igbt中頻爐中頻熔煉爐特點(diǎn)

●產(chǎn)品啟動(dòng)性能非常好。

它是采用串聯(lián)諧振電路，徹底解決了可控硅中頻啟動(dòng)困難的問題。

●產(chǎn)品幾乎不產(chǎn)生高次諧波。

不會(huì)污染電網(wǎng)、變壓器，開關(guān)不發(fā)熱，不會(huì)干擾工廠內(nèi)的電子設(shè)備運(yùn)行。

●產(chǎn)品具有高可靠性。

主要元器件全部采用世界名廠生產(chǎn)的元器件，IGBT晶體管是德國(guó)西門子公司生產(chǎn)的。

●產(chǎn)品節(jié)約電能。

●產(chǎn)品水循環(huán)系統(tǒng)采用水熱交換器和內(nèi)外水循環(huán)系統(tǒng)。

內(nèi)循環(huán)是蒸餾水，長(zhǎng)期使用，設(shè)備內(nèi)各水路不結(jié)垢不堵塞，大大減少了故障，節(jié)約了維修費(fèi)用。

●產(chǎn)品能在熔煉過程中始終保持恒功率輸出。2100433B

1、厚壁感應(yīng)圈將提供更多的熔煉能量

厚壁感應(yīng)圈與其它截面的感應(yīng)線圈相比具有更大的載流截面,因此線圈電阻低,更多的能量可以用熔煉.并且由于四周管壁的厚度均勻,因此它的強(qiáng)度要比管壁不均勻、一邊管壁較薄的線圈結(jié)構(gòu)的強(qiáng)度高.也就是說榮泰的這種結(jié)構(gòu)的線圈不易發(fā)生因電弧和膨脹而引起的損壞.

2、感應(yīng)線圈的匝間開放空間提高了電效率,減少了水汽

經(jīng)過反復(fù)實(shí)踐思考,我們?cè)O(shè)計(jì)的感應(yīng)線圈的匝間留有空間,這樣能夠士提高線圈載流的效率,并且可以讓爐襯材料中的水汽很容易揮發(fā).在無(wú)間隙式感應(yīng)圈的爐體中,一個(gè)通常的問題是線圈常受到鄰近線圈磁場(chǎng)的影響,從面使得阻抗增加.

3、線圈設(shè)計(jì)原理

線圈是感應(yīng)爐的心臟，感應(yīng)線圈在電流的作用下產(chǎn)生強(qiáng)大的磁場(chǎng)，此磁場(chǎng)使?fàn)t膛內(nèi)的金屬產(chǎn)生渦流而發(fā)熱。線圈是電能轉(zhuǎn)換成熱能的關(guān)鍵所在，所以線圈的設(shè)計(jì)非常重要。本爐的線圈是結(jié)合感應(yīng)爐的實(shí)際使用情況，根據(jù)電磁場(chǎng)原理，通過計(jì)算機(jī)專業(yè)軟件的計(jì)算而確定的較佳方案，采用最新線圈反并繞技術(shù)（雙感應(yīng)圈并聯(lián)），更好的聚集磁場(chǎng)，提高磁場(chǎng)攪拌力，感應(yīng)線圈的設(shè)計(jì)功率與實(shí)際運(yùn)行功率的誤差不大于5%，線圈的絕緣，特別是匝間絕緣采用先進(jìn)的絕緣處理辦法來保證，專用的夾緊技術(shù)能有效地減少線圈的軸向振動(dòng)。

4、開放式的爐底減少了水汽

開放式的爐底設(shè)計(jì)易于通氣,避免了水分的積聚.并且萬(wàn)一漏爐發(fā)生,能降低損壞程度.

5、冷卻環(huán)延長(zhǎng)了爐襯的壽命

良好地冷卻爐襯不僅能提供更好的絕熱及陰熱物性,而且可以提高爐襯的壽命.為了達(dá)到這種目的,榮泰在爐體設(shè)計(jì)時(shí),在頂部和底部分別加了冷卻環(huán),這樣水僅能夠起到均勻爐襯溫度的目的,而且降低了熱膨脹.由于采用了低熱耗,高強(qiáng)度的紫銅冷卻環(huán),大大提高了電爐的效率.

