shè)備中 與工頻電網(wǎng)有直接電聯(lián)系 而,igbt ,控制電路一般不希望如此。另外許多電路(如橋式逆變器)中的 的工作電位差別很大igbt ,也不允許控制電路與其直接耦合。因此 驅(qū)動,器具有電隔離能力可以保證設(shè)備的正常工作 ,同時有利于維修調(diào)試人員的人身安全。但是 ,這種電隔離不應(yīng)影響驅(qū)動信號的正常傳輸。 (5) 具有柵壓限幅電路 ,保護(hù)柵極不被擊穿。igbt柵極極限電壓一般為 ±20v ,驅(qū)動信號超出此范圍就可能破壞柵極。(6)輸入輸出信號傳輸無延時。這一方面能夠減少系統(tǒng)響應(yīng)滯后 ,另一方面能提高保護(hù)的快速性。 (7)電路簡單 ,成本低。 (8) igbt損壞時 ,驅(qū)動電路中的其它元件不會隨之損壞。igbt燒毀時 ,集電極上的高電壓往往會通過已被破壞的柵極竄入驅(qū)動電路 ,從而破壞其中的某些元件。 由于 igbt 承受過流或短路的能力有限 ,故 igbt驅(qū)動器還應(yīng)具有如下功能: (9)當(dāng) igbt處于負(fù)載短路或過流狀態(tài)時 ,能在 igbt允許時間內(nèi)通過逐漸降低柵壓自動抑制故障電流 ,實現(xiàn) igbt 的軟關(guān)斷。其目的是避免快速關(guān)斷故障電流造成過高的 di/ dt。 在雜散電感的作用下 ,過高的 di/ dt 會產(chǎn)生過高的電壓尖峰 ,使 igbt 承受不住而損壞。同理 ,驅(qū)動電路的軟關(guān)斷過程不應(yīng)隨輸入信號的消失而受到影響 ,即應(yīng)具有定時邏輯柵壓控制的功能。當(dāng)出現(xiàn)過流時 ,無論此時有無輸入信號 ,都應(yīng)無條件地實現(xiàn)軟關(guān)斷。 在各種設(shè)備中 ,二極管的反向恢復(fù)、電磁性負(fù)載的分布電容及關(guān)斷吸收電路等都會在igbt開通時造成尖峰電流。驅(qū)動器應(yīng)具備抑制這一瞬時過流的能力 ,在尖峰電流過后 ,應(yīng)能恢復(fù)正常柵壓 ,保證電路的正常工作。 (10)在出現(xiàn)短路、過流的情況下 ,能迅速發(fā)出過流保護(hù)信號 ,供控制電路進(jìn)行處理。

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