電源控制部分原理及優(yōu)勢(shì)：

（2）IGBT中頻電源為一種恒功率輸出電源，加少量料即可達(dá)到滿功率輸出，并且始終保持不變，所以熔化速度快；因逆變部分采用串聯(lián)諧振，且逆變電壓高，所以IGBT中頻比普通可控硅中頻節(jié)能；IGBT中頻采用調(diào)頻調(diào)功，整流部分采用全橋整流，電感和電容濾波，且一直工作在500V，所以IGBT中頻產(chǎn)生高次諧波小，對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生污染工低。

（3）節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可節(jié)能15%-25%,節(jié)能的主要原因有以下幾下方面：

A、逆變電壓高，電流小，線路損耗小，此部分可節(jié)能15%左右，節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓為2800V，而傳統(tǒng)可控硅中頻電源逆變電壓僅為750V，電流小了近4倍，線路損耗大大降低。

B、功率因數(shù)高，功率因數(shù)始終大于0.98，無(wú)功損耗小，此部分比可控硅中頻電源節(jié)能3%-5%。由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用了半可控整流方式，整流部分不調(diào)可控硅導(dǎo)通角，所以整個(gè)工作過程功率因數(shù)始終大于0.98，無(wú)功率損耗小。

B、 爐品熱損失小，由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比同等功率可控硅中頻電源一爐可快15分鐘左右，15分鐘的時(shí)間內(nèi)爐口損失的熱量可占整個(gè)過程的3%，所以此部分比可控硅中頻可節(jié)能3%左右。

（4）高次諧波干擾：高次諧波主要來自整流部分調(diào)壓時(shí)可控硅產(chǎn)生的毛刺電壓，會(huì)嚴(yán)重污染電網(wǎng)，導(dǎo)致其他設(shè)備無(wú)法正常工作，而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源的整流部分 采用半可控整流方式，直流電壓始終工作在最高，不調(diào)導(dǎo)通角，所以它不會(huì)產(chǎn)生高次諧波，不會(huì)污染電網(wǎng)、變壓器，開關(guān)不發(fā)熱，不會(huì)干擾工廠內(nèi)其他電子設(shè)備運(yùn)行。

（5）恒功率輸出：可控硅中頻電源采用調(diào)壓調(diào)功，而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用調(diào)頻調(diào)功，它不受爐料多少和爐襯厚薄的影響，在整個(gè)熔煉過程中保持恒功率輸出，尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導(dǎo)磁物質(zhì)時(shí)，更顯示它的優(yōu)越性，熔化速度快，爐料元素?zé)龘p少，降低鑄造成本。

中頻爐打結(jié)料也稱中頻爐爐襯材料、中頻爐耐火材料、中頻爐干振料、中頻爐搗打料，分酸性、中性、堿性打結(jié)料。

酸性打結(jié)料是以高純石英、熔融石英為主要原料，以復(fù)合添加劑為燒結(jié)劑；中性打結(jié)料是以氧化鋁、高鋁材料為主要原料，以復(fù)合添加劑為燒結(jié)劑；堿性打結(jié)料是以高純電熔剛玉、高純電熔鎂砂、高純尖晶石作為主要原料，以復(fù)合添加劑為燒結(jié)劑。

酸性、中性、堿性打結(jié)料廣泛應(yīng)用在無(wú)芯中頻爐、有芯感應(yīng)爐中，作為中頻爐打結(jié)料用以熔化灰口鑄鐵、球墨鑄鐵、可煅鑄鐵、蠕墨鑄鐵及鑄鐵合金，熔化碳鋼、合金鋼、高錳鋼、工具鋼、耐熱鋼、不銹鋼，熔化鋁及其合金，熔化紫銅、黃銅、白銅及青銅等銅合金等。

中頻爐打結(jié)料